A method for measuring the parameters of a photolithography process, and related computer programs and devices are disclosed. The method includes providing a plurality of target structures on a substrate, each of which includes a first structure and a second structure on a different layer of the substrate. To measure each target structure to achieve the target structure in the target non symmetry measurement by measuring the radiation target asymmetry including overlay contribution, due to misalignment of the first and the second structure and structure due to asymmetric structure in the structure of at least the first contribution. The structural asymmetry characteristics related to the structural asymmetry in the least first structure of each target structure are obtained. The structural asymmetry characteristic is independent of the selected characteristics of the measured radiation. Then the measurement of the target asymmetry and the structural asymmetry are used to determine the engraved contribution of the target asymmetry in each target structure.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】计量方法和设备、计算机程序和光刻系统相关申请的交叉引用本申请要求于2015年2月4日提交的欧洲申请15153851.9的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及可用在例如通过光刻技术来制造器件中的计量的方法和装置,并且涉及使用光刻技术来制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以使用替代地称为掩模或掩模版的图案化装置来生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或若干管芯中的部分)上。图案的转移通常经由到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来实现。通常,单个衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中,通常期望对所产生的结构进行测量,例如用于过程控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的,包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量套刻(overlay)(即,器件中两个层的对准精度的测量)的专用工具。套刻可以在两个层之间的未对准程度方面来被描述,例如参考1nm的所测量的套刻可以描述其中两个层有1nm的未对准的情况。近来,各种形式的散射仪已经被开发用于光刻领域。这些装置将辐射束引导到目标结构上,并且测量所散射的辐射的一个或多个属性(例如作为波长的函数的在单个反射角下的强度;作为反射角的函数的在一个或多个波长下的强度;或者作为反射角的函数的极化),以获取“频谱”,从该频谱能够确定目标的感兴趣属性。感兴趣的属性的确定可以通过 ...
【技术保护点】
一种测量光刻工艺的参数的方法,所述方法包括以下步骤:在衬底上提供多个目标结构,每个目标结构包括在所述衬底的不同层上的第一结构和第二结构;利用测量辐射来测量每个目标结构以获取所述目标结构中的目标非对称性的测量,所述目标非对称性包括由于所述第一结构和所述第二结构的未对准而产生的套刻贡献、以及由于至少所述第一结构中的结构非对称性而产生的结构贡献;获取与每个目标结构的至少所述第一结构中的结构非对称性相关的结构非对称性特性,所述结构非对称性特性与所述测量辐射的至少一个所选择的特性无关;以及根据所述目标非对称性的测量和所述结构非对称性特性来确定每个目标结构的所述目标非对称性的套刻贡献。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.04 EP 15153851.91.一种测量光刻工艺的参数的方法,所述方法包括以下步骤:在衬底上提供多个目标结构,每个目标结构包括在所述衬底的不同层上的第一结构和第二结构;利用测量辐射来测量每个目标结构以获取所述目标结构中的目标非对称性的测量,所述目标非对称性包括由于所述第一结构和所述第二结构的未对准而产生的套刻贡献、以及由于至少所述第一结构中的结构非对称性而产生的结构贡献;获取与每个目标结构的至少所述第一结构中的结构非对称性相关的结构非对称性特性,所述结构非对称性特性与所述测量辐射的至少一个所选择的特性无关;以及根据所述目标非对称性的测量和所述结构非对称性特性来确定每个目标结构的所述目标非对称性的套刻贡献。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构非对称性特性包括每个目标结构的至少所述第一结构的无量纲指纹特性。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述目标结构的所述测量包括:利用所述测量辐射照射所述目标结构并且检测由每个目标结构散射的测量辐射;以及测量所散射的测量辐射的相应较高阶的强度非对称性。4.根据权利要求3所述的方法,其中确定所述目标非对称性的套刻贡献的所述步骤包括假定在强度非对称性与所述目标非对称性的套刻贡献之间存在非线性周期性关系,所述非线性周期性关系包括与所述结构非对称性相关的偏移项。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述偏移项包括以标量因子缩放的所述结构非对称性特性,其中所述标量因子对于在关于所述测量辐射在至少第一取向中测量时的所有所述多个目标结构是恒定的,并且取决于所述测量辐射的所述至少一个所选择的特性。6.根据权利要求5所述的方法,包括构造套刻模型,所述套刻模型包括:由所述结构非对称性特性和与所述强度非对称性的测量相关的第一强度非对称性参数被参数化的设计矩阵;由与所述强度非对称性的测量相关的第二强度非对称性参数被参数化的响应向量;以及由描述所述目标非对称性的所述套刻贡献的套刻贡献参数和所述标量因子被参数化的待求解的参数向量。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述目标结构包括至少两个目标...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳星兰,H·J·H·斯米尔德,YL·彭,H·E·切克利,J·佩罗,R·J·F·范哈伦,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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