本发明提供能够一边抑制与升降器的干涉一边向基板的表面均匀地供给气泡的基板处理装置。在处理槽的内部形成朝向上方的处理液的层流，基板(W)浸渍于该处理液中。在处理槽的内部配置有八根气泡供给管(51)，这八根气泡供给管(51)从基板的下方向处...

本发明关于一种基板处理方法及基板处理装置。对基板(W)进行处理的基板处理方法具备切换工序与处理工序。切换工序中，在阴离子界面活性剂与阳离子界面活性剂之间切换添加剂。处理工序中，将蚀刻液供给至基板(W)。处理工序中，将由切换工序选择的添加...

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。本发明提供一种在使喷嘴与喷嘴挡板一体地下降到接触位置时，能够防止喷嘴挡板压碎存在于基板的上表面的异物的基板处理装置及基板处理方法。本发明的基板处理装置，一边以所谓的浮起方式相对于喷嘴相对地搬运基板，...

提供一种基板处理方法以及基板处理装置，用以处理具有第一主表面以及与第一主表面为相反侧的第二主表面的基板。将含有凝胶化剂的凝胶化剂含有液供给至基板的第一主表面(凝胶化剂含有液供给工序)。冷却基板，由此使第一主表面上的凝胶化剂含有液变化成凝...

本发明提供一种抑制对涂布膜产生干燥不均的技术。减压干燥装置(1)包括腔室(10)、多个支撑销(22)以及排气部(30)。腔室(10)收容基板(9)。多个支撑销(22)在腔室(10)内从下方支撑基板(9)。排气部(30)将腔室(10)内的...

基板处理方法具备：工序a)，以隔着空间SP被盖部(240)覆盖的方式将设置了有机膜(100)的基板(W)载置于基板载置部(30)的载置面(30a)上；工序b)，一边将载置有基板(W)的基板载置部(30)的载置面(30a)加热至第一温度，...

本发明提供一种能够抑制三维结构崩坏的技术。基板处理方法包含磷酸处理工序(S13)、粗冲洗处理工序(S15)以及叶片干燥处理工序(S23)。在磷酸处理工序(S13)中，使多个基板浸渍于处理槽内的磷酸。在粗冲洗处理工序(S15)中，在磷酸处...

在使用批次处理部以及叶片处理部的基板处理中有效率地进行基板处理整体。基板处理方法具备下述工序：根据待机片数计算基板结束叶片处理部中的基板处理为止所耗费的时间即所需时间，待机片数是在批次处理部中药液处理后、且在叶片处理部中进行干燥处理前的...

本发明提供一种能效率良好地将衬底加热的热处理装置。在收容半导体晶圆(W)的腔室(6)的上侧，设置具备多个闪光灯(FL)的闪光加热部(5)，且在下侧，设置具备多个VCSEL(垂直谐振器型面发光激光器)(45)的辅助加热部(4)。通过来自V...

本发明涉及一种自组装单分子膜去除液、以及使用其的基板处理方法及基板处理装置。本发明是一种自组装单分子膜去除液，其用于选择性地去除设置在基板表面的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜去除液的汉森溶解度参数位于在汉森溶解度参数空间上由中心值...

本发明的课题为抑制基板从批处理部朝单片处理部移动时的基板的损伤

本发明提供一种对基板进行处理的基板处理装置，其包括：一并处理多张基板的分批式处理部；处理一张基板的单片式处理部；将通过上述分批式处理部完成了处理的多张基板的姿势变换成水平姿势的姿势变换部；从上述分批式处理部向上述姿势变换部搬送基板的第一...

本发明提供基板处理装置、基板处理装置的控制方法，其目的在于提供在对处理槽的内部进行拍摄时即使拍摄了基板保持机构，也能够降低将基板保持机构判断为缺损部的可能性的技术。基板处理方法具备：第一工序，在基板保持机构不保持多个基板的状态下，照相机...

在检查装置(1)中，表示一个制造批次的一部分对象物的多个试检查用图像(431)、以及表示针对对象物应检测出的多个缺陷的确认用图像组(432)被存储在存储部(43)中。在辅助检查部(42)中，通过对表示对象物的图像执行使用了缺陷检测条件的...

本发明涉及一种衬底处理方法及处理液

本发明的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序

本发明提供一种能够抑制三维结构的倒塌的基板处理装置

本发明提供一种基板处理装置，能够防止颗粒的附着。基板处理装置具备：处理槽；腔室，其包围处理槽；溶剂蒸气喷嘴，其设置在腔室内，且配置在比处理槽高的位置；排气泵，其配置在比处理槽的上表面低的位置，从排气口对腔室内进行排气；基板保持部，其具有...

本发明提供一种衬底处理装置

本发明提供一种使厚度变薄的气体供给装置、以及组装有所述气体供给装置的基板处理装置及基板搬送装置。在基板搬送装置的框体的内侧且为所述框体的顶棚部设置有多个气体供给单元(10)。气体供给单元(10)包括缓冲箱(12)、过滤器(20)及整流板...