用于储存多比特位数据的EPROM器件及EPROM器件的读取电路制造技术

一种EPROM器件可以包括单位单元、切换单元、解码器以及比较单元。单位单元可以设置在接地电压端子和与编程电压供应线耦接的位线之间。切换单元可以根据输入的切换控制信号来控制编程电压供应线与单位单元之间的电耦接。解码器可以根据二进制数据的输入来产生多个输出信号。比较单元可以将多个参考电压中的每个与位线电压进行比较以及产生编程模式输出信号。电平转换器可以接收解码器的输出信号中的至少一个输出信号和编程模式输出信号，以及可以将解码器的输出信号或编程模式输出信号输出为切换控制信号。

【技术实现步骤摘要】
用于储存多比特位数据的EPROM器件及EPROM器件的读取电路相关申请的交叉引用本申请要求2016年7月5日提交的申请号为10-2016-0085041的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体而言涉及一种非易失性存储器件，更具体地，涉及一种用于储存多比特位数据的EPROM器件及EPROM器件的读取电路。
技术介绍
半导体存储器件根据其数据易失性通常被分为随机存取存储(RAM)器件和只读存储(ROM)器件。RAM器件是需要电力来保留其数据(例如，二进制信息)并且当电源中断时丢失储存的数据的易失性存储器件。相反，即使在电源中断时，ROM器件也可以保留储存的数据。ROM器件还可以根据其数据输入方法(例如，数据编程方法)被分类为可编程ROM(PROM)器件和掩模ROM器件。PROM器件可以是即使在PROM器件的制造完成之后也可以由客户(即，用户)编程的ROM的形式。掩模ROM器件可以在其制造期间使用基于由用户请求的数据来制造的注入掩模进行编程。PROM器件的示例可以包括一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件以及电可擦除PROM(EEP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EPROM器件，包括：单位单元，其设置在与编程电压的电源线耦接的位线与接地电压端子之间；切换单元，其设置在位线与编程电压供应线之间，并且根据切换控制信号来控制编程电压供应线与单位单元之间的电耦接；解码器，其被配置为根据二进制数据的输入而产生多个输出信号；比较单元，其被配置为由解码器的输出信号中的一些来使能，所述比较单元将多个参考电压中的每个与位线电压进行比较以及产生编程模式输出信号；以及电平转换器，其被配置为接收解码器的输出信号之中的至少一个输出信号和编程模式输出信号，所述电平转换器将解码器的输出信号或编程模式输出信号输出为切换控制信号。

