用于确定抗蚀剂变形的方法技术

本发明专利技术公开了一种计算机实施的方法，该方法包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层(1050)在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向垂直、不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性和在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。

A method for determining the deformation of an anticorrosion agent

The invention discloses a computer implemented method, the method includes: the hypothesis does not exist in any direction perpendicular to the first direction deformation, obtain the photoresist layer (1050) in the first direction of the deformation of the at least one characteristic; hypothesis does not exist in the first direction distortion. Next, at least one characteristic to obtain the resist layer deformation in the second direction, the second direction is vertical, different from the first direction; at least one characteristic of the three-dimensional deformation characteristic of the characteristics in the first direction on the deformation and in the second direction the deformation of the resist layer based on.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定抗蚀剂变形的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年3月16日递交的美国申请62/133,782的优先权，并且其通过引用全文并入本专利技术中。
本专利技术涉及光刻设备和过程，且尤其涉及用于确定抗蚀剂层的变形的方法，其中变形由光刻设备或过程所导致。
技术介绍
可以将光刻投影设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，图案形成装置(例如掩模)可以包括或提供对应于IC的单个层的电路图案(“设计布局”)，并且这一电路图案可以通过例如穿过图案形成装置上的电路图案辐射目标部分的方法，被转移到已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将电路图案转移到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的电路图案被一次转移到一个目标部分上，这样的设备通常称作为晶片步进机。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分被逐渐地转移到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有放大系数M(通常＜1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的M倍。关于在此处描述的光刻装置的更多的信息可以例如参见美国专利No.6,046,792，通过参考将其并入本专利技术中。光刻投影设备可以是具有两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个图案形成装置台)的类型。在这种“多台”装置中，可并行地使用附加的台，或可在一个或更多个台上执行预备步骤，同时将一个或更多个其他台用于曝光。例如，在以引用方式并入本专利技术中的US5,969,441中描述双平台光刻投影设备。在将电路图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序，例如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转移的电路图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光、量测(例如，SEM)等，所有的这些工序都是用于最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将设置在衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术，将这些器件互相分开，据此独立的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。如注意到的，微光刻术是集成电路的制造中的核心步骤，其中在衬底上形成的图案限定了IC的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)以及其它器件。随着半导体制造过程不断进步，数十年来，功能元件的尺寸被不断地降低，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量一直遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在当前技术情形下，通过使用光刻投影设备来制造器件的层，所述光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而产生具有远低于100nm的尺寸的独立的功能元件，即所述功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半。印刷具有小于光刻投影设备的经典分辨率极限的尺寸的特征的过程，通常被称为低k1光刻术，其基于分辨率公式CD＝k1×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长(当前在大多数情形中是248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学装置的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，在晶片上复现图案(类似由电路设计者为获得特定的电学功能和性能而设计的形状和尺寸)变得越困难。为了克服这些困难，复杂的精细调节步骤被应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些例如包括但不限于NA和光学相干性设定的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、在设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时称为“光学和过程校正”)或通常被定义成“分辨率增强技术(RET)”的其它方法等。如此处使用的术语投影光学装置应当被广义地解释成包括各种类型的光学系统，例如包括折射式光学装置、反射式光学装置、孔阑和折射反射式光学装置。术语“投影光学装置”还可以统一地或单独地包括根据用于引导、成形或控制辐射投影束的这些设计类型中的任一种进行操作的部件。术语“投影光学装置”可以包括在光刻投影设备中的任何光学部件，而不管光学部件处于光刻投影设备的光路上的哪一位置上。投影光学装置可以包括用于在辐射穿过图案形成装置之前成形、调整和/或投影来自源的辐射的光学部件，和/或用于在辐射穿过图案形成装置之后成形、调整和/或投影辐射的光学部件。投影光学装置通常不包括源和图案形成装置。
技术实现思路
本专利技术公开了一种计算机实施的方法，包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向垂直、不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性和在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。根据一实施例，所述第二方向垂直于所述第一方向。根据一实施例，所述方法还包括假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得在第三方向上的变形的至少一个特性。根据一实施例，获得三维变形的至少一个特性另外地基于在所述第三方向上的变形的所述特性。根据一实施例，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直。根据一实施例，三维变形的所述特性是边缘定位误差的改变。根据一实施例，在所述第一方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第一方向上的位移。根据一实施例，其中所述第二方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第二方向上的位移。根据一实施例，所述抗蚀剂层在衬底上。根据一实施例，所述第一方向垂直于所述衬底。根据一实施例，所述第二方向平行于所述衬底。根据一实施例，所述衬底约束在所述第一方向上以及在所述第二方向上的变形的所述特性中的至少一个。根据一实施例，所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的一部分在所述第一方向上的位移为零。根据一实施例，所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的所述部分在所述第二方向上的位移为零。根据一实施例，获得所述抗蚀剂层在所述第一方向上的变形的至少一个特性包括在所述第一方向上的距离之上整合工程应变。根据一实施例，获得所述抗蚀剂层在所述第二方向上的变形的至少一个特性包括平衡在所述第二方向上的剪切应力与法向应力。根据一实施例，利用正性显影剂使所述抗蚀剂层显影。根据一实施例，利用负性显影剂使所述抗蚀剂层显影。根据一实施例，所述抗蚀剂层的在显影中被溶解的部分的杨氏模量为零。根据一实施例，所述方法还包括基于三维变形的所述特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。根据一实施例，所述抗蚀剂层将在所述器件制造过程或使用所述器件制造设备期间经历一个或更多个物理或化学处理。根据一实施例，所述器件制造过程选自由以下各项组成的组：光刻术、刻蚀、沉积、掺杂、量测，及它们本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机实施的方法，包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性以及在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.16 US 62/133,7821.一种计算机实施的方法，包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性以及在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。2.根据权利要求1所述的方法，还包括假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得在第三方向上的变形的至少一个特性。3.根据权利要求1所述的方法，其中三维变形的所述特性是边缘定位误差的改变。4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第一方向上的位移，和/或其中所述第二方向上的变形的所述特性是所述抗蚀剂层中的部位在所述第二方向上的位移。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂层在衬底上，且所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的一部分在所述第一方向上的位移为零，或其中所述抗蚀剂层的与所述衬底直接接触的所述部分在所述第二方向上的位移为零。6.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述抗蚀剂层在所述第一方向上的变形的至少一个特性包括在所述第一方向上的距离之上整合工程应变。7.根据权利要求1所述的方法，其中获得所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL