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尽管有FinFET和应变硅器件的改进，晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离鳍...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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