封装外壳及应用该封装外壳的电子元件制造技术

本发明专利技术涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。该封装外壳通过改变电极层之间的墙体厚度，不改变封装外壳尺寸以及陶瓷介质材料，实现了封装外壳电容值增大的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子、半导体及通信领域，具体而言，涉及一种封装外壳及应用该封装外壳的电子元件。
技术介绍
射频、微波技术已广泛应用于通信系统和雷达系统，射频微波设计中的电容和电感直接影响整个电路的性能。通常情况下，控制电容值的方式为通过改变键合线的长度和弧形或者封装外壳的尺寸。其中对于通过改变键合线的方式来改变电容来说，由于封装外壳物理尺寸的限制其电容值改变量是有限的。而通过改变封装外壳尺寸的方式来改变电容，封装外壳尺寸的改变又会引起键合线的长度和弧形变化，从而影响射频微波器件的匹配设计。同时封装外壳尺寸的改变还会引起外壳制造过程中多种模具成本，也会引起额外的封装成本以及射频微波器件装配至外部散热器的应用成本。另外，在实际应用中，射频微波器件的封装外壳往往要求使用一些标准型号的尺寸，故通过键合线的改变来改变电容值有一定局限性，而通过改变封装外壳尺寸来改变电容值，会带来电性能方面的匹配设计以及额外成本问题。此外，某些情况需要采用标准型号尺寸的封装外壳，其尺寸不允许改变。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种在尺寸不改变的前提下增大电容值的封装外壳，以改善上述的问题。本专利技术实施例提供了一种封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。优选地，该第一墙体由陶瓷材料制成，所述陶瓷材料包括三氧化二铝、氮化铝、氧化铍、氮化硼或碳化硅。优选地，该第二墙体由陶瓷材料制成，该第二墙体包括相对设置的上表面和下表面，该金属化电极层形成于该第二墙体的上表面，该第二墙体的下表面与该金属基板接触，该第二墙体上开设贯穿所述上表面和下表面的通孔，围成该通孔的内壁经金属化处理形成导孔使得该金属化电极层与金属基板电连接。优选地，该通孔的数量为若干个，围成该通孔的内壁上镀覆导电金属。优选地，该第二墙体由陶瓷材料制成，其包括至少一侧壁，该侧壁经金属化处理使得该金属化电极层与金属基板电连接。优选地，该侧壁包括内侧壁和与该内侧壁相对的外侧壁，该内侧壁和/或外侧壁上镀覆导电金属。优选地，该第二墙体由与第一墙体的热膨胀系数接近的金属材料制成。优选地，该第二墙体的材料为钨铜、钼铜、可伐合金(Kover)、铜钼铜或铜钨铜。优选地，该第一墙体镂空设置，该金属化电极层镂空设置，该第二墙体镂空设置，该第二墙体镂空的部分、该金属化电极层镂空的部分与该第一墙体镂空的部分共同形成一腔体。优选地，该输入引线金属化电极层和该输出引线金属化电极层间隔设置在该第一墙体上以相互电气隔离。本专利技术实施例提供了一种电子元件，该电子元件包括封装外壳，该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。本专利技术的封装外壳及电子元件通过改变电极层之间的墙体厚度，不改变封装外壳尺寸以及陶瓷介质材料，实现了封装外壳电容
值增大的目的。一方面避免了因为封装外壳尺寸变化带来的电子元件匹配设计变化，另一方面降低了因为封装外壳尺寸变化而带来的额外成本，节约了由于封装外壳尺寸的变化而带来的生产外壳、器件封装、最终应用等各个环节产生的额外成本。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本专利技术第一实施例所提供的封装外壳的结构示意图；图2为图1所示的封装外壳的第一角度下的平面示意图；图3为图1所示的封装外壳的输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层及第一墙体的平面示意图；图4为图1所示的封装外壳的金属化电极层的平面示意图；图5为图1所示的封装外壳的第二角度下的平面示意图；图6为图1所示的封装外壳的第二墙体的平面示意图；图7示出了本专利技术第二实施例所提供的电子元件与外部散热器的配合示意图；图8为图7所示的电子元件的平面示意图；图9示出了本专利技术第三实施例所提供的封装外壳的平面示意图；图10示出了本专利技术第四实施例所提供的封装外壳的平面示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。第一实施例请参阅图1及图2，本专利技术第一实施例提供一种封装外壳100，其包括输入引线1、输出引线2、输入引线金属化电极层21、输出引线金属化电极层22、第一墙体3、金属化电极层4、第二墙体5及金属基板7。其中，该输入引线金属化电极层21设置于输入引线1与第一墙体3之间，该输出引线金属化电极层22设置于输出引线2与第一墙体3之间。该第一墙体3设置在第二墙体5上，该第二墙体5设置在金属基板7上，该金属化电极层4设置在第二墙体5与第一墙体3之间，并通过第二墙体5与金属基板7电连接。具体地，在本实施例中，该输入引线1及输出引线2采用金属材料制成。优选地，对制成所述输入引线1及输出引线2的金属材料的表面进行镀金处理，以减少射频微波信号传输时的损耗。该第一墙体3由陶瓷材料制成，例如三氧化二铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)、氮化硼(BN)或碳化硅(SiC)等陶瓷材料。请结合参阅图1及图3，在本实施例中，该第一墙体3镂空设置成矩形框体。具体地，该第一墙体3的中间位置贯穿其上表面和下表面开设矩形开口。该输入引线金属化电极层21和输出引线金属化电极层22间隔设置在第一墙体3上以相互电气隔离。优选地，该输入引线金属化电极层21和输出引线金属化电极层22通过电镀的方式形成于第一墙体3上，该输入引线1和输出引线2通过焊接的方式分别形成于输入引线金属化电极层21和输出引线金属化电极层22上。该金属基板7可由铜、钼、钨、钨铜、钼铜或铜钼铜等金属材料制成。由于该第一墙体3由陶瓷材料制成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装外壳，其特征在于：该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。

【技术特征摘要】
1.一种封装外壳，其特征在于：该封装外壳包括输入引线、输出引线、输入引线金属化电极层、输出引线金属化电极层、第一墙体、金属化电极层、第二墙体及金属基板，该输入引线金属化电极层设置于该输入引线与该第一墙体之间，该输出引线金属化电极层设置于该输出引线与该第一墙体之间，该第一墙体设置在该第二墙体上，该第二墙体设置在该金属基板上，该金属化电极层设置在该第二墙体与该第一墙体之间，并通过该第二墙体与该金属基板电连接。2.根据权利要求1所述的封装外壳，其特征在于，该第一墙体由陶瓷材料制成，所述陶瓷材料包括三氧化二铝、氮化铝、氧化铍、氮化硼或碳化硅。3.根据权利要求1所述的封装外壳，其特征在于，该第二墙体由陶瓷材料制成，该第二墙体包括相对设置的上表面和下表面，该金属化电极层形成于该第二墙体的上表面，该第二墙体的下表面与该金属基板接触，该第二墙体上开设贯穿所述上表面和下表面的通孔，围成该通孔的内壁经金属化处理使得该金属化电极层与金属基板电连接。4.根据权利要求3所述的封装外壳，其特征在于，该通孔的数量为若干个，围成该通孔的内壁上镀覆导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨琼，杨天应，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32