The invention relates to an insulating package structure of a manufacturing process, the process comprises the following steps: step one, take a lead frame, a lead frame chip containing Taiwan and pin; step two, in the lead frame step one stage coated adhesive material or solder, then implanted or solder bonding material chip; step three, between the chip and pin for positive positive bonding wire; step four, provide a heat sink; step five, on the heat sink surface ABF film paste; step six, the lead frame and ABF film together, and heat curing operations; step seven, the use of plastic the material of plastic semi-finished work; step eight, step seven will complete the plastic cutting or punching operation, so that the original package body array type cutting or punching separate. The invention relates to a manufacturing process of an internal insulating packaging structure, which can solve the problem of high insulation price of traditional ceramic sheets and the limit of the uncontrolled insulation.
【技术实现步骤摘要】
一种内绝缘封装结构的制造工艺
本专利技术涉及一种内绝缘封装结构的制造工艺,属于半导体封装
技术介绍
由于大功率MOS管发热量较大,而散热效果的优劣可以直接影响MOS管及设备的稳定性,因此通常会在大功率MOS管背面贴装散热器以提高大功率三极管的散热效率。然而,为保证其应用于高压环境中的大功率MOS管的绝缘性能,需要在制造的过程中采用绝缘措施将引线框架与散热器隔开。最常见的方法是把陶瓷片贴装于引线框架与散热器之间。这种绝缘措施有以下缺点:1、陶瓷片的绝缘的绝缘性市场上优劣不等,需要繁琐的检验流程确定其绝缘性;2、陶瓷片装片时如发生斜管将直接导致,芯片离载片台的距离不等,绝缘效果也不等;3、陶瓷片的制作流程繁琐,市场价格昂贵。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种内绝缘封装结构的制造工艺,它能够解决传统陶瓷片绝缘价格昂贵的问题和绝缘性不可控的限制。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为:一种内绝缘封装结构的制造工艺,所述工艺包括如下步骤:步骤一、取一引线框架,引线框架包含载片台和引脚;步骤二、在步骤一引线框架的载片台上涂覆粘结物质或焊料,然后在粘结物质或焊料上植入芯片;步骤三、在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业;步骤四、提供一散热片,散热片背面设有锁胶台阶;步骤五、在散热片上表面贴上ABF膜;步骤六、将步骤三完成键合金属线作业的引线框架与ABF膜贴合在一起,使载片台下表面与散热片上表面的ABF膜贴合在一起,并进行热固化作业;步骤七、利用塑封料进行塑封作业;步骤八、将步骤七完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业,使原本 ...
【技术保护点】
一种内绝缘封装结构的制造工艺,其特征在于所述工艺包括如下步骤:步骤一、取一引线框架,引线框架包含载片台和引脚;步骤二、在步骤一引线框架的载片台上涂覆粘结物质或焊料,然后在粘结物质或焊料上植入芯片;步骤三、在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业;步骤四、提供一散热片,散热片背面设有锁胶台阶;步骤五、在散热片上表面贴上ABF膜;步骤六、将步骤三完成键合金属线作业的引线框架与ABF膜贴合在一起,使载片台下表面与散热片上表面的ABF膜贴合在一起,并进行热固化作业;步骤七、利用塑封料进行塑封作业;步骤八、将步骤七完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业,使原本阵列式的塑封体切割或是冲切独立开来,制得一种内绝缘封装结构。
【技术特征摘要】
1.一种内绝缘封装结构的制造工艺,其特征在于所述工艺包括如下步骤:步骤一、取一引线框架,引线框架包含载片台和引脚;步骤二、在步骤一引线框架的载片台上涂覆粘结物质或焊料,然后在粘结物质或焊料上植入芯片;步骤三、在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业;步骤四、提供一散热片,散热片背面设有锁胶台阶;步骤五、在散热片上表面贴上ABF膜;步骤六、将步骤三完成键合金属线作业的引线框架与ABF膜贴合在一起,使载片台下表面与散热片上表面的ABF膜贴合在一起,并进行热固化作业;步骤七、利用塑封料进行塑封作业;步骤八、将步骤七...
【专利技术属性】
技术研发人员:王亚琴,刘恺,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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