【技术实现步骤摘要】
芯片叠晶藏线结构
本技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种芯片叠晶藏线结构。
技术介绍
随着科学技术的进步,数码产品朝着微型化及多功能化方向发展。因此,随着市场的需求,半导体封装需要用到叠晶的生产方式,需要在有限的空间里叠放多个相同大小的芯片,这就会存在导线与芯片相接触,出现短路现象,造成品质隐患。因此,现有技术存在缺陷,需要改进。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种芯片叠晶藏线结构,以解决现有技术中半导体封装的叠晶生产方式会造成导线与芯片短路现象,提高了产品品质。本技术的技术方案如下:本技术提供一种芯片叠晶藏线结构,包括:框架、固定于所述框架上的一下层芯片、设于下层芯片上的DAF膜层、固定于所述DAF膜层上的一上层芯片以及第一至第四导线,所述上层芯片通过DAF膜层固定于下层芯片上,所述框架具有第一引脚与第二引脚,所述上层芯片上表面设有第一电极与第二电极,所述下层芯片上表面设有第三电极与第四电极,所述第一导线一端与第一引脚电性连接,另一端与第一电极电性连接,所述第二导线一端与第二引脚电性连接,另一端与第二电极电性连接,所述第三导线一端与第一引脚电性连接,另一端与第三电极电性连接,所述第四导线一端与第二引脚电性连接,另一端与第四电极电性连接,所述第三导线的另一端与第四导线的另一端藏于所述DAF膜层中,以避免与所述上层芯片相接触。所述DAF膜层由DAF胶膜经高温溶化后,再凝固硬化形成的。所述第一至第四导线分别具有不同的弧度。采用上述方案,本技术的芯片叠晶藏线结构,采用DAF膜层将上层芯片固定于下层芯片上,并且将下层芯片的导线藏于DAF膜层 ...
【技术保护点】
一种芯片叠晶藏线结构,其特征在于,包括:框架、固定于所述框架上的一下层芯片、设于下层芯片上的DAF膜层、固定于所述DAF膜层上的一上层芯片以及第一至第四导线,所述上层芯片通过DAF膜层固定于下层芯片上,所述框架具有第一引脚与第二引脚,所述上层芯片上表面设有第一电极与第二电极,所述下层芯片上表面设有第三电极与第四电极,所述第一导线一端与第一引脚电性连接,另一端与第一电极电性连接,所述第二导线一端与第二引脚电性连接,另一端与第二电极电性连接,所述第三导线一端与第一引脚电性连接,另一端与第三电极电性连接,所述第四导线一端与第二引脚电性连接,另一端与第四电极电性连接,所述第三导线的另一端与第四导线的另一端藏于所述DAF膜层中,以避免与所述上层芯片相接触。
【技术特征摘要】
1.一种芯片叠晶藏线结构,其特征在于,包括:框架、固定于所述框架上的一下层芯片、设于下层芯片上的DAF膜层、固定于所述DAF膜层上的一上层芯片以及第一至第四导线,所述上层芯片通过DAF膜层固定于下层芯片上,所述框架具有第一引脚与第二引脚,所述上层芯片上表面设有第一电极与第二电极,所述下层芯片上表面设有第三电极与第四电极,所述第一导线一端与第一引脚电性连接,另一端与第一电极电性连接,所述第二导线一端与第二引脚电性连接,另一端与第...
【专利技术属性】
技术研发人员:林河北,杨东,
申请(专利权)人:深圳市金誉半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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