用于半导体处理的处理系统技术方案

公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配置成旋转基板。传送腔室配置成在处理腔室与传送腔室之间传送基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于在装置上处理基板的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及用于半导体处理中的膜均匀性的方法和设备。更具体地，本公开涉及具有耦接在两个传送腔室之间以增加半导体处理中的膜均匀性的旋转模块的处理系统。
技术介绍
半导体器件性能是由多种因素确定的。一个重要因素是沉积在基板上的膜的均匀性。期望均匀地沉积膜以使得跨基板的表面最小化厚度变化。例如，可期望形成跨基板的表面小于约5％的厚度变化的膜。然而，膜均匀性可能不利地受若干因素影响，所述因素包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流不均匀性和等离子体不均匀性等等。这些因素可能导致非均匀膜在基板的表面上的沉积，这可能最终降低器件性能。在处理期间旋转基板提供改进的均匀性。然而，在处理期间旋转基板要求昂贵的设备，诸如滑环和旋转接头。因此，存在对在半导体处理中的膜均匀性的改进的装置和方法的需要。
技术实现思路
在一个实施例中，本文公开了一种半导体处理系统。此处理系统包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。所述处理腔室耦接至两个传送腔室中的一个传送腔室。所述旋转模块定位在传送腔室之间。所述旋转模块配置成旋转基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于处理基板的方法。所述方法包括在处理腔室中的基板上沉积膜的第一部分。所述方法包括将基板传送至旋转模块。旋转基板预定的量。将基板往回传送到处理腔室中。在基板上沉积膜的第二部分。在另一实施例中，本文公开了一种半导体处理系统。此处理系统包括传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至两个传送腔室。旋转模块耦接至传送腔室。旋转模块配置成当基板的一部分保持在传送腔室中时旋转所述基板。附图说明因此，为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可参考实施例得出以上简要概述的本公开的更具体的描述，在附图中示出实施例中的一些。然而应注意的是，所附附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不被视为本公开的范围的限制，因为本公开可允许其他等效实施例。图1示出根据一个实施例的包括至少一个旋转模块的处理系统的俯视图。图2示出根据一个实施例的图1的旋转模块的侧视图。图3示出根据一个实施例的图1的处理系统的旋转模块部分的另一实施例的侧视图。图4示出根据一个实施例的处理基板的方法。图5A至图5C示出根据一个实施例的图1的旋转模块的侧视图，这些图描绘基板如何被放置在基板支撑组件上。图6示出根据一个实施例的具有旋转模块的处理系统的俯视图。图7示出根据一个实施例的具有旋转模块的处理系统的俯视图。为清楚起见，在适用的情况下，已使用相同的附图标记指定各图之间共同的相同元件。另外，一个实施例的元件可有利地适于在本文所述的其他实施例中利用。具体实施方式图1示出用于处理基板(未示出)的处理系统100的示意图。处理系统100包括两个传送腔室104a和104b、旋转模块106和一个或多个处理腔室108。处理系统100也可包括负载锁定腔室110、工厂接口112和控制器113。工厂接口112配置成从处理系统100装载和卸载基板。工厂接口112可包括适于装载将处理的基板以及存储已处理的基板的各种机器人和装载端口。负载锁定腔室110将传送腔室104a耦接至工厂接口112。负载锁定腔室110选择性地与传送腔室104a流体地连通，以使得基板可在工厂接口112的大气环境与负载锁定腔室110之间被传送。传送腔室104a包括机器人114a。机器人114a配置成传送基板进出腔室106、108。传送腔室104b包括机器人114b。机器人114b配置成传送基板进出腔室106、108。处理腔室108耦接至传送腔室104a、104b。在一个实施例中，处理腔室108可以是沉积腔室或处置腔室。适当的沉积腔室的示例包括但不限于：化学气相沉积(CVD)腔室、旋涂腔室、可流动CVD腔室、物理气相沉积(PVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、外延沉积腔室等等。