【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置,包括一真空沉积腔(1)以及设于真空沉积腔(1)内的气相沉积器(2),所述气相沉积器(2)包括一坩锅(21)、盖设于坩锅(21)上敞口的多孔透气膜(22)以及设于坩锅(21)底部的进料分配器(23);其特征在于:所述气相沉积器(2)还包括一致密外壳(24),该致密外壳(24)套于所述坩锅(21)外,坩锅(21)和致密外壳(24)间留有空间;所述致密外壳(24)的底部设有出气通道(241),所述玻璃基板(3)设于致密外壳(24)的下方与出气通道(241)相对;所述坩锅(21)内腔经多孔透气膜(22)与坩锅(21)和致密外壳(24)之间的空间相通,所述坩锅(21)内受热升华成气相的半导体材料穿过多孔透气膜(22)至坩锅(21)和致密外壳(24)之间的空间,再穿过所述致密外壳(24)底部的出气通道(241)并沉积在所述玻璃基板(3)上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿,夏申江,屠友明,王芸,
申请(专利权)人:中建材光电装备太仓有限公司,中国建材国际工程集团有限公司,蚌埠玻璃工业设计研究院,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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