表膜清洁系统技术方案

技术编号:42688364 阅读:40 留言:0更新日期:2024-09-10 12:36
一种用于清洁与光刻过程相关的诸如表膜、掩膜、晶片的部件或另一光刻部件的清洁系统,包括至少一个辐射发射器,所述至少一个辐射发射器被配置成在使用中辐照所述部件的区,以在所述部件中引起热机械振动和/或引发存在于所述部件上的污染物的溅射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于清洁与光刻过程相关的部件的清洁系统和使用辐射以在所述部件中引起热机械振动和/或引发存在于部件上的污染物的溅射的方法。


技术介绍

1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置处的图案(例如,可以替代地称为掩模版的掩模)投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如,6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、图案形成装置通常由表膜保护。表膜包括对光刻辐射大致透明的薄隔膜。表膜防止颗粒(和其它污染物)下落至图案形成装置上或以其它方式污染图案形成装置。经由长期使用,颗粒(所述颗粒被防止污染图案形成装置)累积在光刻设备的部件(例如,表膜,和/或由光刻设备图案化的衬底)上。颗粒在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于清洁与光刻过程相关的部件的清洁系统,包括:

2.一种用于测试与光刻过程相关的部件的结构完整性的系统,所述系统包括:

3.根据权利要求1或2所述的系统,其中,所述部件为表膜。

4.根据任一前述权利要求所述的系统,还包括配置成保持所述部件的保持器。

5.根据任一前述权利要求所述的系统,其中,所述至少一个辐射发射器包括被配置成在使用中辐照所述部件的区以在所述部件中引起热机械振动的加热器。

6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述加热器为激光器。

7.根据权利要求5或6所述的系统,其中,由所述加热器提供的辐射具有...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于清洁与光刻过程相关的部件的清洁系统,包括:

2.一种用于测试与光刻过程相关的部件的结构完整性的系统,所述系统包括:

3.根据权利要求1或2所述的系统,其中,所述部件为表膜。

4.根据任一前述权利要求所述的系统,还包括配置成保持所述部件的保持器。

5.根据任一前述权利要求所述的系统,其中,所述至少一个辐射发射器包括被配置成在使用中辐照所述部件的区以在所述部件中引起热机械振动的加热器。

6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述加热器为激光器。

7.根据权利要求5或6所述的系统,其中,由所述加热器提供的辐射具有300ghz至4300thz的频率。

8.根据权利要求5至7中的任一项所述的系统,其中,由所述加热器提供的辐射具有在1mw与200w之间的平均功率。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的系统,其中,由所述加热器提供的辐射为脉冲式辐射。

10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述辐射具有在1hz与1mhz之间的脉冲频率。

11.根据权利要求9或10所述的系统,其中,所述辐射的每个脉冲具有在1fs与10μs之间的持续时间。

12.根据权利要求4至11中的任一项所述的系统,其中,所述保持器被定位成使得从所述部件清洁掉的污染物在重力下被从所述部件附近移除。

13.根据权利要求5至12中的任一项所述的系统,其中,所述加热器被配置成提供多个辐射束。

14.根据权利要求13所述的系统,其中,所述加热器包括用于产生所述多个辐射束中的一个或更多个辐射束的多个加热器。

15.根据权利要求13或14所述的系统,其中,所述加热器包括用于产生所述多个辐射束中的一个或更多个辐射束的一个或更多个分束光学器件和/或重引导光学器件。

16.根据当从属于权利要求4时的权利要求5至15中的任一项所述的系统,其中:

17.根据当从属于权利要求13至15中的任一项时的权利要求16所述的系统,所述系统被配置成使得在使用中,所述多个辐射束中的不同的辐射束入射到所述多个部件中的不同部件上。

18.根据权利要求16所述的系统,其中,所述加热器被配置成用不同波长加热所述多个部件中的不同部件。

19.根据任一前述权利要求所述的系统,其中,所述至少一个辐射发射器包括被配置成在使用中用离子辐照所述部件的区以引发存在于所述部件上的污染物的溅射的离子源。

20.根据权利要求19所述的系统,其中,所述离子源被配置成在使用中用离子辐照所述部件的第一侧的区,以引发存在于所述部件的第二侧上的污染物的溅射。

21.根据权利要求19或20所述的系统,其中,所述离子源被配置成在使用中用离子辐照所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:E·特斯莱特A·L·克莱因保罗·亚历山大·维梅伦A·J·沃尔夫I·格瑞森
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:

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