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公开了一种测量光刻工艺的参数的方法、以及相关联的计算机程序和设备。该方法包括在衬底上提供多个目标结构，每个目标结构包括在衬底的不同层上的第一结构和第二结构。利用测量辐射来测量每个目标结构以获取目标结构中的目标非对称性的测量，目标非对称性包括...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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