【技术实现步骤摘要】
存储器系统及用于操作该存储器系统的方法交叉引用本申请要求于2016年9月5日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0113718的韩国专利申请的优先权,该专利申请通过引用被而全部并入本文。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器系统,更具体地,涉及能够设置读取偏压(readbias)的存储器系统以及用于操作该存储器系统的方法。
技术介绍
近来,计算机环境的范例转变成使用户随时随地访问计算机系统的普适计算环境。因此,便携式电子装置例如移动电话、数码相机、笔记本电脑等等的使用迅速增加。便携式电子装置通常采用例如作为数据存储装置的存储器系统,该存储器系统使用用于存储数据的存储器装置。数据存储装置可以用作便携式电子装置的主存储器或辅助存储器。由于数据存储器装置不包括机械驱动单元,因此使用存储器装置的数据存储装置具有优异的稳定性和耐久性。此外,使用存储器装置的数据存储装置的优点在于,其可以快速访问数据并消耗少量的电能。具有这些优点的数据存储装置的非限制性示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态硬盘(SSD)等等。
技术实现思路
当在存储器系统中执 ...
【技术保护点】
一种存储器系统,其包括:存储器装置;和控制器,其与所述存储器装置联接,其中,所述控制器确定用于使被擦除的单元和被编程的单元彼此区分的第一读取偏压,通过基于所述第一读取偏压控制所述存储器装置的读取操作,检测在所述存储器装置中读取的单元的数量,并且当读取的所述单元的数量超出容错范围时,通过偏移所述第一读取偏压而生成第二读取偏压。
【技术特征摘要】
2016.09.05 KR 10-2016-01137181.一种存储器系统,其包括:存储器装置;和控制器,其与所述存储器装置联接,其中,所述控制器确定用于使被擦除的单元和被编程的单元彼此区分的第一读取偏压,通过基于所述第一读取偏压控制所述存储器装置的读取操作,检测在所述存储器装置中读取的单元的数量,并且当读取的所述单元的数量超出容错范围时,通过偏移所述第一读取偏压而生成第二读取偏压。2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中基于高斯建模算法设置所述第一读取偏压。3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述第一读取偏压具有低于所述被编程的单元的阈值电压且高于所述被擦除的单元的阈值电压的电压电平。4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述控制器包括:读取偏压确定单元,其适于基于所述高斯建模算法确定所述第一读取偏压;充足性确定单元,其适于分析基于所述第一读取偏压读取的所述被擦除的单元的数量以及参考单元数量,并确定所述第一读取偏压是否为充足的读取偏压;以及读取偏压控制单元,其适于当所述第一读取偏压不是充足的读取偏压时,通过基于错误率偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压。5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中当读取的所述被擦除的单元的数量大于所述参考单元数量时,所述读取偏压控制单元通过在正方向上偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压,且其中,当读取的所述被擦除的单元的数量小于所述参考单元数量时,所述读取偏压控制单元通过在负方向上偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压。6.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述控制器检测在所述存储器装置中基于所述第一读取偏压读取的单元中的位于所述第一读取偏压左侧的单元的数量,以及通过分析所述检测的单元的数量和所述参考单元数量来确定所述第一读取偏压是否为充足的读取偏压。7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中当所述第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且所述检测的单元的数量大于所述参考单元数量时,所述控制器通过在正方向上偏移所述第一读取偏压而生成所述第二读取偏压,且其中,当所述第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且所述检测的单元的数量小于所述参考单元数量时,所述控制器通过在负方向上偏移所述第一读取偏压而生成所述第二读取偏压。8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中所述控制器进一步适于基于所述第二读取偏压控制所述存储器装置的读取操作、检测在所述存储器装置中读取的单元中的位于所述第二读取偏压左侧的单元的数量、并通过分析位于所述第二读取偏压左侧的所述检测的单元的数量和所述参考单元数量,确定所述第二读取偏压是否为充足的读取偏压。9.根据权利要求8所述的存储器系统,其中当所述第一读取偏压或所述第二读取偏压被确定为是充足的读取偏压时,所述控制器通过将所述充足的读取偏压设置为所述存储器装置的读取偏压而控制所述存储器装置的读取操作。10.根据权利要求9所述的存储器系统,其中所述控制器基于所述设置的读取偏压...
【专利技术属性】
技术研发人员:金敬范,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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