【技术特征摘要】
2016.07.05 KR 10-2016-00850411.一种EPROM器件，包括：单位单元，其设置在与编程电压的电源线耦接的位线与接地电压端子之间；切换单元，其设置在位线与编程电压供应线之间，并且根据切换控制信号来控制编程电压供应线与单位单元之间的电耦接；解码器，其被配置为根据二进制数据的输入而产生多个输出信号；比较单元，其被配置为由解码器的输出信号中的一些来使能，所述比较单元将多个参考电压中的每个与位线电压进行比较以及产生编程模式输出信号；以及电平转换器，其被配置为接收解码器的输出信号之中的至少一个输出信号和编程模式输出信号，所述电平转换器将解码器的输出信号或编程模式输出信号输出为切换控制信号。2.如权利要求1所述的EPROM器件，其中，单位单元包括选择晶体管和单元晶体管，所述选择晶体管和单元晶体管串联设置在位线与接地电压端子之间，其中，选择晶体管包括第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦接到选择使能信号线的栅极、耦接到位线的源极以及漏极；以及其中，单元晶体管包括第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有浮置状态的栅极、耦接到接地电压端子的漏极以及耦接到第一PMOS晶体管的漏极的源极。3.如权利要求1所述的EPROM器件，其中，切换单元包括第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有施加了电平转换器的切换控制信号的栅极、耦接到编程电压供应线的源极以及耦接到位线的漏极。4.如权利要求3所述的EPROM器件，其中，解码器在非编程模式下将高电平的输出信号输入到电平转换器，并且将低电平的第一输出信号、第二输出信号和第三输出信号输入到比较单元，其中，解码器在第一编程模式、第二编程模式和第三编程模式下将低电平的输出信号输入到电平转换器；其中，解码器在第一编程模式下将高电平的第一输出信号、低电平的第二输出信号以及低电平的第三输出信号输入到比较单元；其中，解码器在第二编程模式下将低电平的第一输出信号、高电平的第二输出信号以及低电平的第三输出信号输入到比较单元；以及其中，解码器在第三编程模式下将低电平的第一输出信号、低电平的第二输出信号以及高电平的第三输出信号输入到比较单元。5.如权利要求4所述的EPROM器件，其中，比较单元包括：第一比较器，其被配置为由高电平的第一输出信号来使能，以根据通过比较第一参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号；第二比较器，其被配置为由高电平的第二输出信号来使能，以根据通过比较输入的第二参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号；以及第三比较器，其被配置为由高电平的第三输出信号来使能，以根据通过比较输入的第三参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号，其中，第一参考电压具有比编程电压小的值，第二参考电压具有比第一参考电压小的值，以及第三参考电压具有比第二参考电压小的值，其中，第一比较器在位线电压达到第一参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第一参考电压时，第一比较器输出高电平的编程模式输出信号；其中，第二比较器在位线电压达到第二参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第二参考电压时，第二比较器输出高电平的编程模式输出信号；以及其中，第三比较器在位线电压达到第三参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第三参考电压时，第三比较器输出高电平的编程模式输出信号。6.如权利要求5所述的EPROM器件，其中，当高电平的输出信号从解码器被输入时，电平转换器输出高电平的切换控制信号，而当低电平的输出信号从解码器被输入时，电平转换器输出与从比较单元输出的编程模式输出信号在相同电平的切换控制信号，其中，电平转换器在非编程模式下将在高电平的解码器的输出信号输出为切换控制信号；其中，电平转换器在第一编程模式下输出与第一比较器的编程模式输出信号在相同电平的切换控制信号；其中，电平转换器在第二编程模式下输出与第二比较器的编程模式输出信号在相同电平的切换控制信号；以及其中，电平转换器在第三编程模式下输出与第三比较器的编程模式输出信号在相同电平的切换控制信号。7.一种EPROM器件，包括：单元阵列，其被配置为包括设置在多个位线和多个选择使能信号线的交叉点处的单位单元，所述多个位线耦接到编程电压的电源线并且构成列，所述多个选择使能信号线构成行；控制器，其被配置为输出选择使能信号、二进制数据以及位线选择信号，选择使能信号用于在行之中选择其中包括选中单位单元的行，二进制数据根据编程模式来确定，位线选择信号用于在列之中选择其中包括选中单位单元的列；切换单元，其设置在编程电压供应线与位线的每个之间，所述切换单元根据切换控制信号来控制在编程电压供应线与耦接到位线中的每个的单位单元之间的电耦接；解码器，其被配置为根据二进制数据的输入来产生多个输出信号；比较单元，其被配置为由解码器的输出信号来使能，所述比较单元将多个参考电压中的每个与位线电压进行比较，以及产生编程模式输出信号；电平转换器，其被配置为接收解码器的输出信号之中的至少一个输出信号和编程模式输出信号，以及输出解码器的输出信号或编程模式输出信号；或门，其设置在切换单元与电平转换器之间，OR门接收位线选择信号中的一个和电平转换器的输出信号以及产生切换控制信号；以及位线电压选择单元，其被配置为接收位线的位线电压，响应于位线选择信号来输出在位线电压之中选中位线的位线电压，以及将位线电压输入到比较单位。8.如权利要求7所述的EPROM器件，其中，切换单元包括第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有施加了或门的切换控制信号的栅极、耦接到编程电压供应线的源极以及耦接到位线的漏极。9.如权利要求8所述的EPROM器件，其中，解码器在非编程模式下将高电平的输出信号输入到电平转换器，并且将低电平的第一输出信号、第二输出信号和第三输出信号输出到比较单元，其中，解码器在第一编程模式、第二编程模式和第三编程模式下将低电平的输出信号输入到电平转换器；其中，解码器在第一编程模式下将高电平的第一输出信号、低电平的第二输出信号和低电平的第三输出信号输入到比较单元；其中，解码器在第二编程模式下将低电平的第一输出信号、高电平的第二输出信号和低电平的第三输出信号输入到比较单元；以及其中，解码器在第三编程模式下将低电平的第一输出信号、低电平的第二输出信号和高电平的第三输出信号输入到比较单元。10.如权利要求9所述的EPROM器件，其中，比较单元包括：第一比较器，其被配置为由高电平的第一输出信号来使能，所述第一比较器根据通过比较输入的第一参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号；第二比较器，其被配置为由高电平的第二输出信号来使能，以根据通过比较输入的第二参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号；以及第三比较器，其被配置为由高电平的第三输出信号来使能，以根据通过比较输入的第三参考电压与位线电压获得的比较结果来产生编程模式输出信号，其中，第一参考电压具有比编程电压小的值，第二参考电压具有比第一参考电压小的值，以及第三参考电压具有比第二参考电压小的值，其中，第一比较器在位线电压达到第一参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第一参考电压时，第一比较器输出高电平的编程模式输出信号；其中，第二比较器在位线电压达到第二参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第二参考电压时，第二比较器输出高电平的编程模式输出信号；以及其中，第三比较器在位线电压达到第三参考电压之前，输出低电平的编程模式输出信号，以及在位线电压达到第三参考电压时，第三比较器输出高电平的编程模式输出信号。11.如权利要求10所述的EPROM器件，其中，当高电平的输出信号从解码器被输入时，电平转换器输出高电平的输出信号，而当低电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋贤旻，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR