本发明专利技术提供不使用稀土元素而具有充分的特性的氧化锌系变阻器以及使用其的多层基板。所述变阻器用烧结体以氧化锌为主成分，包含以铋(Bi)换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴(Co)换算a为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬(Cr)换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰(Mn)换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑(Sb)、稀土元素和锡(Sn)的含量为杂质水平以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及氧化锋系变阻器用烧结体和使用氧化锋系变阻器用烧结体的多层基 板、W及氧化锋系变阻器用烧结体的制造方法和使用氧化锋系变阻器用烧结体的多层基板 的制造方法。
技术介绍
电脑和便携电话等电子设备中，为了保护其中包含的电子电路或元件不受因静电 和噪声等产生的异常高电压影响而组装有变阻器元件。 变阻器元件使用在施加的电压低时显示大的电阻值而只流过很小的电流，但是若 施加的电压变大则电阻显著降低而流过大量电流的非直线性电阻的变阻器(变阻器材料）。 从在运样的变阻器中也容易得到所期望的特性出发，多使用W氧化锋为主成分并添加了氧 化锋W外的氧化物等的氧化锋系变阻器(氧化锋系变阻器材料）。 通过在电子电路中组装使用了氧化锋系变阻器材料、特别是使用了将同种材料进 行烧结而得到的氧化锋系变阻器用烧结体的变阻器元件，即使在电子电路的一部分流过起 因于静电或噪声等造成的高电压的电流，也能抑制在电子电路的所期望的部分和所期望的 元件流过运样的大电流。 然而，另一方面，变阻器元件的占有空间成为阻碍运些电子设备的小型化的要因。 为了解决该问题，在例如专利文献1中公开了将变阻器元件等ESD(静电放电)保护 器件WLTCC(低溫同时烧成陶瓷）的形式在多层基板内与电极一体地形成。 在与LTCC接触使用的电极中，期望使用电阻低的银(Ag)。然而，银若加热到例如 IOOCTC W上那样的高溫则由于氧化等而作为电极的性能会降低。[000引因此，在专利文献2~6中公开了在850°C~950°C左右的范围的溫度下对在表面形 成有由银而成的电极材料的、包含变阻器材料的混合原料片(生片)等的层叠体进行烧成而 形成包含变阻器元件化SD保护器件）的多层基板的方法。现有技术文献 专利文献 专利文献1 :W02009/136535号公报 专利文献2:日本特开2010-238882号公报 专利文献3:日本特开2007-5499号公报 专利文献4:日本特开平9-312203号公报 专利文献5:日本特开2012-114443号公报 专利文献6:日本特开2005-97070号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 运些W往的变阻器材料(变阻器用烧结体)大多通过使用例如錬（Sb)、和锭(Y)或 错(Pr)之类的稀±元素作为添加剂，得到非直线性电阻那样的规定的变阻器特性。然而，錬 (Sb)是具有毒性的元素。另外，稀±元素的产地受到限制，担屯、长期稳定的供给，另外价格 高其变动也大。因此，要求不使用錬(Sb)和稀±元素而具有充分的特性的氧化锋系变阻器 用烧结体W及使用其的多层基板。 另外，对于制造方法也有W下的要求。 如上述，已知将烧成溫度设为850°C~950°C左右而在低于1000°C的烧成溫度下进 行烧成得到变阻器用烧结体（W下，有时仅称为"烧结体"）。然而，运些W往的方法在85(TC ~95(TC左右的溫度范围内进行烧成之前，为了使烧成后的烧结体内的组成均匀，需要事先 进行用于使原料的相互的成分扩散的热处理。该热处理是例如在将用于形成具有所期望的 组成的变阻器用烧结体的氧化物等原料中的巧巾W上混合之后，加热到30(TC W上。 并且，使用进行该混合和热处理的原料、和按照需要添加的其它种类的原料，在 850°C~950°C左右的溫度范围内进行烧成而得到烧结体。 包括热处理和烧成运两次加热工序不仅使工序变得复杂，而且还导致消耗的能量 增大，因此有省略热处理工序的要求。 本专利技术的目的在于，提供不使用錬(Sb)和稀±元素而具有充分的特性的氧化锋系 变阻器用烧结体W及使用其的多层基板。 另外，本专利技术的目的在于，提供不使用錬(Sb)或稀±元素，通过W烧成时容易扩散 的成分为主体，不事先进行热处理，通过在低于l〇〇〇°C的溫度下进行烧成而能够具有充分 的特性的、氧化锋系变阻器的制造方法和包含氧化物系变阻器的多层基板的制造方法。 