处置腔室的示例包括但不限于：热处置腔室、退火腔室、快速热退火腔室、激光处置腔室、电子束处置腔室、紫外线(UV)处置腔室、离子束注入腔室、离子浸没注入腔室等等。还构想到，处理腔室108中的一个或多个可以是另一类型的真空处理腔室。旋转模块106耦接至传送腔室104a、104b。旋转模块106将传送腔室104a与传送腔室104b分离。旋转模块106允许传送腔室104a、104b之间的流体连通，以使得从腔室104a传送至104b的基板经过旋转模块106。旋转模块106配置成旋转基板。在图2中更详细地讨论旋转模块106。继续参看图1，处理腔室108、旋转模块106、传送腔室104a和104b，以及负载锁定腔室110被连接以形成真空密闭平台116。一个或多个泵送系统118耦接至负载锁定腔室110、传送腔室104a和104b、旋转模块106，以及处理腔室108。在图1中，示出耦接至负载锁定腔室110的单个泵送系统118以避免图示杂乱。泵系统118控制处理系统100内的压力。泵系统118可用于根据需要抽空并排空负载锁定腔室110，以便促进基板从真空密闭平台116的进入和移除。处理系统100由通信电缆120耦接至控制器113。控制器113可操作以控制在处理系统100内对基板的处理。控制器113包括可编程中央处理单元(CPU)122，所述可编程CPU122可与存储器124和大容量存储装置、输入控制单元和显示器单元(未示出)(诸如电源、时钟、高速缓冲存储器、输入/输出(I/O)电路等等)一起操作，并且耦接至处理系统100的各个部件以便促进对处理基板的工艺的控制。控制器113也可包括用于通过处理系统100中的传感器(未示出)来监测对基板的处理的硬件。为了促进处理系统100的控制和处理基板，CPU122可以是用于控制基板工艺的任何形式的通用计算机处理器之一。存储器124耦接至CPU122并且存储器124是非暂态的，所述存储器124可以是容易获得的存储器中的一种或多种，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘驱动器、硬盘，或任何其他形式的数字存储设备(无论是在本地的还是在远程的)。支持电路126耦接至CPU122以便以常规方式支持CPU122。用于处理基板的工艺通常被存储在存储器124中。用于处理基板的工艺也可由第二CPU(未示出)储存和/或执行，所述第二CPU远离由CPU122控制的硬件。存储器124是含有指令的计算机可读存储介质的形式，当所述指令由CPU122执行时促进在处理系统100中处理基板的操作。存储器124中的指令是程序产品(诸如实施处理基板的操作的程序)的形式。程序代码可符合数个不同编程语言的任何一种。在一个实例中，本公开可实施为存储在与计算机系统一起使用的计算机可读存储介质中的程序产品。程序产品的(多个)程序定义实施例的功能。说明性计算机可读存储介质包括，但不限于：(i)信息被永久地存储在其上的非可写存储介质(例如，计算机内的只读存储器装置，诸如由CD-ROM读取的CD-ROM盘，闪存、ROM芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)；以及(ii)可改变的信息存储在其上的写入存储介质(例如，磁盘驱动器内的软盘或硬盘驱动器或任何类型的固态随机存取半导体存储器)。此类计算机可读存储介质当携带引导本文所述方法的功能的计算机可读指令时是本公开的实施例。图2示出旋转模块106的一个实施例。旋转模块106包括腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理的处理系统，所述处理系统包含：两个传送腔室；处理腔室，耦接至所述两个传送腔室中的一个传送腔室；旋转模块，定位在所述传送腔室之间，所述旋转模块配置成旋转基板。

【技术特征摘要】
2015.04.23 US 62/151,7991.一种用于半导体处理的处理系统，所述处理系统包含：两个传送腔室；处理腔室，耦接至所述两个传送腔室中的一个传送腔室；旋转模块，定位在所述传送腔室之间，所述旋转模块配置成旋转基板。2.一种用于半导体处理的处理系统，所述处理系统包含：传送腔室；处理腔室，耦接至所述传送腔室；旋转模块，耦接至所述传送腔室，所述旋转模块被配置当基板的一部分保持在所述传送腔室中时旋转所述基板。3.如权利要求1或2所述的用于半导体处理的处理系统，其中所述旋转模块包含：腔室主体，限定内部体积；基板支撑组件，设置在所述内部体积中；旋转致动器，耦接至所述基板支撑组件，所述旋转致动器配置成旋转所述基板支撑组件。4.如权利要求3所述的用于半导体处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·A·恩古耶，A·K·班塞尔，J·C·罗查阿尔瓦瑞兹，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US