半导体装置、存储器电路、半导体装置制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置包含第一扩散部分(22)、第二扩散部分(21)、沟道部分(23)、栅极部分(24)和应力施加部分(31、32或33)。在具有凹槽(10A)的半导体层(10)中，第一扩散部分(22)形成在凹槽(10A)的底部处或附近，第二扩散部分(21)形成在凹槽(10A)的上端处，且沟道部分(23)形成在第一扩散部分(22)与第二扩散部分(21)之间。栅极部分(24)在与沟道部分(23)相对的位置处埋入在凹槽(10A)中。应力施加部分(31、32或33)在垂直于半导体层(10)的方向上将压缩应力和拉伸应力中的一者施加到沟道部分(23)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480071921

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一扩散部分，处于具有凹槽的半导体层中，所述第一扩散部分形成在所述凹槽的底部处或附近；第二扩散部分，形成在所述半导体层中的所述凹槽的上端处；沟道部分，形成在所述半导体层中的所述第一扩散部分与所述第二扩散部分之间；栅极部分，在与所述沟道部分相对的位置处埋入在所述凹槽中；第一电极部分，电耦接到所述第一扩散部分，且设置在所述半导体层的后表面侧上；第二电极部分，电耦接到所述第二扩散部分，且设置在所述半导体层的顶表面侧上；第三电极部分，电耦接到所述栅极部分，且设置在所述半导体层的所述顶表面侧上；以及应力施加部分，被配置成在垂直于所述半导体层的方向上将压缩应力和拉伸应力中的一者施加到所述沟道部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.08 JP 2014-0018061.一种半导体装置，包括：第一扩散部分，处于具有凹槽的半导体层中，所述第一扩散部分形成在所述凹槽的底部处或附近；第二扩散部分，形成在所述半导体层中的所述凹槽的上端处；沟道部分，形成在所述半导体层中的所述第一扩散部分与所述第二扩散部分之间；栅极部分，在与所述沟道部分相对的位置处埋入在所述凹槽中；第一电极部分，电耦接到所述第一扩散部分，且设置在所述半导体层的后表面侧上；第二电极部分，电耦接到所述第二扩散部分，且设置在所述半导体层的顶表面侧上；第三电极部分，电耦接到所述栅极部分，且设置在所述半导体层的所述顶表面侧上；以及应力施加部分，被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山孝司，梅林拓，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP