辐射系统技术方案

一种辐射系统包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所述所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率，其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备，或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置所接收的所述输入辐射束是从所述分束设备输出的分支辐射束。

Radiant system

Including a radiation system: a beam device is configured to receive the main beam and the main beam is divided into a plurality of branch radiation beam; and the radiation change device is arranged to receive input and output beam radiation beam modified, wherein the radiation change device is configured to provide a modified output beam the radiation modified the output beam in the input beam and the radiation received when compared with the rate of increase in light, wherein the radiation change device is arranged such that the input beam radiation by the radiation change device receives the main beam of radiation, and the radiation change the main device is configured to modify the radiation beam splitter is provided to the device, or wherein the radiation change device is arranged such that by the radiation change device receiving the input from the radiation beam The branching beam of the output of a beam.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射系统相关申请的交叉引用本申请要求于2015年3月2日申请的EP15157192.4、2015年5月22日申请的EP15168832.2以及于2015年10月14日申请的EP15189676.9的优先权，通过引用将它们的全部内容并入本文中。
本专利技术涉及一种辐射系统。尤其是但非排他地，所述辐射系统可形成包括至少一个光刻设备的光刻系统的部分。
技术介绍
光刻设备为被构造成将所期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可用于(例如)集成电路(IC)的制造中。光刻设备可(例如)将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层。由光刻设备使用以将图案投影至衬底上的辐射的波长决定了可以形成于所述衬底上的特征的最小尺寸。相比于传统的光刻设备(其可以(例如)使用具有193nm的波长的电磁辐射)，使用为具有在4nm至20nm的范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用以在衬底上形成更小的特征。可以向光刻设备提供来从辐射系统的EUV辐射。本专利技术的目的是消除或减轻现有技术中的至少一个问题。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种辐射系统，包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率；其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备；或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为从所述分束设备输出的分支辐射束。所述辐射更改装置可用作光学漫射装置且可漫射所述输入辐射束。所述辐射更改装置可定位于所述分束设备的上游或下游。即，所述辐射更改装置可更改一辐射束，之后将所述主辐射束提供至分束设备，或所述辐射更改装置可更改在所述分束设备处形成的分支辐射束。一些实施例可包括一个以上的辐射更改装置。例如，第一辐射更改装置可被布置成更改辐射束，之后将所述辐射束提供至所述分束设备，且第二辐射更改装置可被布置成更改在所述分束设备处形成的分支辐射束。一些实施例可针对每一分支辐射束包括辐射更改装置。所述辐射更改装置可配置成增加所述辐射束的所述集光率，使得从所述辐射更改装置输出的所述修改后的辐射束具有大于由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束的集光率大至少10倍的集光率。所述辐射更改装置可配置成增加所述EUV辐射束的所述集光率，使得从所述辐射更改装置输出的所述修改后的辐射束具有大于由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束的所述集光率的至少1×104倍的集光率。所述分束设备可包括多个反射琢面，每一反射琢面被布置成接收所述主辐射束的部分且反射所述主辐射束的所述部分以便形成分支辐射束。所述辐射更改装置可配置成在与所述所接收的输入辐射束相比较时增加所述输出的修改后的辐射束的强度轮廓的空间均匀性。所述辐射系统可还包括一个或更多个聚焦光学装置，所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在一远场平面中形成所述输出的修改后的辐射束的图像。所述辐射更改装置可被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为从所述分束设备输出的分支辐射束，且其中所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在位于光刻设备内部的远场平面中形成所述输出的修改后的主福射束的图像。所述辐射更改装置可被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备，且其中所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在位于所述分束设备处或附近的远场平面中形成所述输出的修改后的主辐射束的图像。所述辐射更改装置可包括管，所述管具有被布置成接收所述输入辐射束的第一开口和被布置成输出所述修改后的辐射束的第二开口，其中所述管由基本上反射性的内表面限定，且其中所述内表面被布置成便使通过所述第一开口进入所述管的所述辐射束在所述内表面处经历多次连续反射，由此修改所述辐射束，之后所述修改后的辐射束通过所述第二开口射出所述管。所述辐射更改装置可包括多个反射琢面，所述多个反射琢面每个被布置成接收且反射所述输入辐射束的一部分以便形成从所述多个反射琢面反射的多个子束，且其中所述多个反射琢面被布置成引导所述子束以形成所述输出的修改后的辐射束。所述辐射更改装置可以包括：第一漫射元件，包括第一粗糙化的反射表面；第二漫射元件，包括第二粗糙化的反射表面；和一个或更多个致动器，所述一个或更多个致动器配置成移动所述第一漫射元件和/或所述第二漫射元件以便使所述第一粗糙化的反射表面和/或所述第二粗糙化的反射表面移动；其中所述第一粗糙化的反射表面配置成接收所述输入辐射束且反射所述辐射束以便入射于所述第二粗糙化的反射表面上，且其中所述第二粗糙化的反射表面被布置成反射从所述第一粗糙化的反射表面接收的所述辐射束以便形成所述输出的修改后的辐射束。所述辐射更改装置可以包括：连续波状反射表面，布置成接收和反射所述输入辐射束，其中所述连续波状反射表面的形状遵循基本上周期性的图案。所述辐射系统可还包括辐射源，所述辐射源配置成发射EUV辐射，其中所述主辐射束包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分。所述辐射源可包括至少一个自由电子激光器。所述辐射系统可还包括扩束光学装置，所述扩束光学装置配置成扩展所述主辐射束的横截面，之后将所述主辐射束提供至所述分束设备。所述辐射系统可还包括引导光学装置，所述引导光学装置配置成将所述分支辐射束中的至少一个引导至各自的光刻设备。所述辐射系统可包括多个辐射更改装置，且其中所述多个辐射更改装置中的每一个被布置成使得由所述辐射更改装置中的每一个接收的输入辐射束为从所述分束设备输出的所述分支辐射束中的一个。根据本专利技术的第二方面，提供了一种辐射系统，包括：辐射源，配置成发射EUV辐射；和辐射更改装置，包括管，所述管具有被布置成接收EUV辐射束的第一开口和被布置成输出所述EUV辐射束的第二开口，其中进入所述辐射更改装置的所述EUV辐射束包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分；其中所述管由对于EUV辐射基本上是反射性的内表面限定，且其中所述内表面被布置成便使通过所述第一开口进入所述管的所述EUV辐射束在所述内表面处经历多次连续反射，由此修改所述EUV辐射束，之后所述EUV辐射束通过所述第二开口射出所述管。所述辐射更改装置有利于修改所述EUV辐射束。从所述辐射更改装置输出的所述EUV辐射束可(例如)被提供至光刻设备。所述辐射更改装置可修改所述EUV辐射束，以使得从所述辐射更改装置输出的所述辐射束在被提供至光刻设备时提供有利作用。替代地，从所述辐射更改装置输出的所述EUV辐射束可被提供至分束设备，所述分束设备配置成将所述EUV辐射束分成多个分支辐射束。所述管可包括弯曲部。所述弯曲部可有利于增加所述EUV辐射入射于所述管的所述内表面上的掠射角的范围。所述弯曲部可以是一台阶式弯曲部，或可以是连续的弯曲部使得所述管为弯折的。所述管中的所述弯曲部的弯曲角度可小于约5度。在所述EUV辐射在所述内表面处反射期间，吸收的辐射的量可随着所述EUV辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射系统，包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率；其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备；或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为从所述分束设备输出的分支辐射束。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.02 EP 15157192.4;2015.05.22 EP 15168832.2;1.