用于解决课题的方法 本专利技术的方式1为一种变阻器用烧结体，其特征在于，W氧化锋为主成分，包含W 祕（Bi)换算为0.6~3. Omol %的氧化祕、W钻（Co)换算为0.2~1.4mol %的氧化钻、W铭 (Cr)换算为0.1~1.5mol%的氧化铭和W儘(Mn)换算为0.1~1.5mol%的氧化儘，錬(Sb)、 稀±元素和锡(Sn)的含量为杂质水平W下。 本专利技术的方式2为方案1所述的变阻器用烧结体，其特征在于，包含W祕(Bi)换算 为0.6~3.Omol%的氧化祕、W钻(Co)换算为0.2~1.4mol%的氧化钻、W铭(Cr)换算为0.1 ~1.5mol %的氧化铭和W儘(Mn)换算为0.1~1.5mol %的氧化儘，余量为氧化锋和不可避 免的杂质。 本专利技术的方式3为方案1或2所述的变阻器用烧结体，其特征在于，还包含选自W筑 (Sc)换算为0.1~2.Omol%的氧化筑、W领(Ba)换算为0.1~2. Omol%的氧化领和W棚(B) 换算为0.1~4. Omo 1 %的氧化棚中的至少1种。 本专利技术的方式4为方案3所述的变阻器用烧结体，其特征在于，还包含选自W筑 (Sc)换算为0.1~2.Omol%的氧化筑、W领(Ba)换算为0.1~2. Omol%的氧化领和W棚(B) 换算为0.1~2.Omol%的氧化棚中的至少1种。 本专利技术的方式5为方案1~4中任一项所述的变阻器用烧结体，其特征在于，包含W 祕（Bi)换算为0.6~2 . Omol %的氧化祕、W钻（Co)换算为0.2~1. Omol %的氧化钻、W铭 (Cr)换算为0.1~1. Omol %的氧化铭和W儘(Mn)换算为0.1~1. Omol %的氧化儘。 本专利技术的方式6为一种多层基板，其特征在于，依次具备第1绝缘层、作为方案1~5 中任一项所述的变阻器用烧结体的变阻器层、和第2绝缘层，所述多层基板具有在所述变阻 器层的一个主面配置的第I内部电极、在所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯 通所述第1绝缘层的第1贯通电极和贯通所述第2绝缘层的第2贯通电极，所述第1贯通电极 与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通电极与所述第2内部电极电连接。 本专利技术的方式7为一种多层基板，其特征在于，具有依次层叠的第1绝缘层、第2绝 缘层、和第3绝缘层，所述第2绝缘层在其内部具备作为方案1~5中任一项所述的变阻器用 烧结体的变阻器层，所述多层基板具有在所述变阻器层的一个主面配置的第1内部电极、在 所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯通所述第1绝缘层的第1贯通电极和贯通 所述第2绝缘层的第2贯通电极，所述第1贯通电极与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通 电极与所述第2内部电极电连接。 本专利技术的方式8为一种多层基板，其特征在于，依次具备第1绝缘层、作为方案1~5 中任一项所述的变阻器用烧结体的变阻器层、和第2绝缘层，所述多层基板具有在所述变阻 器层的一个主面配置的第1内部电极、在所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯 通所述第1绝缘层、所述变阻器层和所述第2绝缘层的第1和第2贯通电极，所述第1贯通电极 与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通电极与所述第2内部电极电连接。 本专利技术的方式9为一种变阻器用烧结体的制造方法，其特征在于，包括：1)将至少 氧化锋、氧化祕、氧化本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种变阻器用烧结体，其特征在于，以氧化锌为主成分，包含以铋Bi换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴Co换算为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬Cr换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰Mn换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑Sb、稀土元素和锡Sn的含量为杂质水平以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈本直之，伊藤博之，木田年纪，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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