【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性存储器领域,特别是涉及一种非易失性存储器擦写控制电路。本专利技术还涉及一种非易失性存储器擦写控制方法。
技术介绍
对于非易失性存储器,擦写所需的功耗往往要比读所需的功耗大三到四个数量级,同时擦写所需的时间也比读所需的时间大三到四个数量级。对应同一个非易失性存储器的不同擦写单位块,其所需的擦写时间与擦写功耗也不尽相同,能相差一个数量级以上。并且,随着使用次数的增多,存储器单元电路会老化,从而会要求更长的擦写时间与擦写功耗。由于应用时,有的块的擦写次数会远远大于其它块,所以随着应用时间的增长,各个擦写块之间需要的擦写时间与擦写功耗的差异会越来越大。目前的非易失性存储器擦写控制电路是在电路测试后,用一组对应固定的擦写功耗与擦写时间的参数来进行擦写的。而这组参数必须保证在有效的使用寿命内,对所有的擦写单元都有效,这样虽然操作方便,但在性能上来说并非最优。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种非易失性存储器擦写控制电路,能优化非易失性存储器的擦写时间,减少擦写期间的功耗,提高擦写性能;为此,本专利技术还要提供一种非易失性存储器擦写控制方法。为解决上述技术问题,本专利技术的非易失性存储器擦写控制电路,包括:一主控电路,根据输入的擦写启动信号和待擦写数据,发出写使能信号与待擦写数据;一参数寄存器电路,与所述主控电路相连接,根据主控电路发出的参数选择信号,输出擦写参数;一擦写控制电路,与所述主控电路和参数寄存器电路相连接,根据主控电路发出的擦写存储器使能信号和参数寄存器电路输出的擦写参数,产生并输出擦写存储器控制信号;一数 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器擦写控制电路,其特征在于,包括:一主控电路,根据输入的擦写启动信号和待擦写数据,发出写使能信号与待擦写数据,一参数寄存器电路,与所述主控电路相连接,根据主控电路发出的参数选择信号,输出擦写参数;一擦写控制电路,与所述主控电路和参数寄存器电路相连接,根据主控电路发出的擦写存储器使能信号和参数寄存器电路输出的擦写参数,产生并输出擦写存储器控制信号;一数据缓存区电路,与所述主控电路相连接,根据该主控电路发出的写使能信号,对待擦写数据进行缓存;根据主控电路发出的读使能信号,输出缓存的待擦写数据;一读控制电路,与所述主控电路相连接,根据该主控电路发出的读存储器使能信号,产生并输出读存储器控制信号,以及从存储器中读出的数据;一比较电路,与所述主控电路、数据缓存区电路和读控制电路相连接,根据主控电路发出的使能信号,在该使能信号有效期间对数据缓存区电路输出缓存的待擦写数据,和读控制电路输出的存储器中读出的数据进行比较,并将比较结果传送给主控电路;如果比较结果显示数据一致,则主控模块输出擦写完成信号,表示本次存储器擦写完成。
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器擦写控制电路,其特征在于,包括:一主控电路,根据输入的擦写启动信号和待擦写数据,发出写使能信号与待擦写数据,一参数寄存器电路,与所述主控电路相连接,根据主控电路发出的参数选择信号,输出擦写参数;一擦写控制电路,与所述主控电路和参数寄存器电路相连接,根据主控电路发出的擦写存储器使能信号和参数寄存器电路输出的擦写参数,产生并输出擦写存储器控制信号;一数据缓存区电路,与所述主控电路相连接,根据该主控电路发出的写使能信号,对待擦写数据进行缓存;根据主控电路发出的读使能信号,输出缓存的待擦写数据;一读控制电路,与所述主控电路相连接,根据该主控电路发出的读存储器使能信号,产生并输出读存储器控制信号,以及从存储器中读出的数据;一比较电路,与所述主控电路、数据缓存区电路和读控制电路相连接,根据主控电路发出的使能信号,在该使能信号有效期间对数据缓存区电路输出缓存的待擦写数据,和读控...
【专利技术属性】
技术研发人员:王吉健,
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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