一种辐射系统，包括：分束设备，配置成接收主辐射束且将所述主辐射束分成多个分支辐射束；和辐射更改装置，布置成接收输入辐射束且输出修改后的辐射束，其中所述辐射更改装置配置成提供输出的修改后的辐射束，所述输出的修改后的辐射束在与所接收的输入辐射束相比较时具有增加的集光率；其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备；或其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为从所述分束设备输出的分支辐射束。2.根据权利要求1的辐射系统，其中所述分束设备包括多个反射琢面，每一反射琢面被布置成接收所述主辐射束的部分且反射所述主辐射束的所述部分以便形成分支辐射束。3.根据权利要求1或2所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成与所述所接收的输入辐射束相比较时增加所述输出的修改后的辐射束的强度轮廓的空间均匀性。4.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，还包括一个或更多个聚焦光学装置，所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在远场平面中形成所述输出的修改后的辐射束的图像。5.根据权利要求4的辐射系统，其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为从所述分束设备输出的分支辐射束，且其中所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在位于光刻设备内部的远场平面中形成所述输出的修改后的主辐射束的图像。6.根据权利要求4的辐射系统，其中所述辐射更改装置被布置成使得由所述辐射更改装置接收的所述输入辐射束为主辐射束，且所述辐射更改装置配置成将修改后的主辐射束提供至所述分束设备，且其中所述一个或更多个聚焦光学装置配置成在位于所述分束设备处或附近的远场平面中形成所述输出的修改后的主辐射束的图像。7.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置包括管，所述管具有被布置成接收所述输入辐射束的第一开口和被布置成输出所述修改后的辐射束的第二开口，其中所述管由基本上反射性的内表面限定，且其中所述内表面被布置成使通过所述第一开口进入所述管的所述辐射束在所述内表面处经历多次连续反射，由此修改所述辐射束，之后所述修改后的辐射束通过所述第二开口射出所述管。8.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置包括多个反射琢面，所述多个反射琢面每个被布置成接收且反射所述输入辐射束的部分以便形成从所述多个反射琢面反射的多个子束，且其中所述多个反射琢面被布置成引导所述子束以形成所述输出的修改后的辐射束。9.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置包括：第一漫射元件，包括第一粗糙化的反射表面；第二漫射元件，包括第二粗糙化的反射表面；和一个或更多个致动器，所述一个或更多个致动器配置成移动所述第一漫射元件和/或所述第二漫射元件以便使所述第一粗糙化的反射表面和/或所述第二粗糙化的反射表面移动；其中所述第一粗糙化的反射表面配置成接收所述输入辐射束且反射所述辐射束以便入射于所述第二粗糙化的反射表面上，且其中所述第二粗糙化的反射表面被布置成反射从所述第一粗糙化的反射表面接收的所述辐射束以便形成所述输出的修改后的辐射束。10.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置包括：连续波状反射表面，布置成接收和反射所述输入辐射束，其中所述连续波状反射表面的形状遵循基本上周期性的图案。11.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，还包括辐射源，所述辐射源配置成发射EUV辐射，其中所述主辐射束包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分。12.根据权利要求11的辐射系统，其中所述辐射源包括至少一个自由电子激光器。13.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，还包括扩束光学装置，所述扩束光学装置配置成扩展所述主辐射束的横截面，之后将所述主辐射束提供至所述分束设备。14.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，还包括引导光学装置，所述引导光学装置配置成将所述分支辐射束中的至少一个引导至各自的光刻设备。15.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射系统包括多个辐射更改装置，且其中所述多个辐射更改装置中的每一个被布置成使得由所述辐射更改装置中的每一个接收的输入辐射束为从所述分束设备输出的所述分支辐射束中的一个。16.一种辐射系统，包括：辐射源，配置成发射EUV辐射；和辐射更改装置，包括管，所述管具有被布置成接收EUV辐射束的第一开口和被布置成输出所述EUV辐射束的第二开口，其中进入所述辐射更改装置的所述EUV辐射束包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分；其中所述管由对于EUV辐射基本上是反射性的内表面限定，且其中所述内表面被布置成使通过所述第一开口进入所述管的所述EUV辐射束在所述内表面处经历多次连续反射，由此修改所述EUV辐射束，之后所述EUV辐射束通过所述第二开口射出所述管。17.根据权利要求16的辐射系统，其中所述管包括弯曲部。18.根据权利要求17的辐射系统，其中所述管中的所述弯曲部的弯曲角度小于约5度。