Despite the improvements in FinFET and strained silicon devices, transistors continue to suffer from performance degradation as devices scale down. These performance drops include the charge leakage between the half conducting channel and the substrate. Isolated channel FinFET devices prevent the channel from leaking to the substrate by inserting an insulating layer between the channel (fin) and the substrate. Insulation, physical and electrical isolation of fins and substrates. In order to form isolated FinFET devices, double finned arrays can be grown from the silicon surface between nitride columns, which provide localized insulation between adjacent fins. Then, the lower fin layer can be removed and the upper fin layer is left, so that the nitride column suspended on the silicon surface and the staggered array of the half conducting fin are generated. Then, the gap below the upper fin layer can be filled with oxide to isolate the fin channel array and substrate.
【技术实现步骤摘要】
具有隔离沟道的FINFET器件本申请是申请日为2013年09月26日、申请号为201310459266.8、专利技术名称为“具有隔离沟道的FINFET器件”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容涉及制作集成电路晶体管,并且具体地,涉及低泄漏三维FinFET(鳍式场效应晶体管)器件。
技术介绍
在数字电路中,晶体管是如下开关,该开关理想地:a)在它关断时传递零电流;b)在它导通时供应大电流流动;并且c)在导通与关断状态之间瞬时切换。遗憾的是,晶体管未如在集成电路中构造的那样理想并且甚至在它关断时也往往泄漏电流。经过器件或者从器件泄漏的电流往往耗尽向器件供应功率的电池。多年以来,通过缩减关键尺度以增加切换速度来提高集成电路晶体管性能。然而随着基于硅的晶体管的尺度继续缩减,维持对包括关断状态泄漏的各种电特性的控制变得越来越有挑战性,而从缩减器件尺度获得的性能益处已经变得不显著。因此一般而言有利的是通过备选手段减少晶体管中的漏电流,这些手段包括改变材料和器件几何形状。集成电路通常并入如下FET,在这些FET中,电流响应于向栅极施加的电压流过在源极与漏极之间的半传导沟道。在图1A中示出并且以下更具体描述传统平面(2-D)晶体管结构。为了提供对电流流动的更好控制,已经开发有时称为3D晶体管的FinFET晶体管,诸如图1B中所示FinFET晶体管。FinFET是如下电子切换器件,在该电子切换器件中,传统FET的平面半传导沟道替换为垂直于衬底表面向外延伸的半传导鳍。在这样的器件中,控制鳍中的电流流动的栅极在鳍的三侧周围卷包(wrap)以便从三个表面而不是一个表面影 ...
【技术保护点】
一种在硅衬底上形成的晶体管,所述晶体管包括:凸起源极和漏极区域,定位于成对的隔离沟槽之间;半传导鳍阵列,选择性地电耦合所述源极和所述漏极,而通过衬底绝缘层保持与所述硅衬底隔离;绝缘柱阵列,与所述半传导鳍阵列至少部分交错,所述绝缘柱提供局部化鳍间隔离;以及保形栅极结构,其在所述半传导鳍的三侧周围卷包,所述保形栅极结构包括栅极,所述栅极可操作用于响应于施加的电压控制所述半传导鳍内的电流流动。
【技术特征摘要】
2012.11.30 US 13/691,0701.一种在硅衬底上形成的晶体管,所述晶体管包括:凸起源极和漏极区域,定位于成对的隔离沟槽之间;半传导鳍阵列,选择性地电耦合所述源极和所述漏极,而通过衬底绝缘层保持与所述硅衬底隔离;绝缘柱阵列,与所述半传导鳍阵列至少部分交错,所述绝缘柱提供局部化鳍间隔离;以及保形栅极结构,其在所述半传导鳍的三侧周围卷包,所述保形栅极结构包括栅极,所述栅极可操作用于响应于施加的电压控制所述半传导鳍内的电流流动。2.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述绝缘柱由氮化硅制成。3.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述凸起源极和漏极区域是外延生长的。4.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述半传导鳍是外延生长的。5.根据权利要求4所述的晶体管,其中外延生长的所述半传导鳍包括硅、锗、锗化硅、碳化硅或者碳化硅锗中的一个或多个。6.根据权利要求1所述的晶体管,还包括与所述栅极接触的侧壁间隔物。7.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述保形栅极结构还包括栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:N·劳贝特,P·卡雷,
申请(专利权)人:意法半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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