热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能效率良好地将衬底加热的热处理装置。在收容半导体晶圆(W)的腔室(6)的上侧，设置具备多个闪光灯(FL)的闪光加热部(5)，且在下侧，设置具备多个VCSEL(垂直谐振器型面发光激光器)(45)的辅助加热部(4)。通过来自VCSEL(45)的光照射将半导体晶圆(W)预备加热后，从闪光灯(FL)对半导体晶圆(W)的表面照射闪光，将所述表面瞬间升温。VCSEL(45)与LED相比，也能出射相对高强度的光。因此，如果能从多个VCSEL(45)进行光照射，那么照射到半导体晶圆(W)的光的强度也能提高，能效率良好地将半导体晶圆(W)加热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过对衬底照射光而将所述衬底加热的热处理装置。成为处理对象的衬底包含例如半导体晶圆、液晶显示装置用衬底、平板显示器(flat panel display(fpd))用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底或太阳能电池用衬底等。

技术介绍

1、半导体器件的制造过程中，以极短时间将半导体晶圆加热的闪光灯退火(fla：flash lamp annealing)备受瞩目。闪光灯退火是使用氙闪光灯(以下，简称为“闪光灯”时，意指氙闪光灯)，对半导体晶圆的表面照射闪光，由此仅使半导体晶圆的表面在极短时间(数毫秒以下)升温的热处理技术。

2、氙闪光灯的放射分光分布从紫外区到近红外区，波长比以往的卤素灯短，与硅半导体晶圆的基础吸收带大体一致。因此，从氙闪光灯对半导体晶圆照射闪光时，透过光较少，能使半导体晶圆急速升温。此外也判明，如果是数毫秒以下的极短时间的闪光照射，那么能仅将半导体晶圆的表面附近选择性升温。

3、这种闪光灯退火使用于需要极短时间的加热的处理，例如典型来说，注入到半导体晶圆的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入了杂质的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热处理装置，其特征在于，是通过对衬底照射光而将所述衬底加热的热处理装置，且具备：

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中

3.根据权利要求1所述的热处理装置，其中

4.根据权利要求3所述的热处理装置，其中

5.根据权利要求1所述的热处理装置，其中

6.根据权利要求5所述的热处理装置，其中

7.根据权利要求5所述的热处理装置，其中

【技术特征摘要】

1.一种热处理装置，其特征在于，是通过对衬底照射光而将所述衬底加热的热处理装置，且具备：

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中

3.根据权利要求1所述的热处理装置，其中

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【专利技术属性】
技术研发人员：山田隆泰，繁桝翔伍，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：