19.根据权利要求17或18的辐射系统，其中所述管中的所述弯曲部配置成使得不存在通过所述辐射更改装置的直接视线。20.根据权利要求16至19中任一项所述的辐射系统，其中所述管的所述内表面的横截面形状为一多边形。21.根据权利要求20的辐射系统，其中所述管的所述内表面的所述横截面形状为矩形。22.根据权利要求21的辐射系统，其中所述管的所述内表面的所述横截面形状为正方形。23.根据权利要求20的辐射系统，其中所述管的所述内表面的所述横截面形状为六边形。24.根据权利要求16至23中任一项所述的辐射系统，其中所述管包括第一区段和被布置成从所述第一区段接收EUV辐射的第二区段，其中所述第一区段和所述第二区段被布置成在所述第一区段与所述第二区段之间形成一间隙，气体能够通过所述间隙进入或离开所述管。25.根据权利要求24的辐射系统，其中所述第一区段和所述第二区段被布置成使得通过所述第一开口进入所述管的EUV辐射并不通过所述间隙射出所述管。26.根据权利要求24或25的辐射系统，还包括气体供应装置，所述气体供应装置配置成通过所述间隙将气体注入至所述管中。27.根据权利要求26的辐射系统，其中所述气体供应装置配置成通过所述间隙将氢气注入至所述管中。28.根据权利要求16至27中任一项所述的辐射系统，还包括致动器，所述致动器能够操作以致动所述管以便使所述管经历振荡运动。29.根据权利要求28的辐射系统，其中所述致动器能够操作以致动所述管以便使所述管经历振荡运动，所述振荡运动具有大于约1kHz的频率。30.根据权利要求16至29中任一项的辐射系统，还包括一个或更多个光学元件，所述一个或更多个光学元件被布置成接收从所述辐射源发射的EUV辐射，且引导由所述辐射源所发射的所述EUV辐射的至少一部分形成的所述EUV辐射束，以通过所述辐射更改装置的所述第一开口进入所述辐射更改装置。31.根据权利要求30的辐射系统，其中所述一个或更多个光学元件包括至少一个聚焦光学装置，所述至少一个聚焦光学装置配置成更改所述EUV辐射束的发散度，以使得进入所述辐射更改装置的所述EUV辐射束具有非零的发散度。32.根据权利要求31的辐射系统，其中所述辐射更改装置具有在所述第一开口与所述第二开口之间的长度L，所述第二开口具有直径D，且所述至少一个聚焦光学装置配置成更改所述EUV辐射束的所述发散度以使得所述EUV辐射束以一半发散度θ提供至所述辐射更改装置，且其中所述辐射更改装置和所述至少一个聚焦光学装置配置成使得θL/D大于或等于约10。33.根据权利要求31或32所述的辐射系统，其中所述EUV辐射束的一半发散度小于约100毫弧度。34.根据权利要求33所述的辐射系统，其中所述EUV辐射束的一半发散度小于约10毫弧度。35.根据权利要求31至34中任一项所述的辐射系统，其中所述至少一个聚焦光学装置配置成将所述EUV辐射束聚焦至一焦点，以使得所述EUV辐射束是以正发散度提供至所述辐射更改装置。36.根据权利要求35所述的辐射系统，其中所述管限定光轴，所述光轴沿所述管的横截面中心延伸且通过所述第一开口和所述第二开口延伸至所述管中并且延伸出所述管，且其中所述至少一个聚焦光学装置配置成将所述EUV辐射束聚焦至不处于所述光轴上的焦点。37.根据权利要求36所述的辐射系统，其中从所述焦点延伸至所述光轴上的所述光轴通过所述第一开口所在的位置的一直线与所述光轴形成一离轴角，且其中所述离轴角与所述EUV辐射束的一半发散度大致相同或大于所述一半发散度。38.根据权利要求16至37中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成增加所述EUV辐射束的集光率，以使得通过所述辐射更改装置的所述第二开口射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束具有大于进入所述辐射更改装置的所述第一开口的所述EUV辐射束的所述集光率的集光率。39.根据权利要求38所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成增加所述EUV辐射束的所述集光率，以使得通过所述辐射更改装置的所述第二开口射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束具有大于进入所述辐射更改装置的所述第一开口的所述EUV辐射束的所述集光率的至少10倍的集光率。40.根据权利要求39所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成增加所述EUV辐射束的所述集光率，以使得通过所述辐射更改装置的所述第二开口射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束具有大于进入所述辐射更改装置的所述第一开口的所述EUV辐射束的所述集光率的至少1×104倍的集光率。41.根据权利要求16至40中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成提供形成所述EUV辐射束的射线从位于所述辐射更改装置的所述第一开口下游的第一平面至位于所述辐射更改装置的所述第二开口上游的第二平面的映射，其中所述映射用以实质上搅乱所述第一平面与所述第二平面之间的所述射线的横截面位置。42.根据权利要求16至40中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成减小所述EUV辐射束的空间相干性。43.根据权利要求42和31所述的辐射系统，其中所述至少一个聚焦光学装置和所述辐射更改装置配置成使得所述EUV辐射束的不同部分沿通过所述辐射更改装置的具有不同路径长度的光学路径传播，且其中所述EUV辐射束的不同部分传播所沿的不同路径长度的范围大于所述EUV辐射束的相干长度。44.根据权利要求16至43中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成增加所述EUV辐射束的强度轮廓的空间均匀性，以使得通过所述第二开口射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束具有空间强度分布，所述空间强度分布比进入所述辐射更改装置的所述第一开口的所述EUV辐射束的所述空间强度轮廓更均匀。45.根据权利要求16至44中任一项所述的辐射系统，还包括分束设备，所述分束设备配置成接收射出所述辐射更改装置的所述第二开口的所述EUV辐射束且将所述EUV辐射束分成多个分支辐射束。46.根据权利要求45所述的辐射系统，其中所述分束设备包括多个反射琢面，所述多个反射琢面被布置成接收射出所述辐射更改装置的所述第二开口的所述EUV辐射束的横截面的不同部分且在不同方向上反射所述横截面的所述不同部分。47.根据权利要求45或46所述的辐射系统，还包括至少一个聚焦光学装置，所述至少一个聚焦光学装置配置成将射出所述辐射更改装置的所述第二开口的所述辐射束放大至所述分束设备上，所述放大使得入射于所述分束设备上的所述辐射束的所述发散度小于从所述辐射更改装置的所述第二开口输出的所述辐射束的所述发散度。48.根据权利要求16至47中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射源包括能够操作以发射EUV辐射的至少一个自由电子激光器。49.根据权利要求16至48中任一项所述的辐射系统，其中所述辐射源包括第一自由电子激光器、第二自由电子激光器和束组合设备，所述束组合设备配置成将从所述第一自由电子激光器发射的EUV辐射与从所述第二自由电子激光器发射的辐射组合以形成组合的辐射束，所述组合的辐射束具有横截面，所述横截面包括由从所述第一自由电子激光器发射的辐射形成的第一部分和由从所述第二自由电子激光器发射的辐射形成的第二部分。50.根据权利要求49所述的辐射系统，其中所述辐射更改装置配置成接收所述组合的辐射束且在空间上搅乱所述组合的辐射束以形成搅乱的组合的辐射束，所述空间搅乱使得所述空间上搅乱的组合的辐射束包括从所述第一自由电子激光器发射的辐射与从所述第二自由电子激光器发射的辐射之间的交叠部分。51.根据权利要求50所述的辐射系统，其中所述空间搅乱使得由所述第一自由电子激光器和所述第二自由电子激光器中的一个或多个发射的辐射的功率的变化不会引起射出所述辐射更改装置的所述搅乱的组合的辐射束的功率的空间分布的实质变化。52.根据权利要求16至45中任一项所述的辐射系统，还包括分束设备，所述分束设备配置成接收主辐射束，其中所述主辐射束包括从所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分，且其中所述分束设备包括多个反射琢面，所述多个反射琢面被布置成接收所述主辐射束的所述横截面的不同部分且在不同方向上反射所述横截面的所述不同部分以便形成多个分支辐射束，其中所述辐射更改装置被布置成接收通过所述辐射更改装置的所述第一开口的所述分支辐射束中的一个。53.根据权利要求52所述的辐射系统，其中所述反射琢面被布置成接收所述主辐射束的所述横截面的不同分区，且在不同方向上反射所述不同分区以便将所述主辐射束分成所述多个分支辐射束。54.根据权利要求16至45或52或53中任一项所述的辐射系统，还包括至少一个聚焦光学装置，所述至少一个聚焦光学装置配置成将射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束聚焦至中间焦点。55.根据权利要求54所述的辐射系统，其中所述至少一个聚焦光学装置配置成聚焦所述EUV辐射束，以便在设置于所述中间焦点下游的远场平面上形成所述辐射更改装置的所述第二开口的图像。56.根据权利要求55所述的辐射系统，其中所述至少一个聚焦光学装置包括：第一聚焦光学装置，配置成在像平面处形成所述辐射更改装置的所述第二开口的图像；和第二聚焦光学装置，配置成在所述远场平面上形成所述像平面的图像。57.根据权利要求56所述的辐射系统，其中所述第一聚焦光学装置具有正光焦度。58.根据权利要求56或57所述的辐射系统，其中所述第二聚焦光学装置具有正光焦度。59.根据权利要求54至58中任一项所述的辐射系统，其中所述第一聚焦光学装置和/或所述第二聚焦光学装置包括第一反射元件和第二反射元件。60.根据权利要求59所述的辐射系统，其中所述第一聚焦光学装置和/或所述第二聚焦光学装置包括沃尔特望远镜。61.根据权利要求60所述的辐射系统，其中所述沃尔特望远镜包括III型沃尔特望远镜。62.一种辐射系统，包括：辐射源，配置成发射EUV辐射；和辐射更改装置，布置成接收包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分的EUV辐射束；其中所述辐射更改装置包括多个反射琢面，所述多个反射琢面每个被布置成接收且反射所述EUV辐射束的一部分以便形成从所述多个反射琢面反射的多个子束，且其中所述多个反射琢面被布置成引导所述子束以形成修改后的EUV辐射束，其中所述辐射更改装置配置成将所述修改后的辐射束提供至至少一个光刻设备。63.根据权利要求62所述的辐射系统，其中所述反射琢面配置成聚焦所述子束。64.根据权利要求63所述的辐射系统，其中所述多个反射琢面被布置成将所述子束聚焦至多个焦点。65.根据权利要求64所述的辐射系统，其中所述多个焦点...

【专利技术属性】
技术研发人员：HK·尼恩惠斯，埃里克·W·博加特，R·L·唐克，B·克鲁兹卡，E·R·鲁普斯特拉，H·博特马，G·C·德弗里斯，O·W·V·弗吉恩斯，J·J·M·巴塞曼斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL