自组装单分子膜去除液、以及使用其的基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种自组装单分子膜去除液、以及使用其的基板处理方法及基板处理装置。本发明专利技术是一种自组装单分子膜去除液，其用于选择性地去除设置在基板表面的自组装单分子膜，且所述自组装单分子膜去除液的汉森溶解度参数位于在汉森溶解度参数空间上由中心值(δd<subgt;1</subgt;、δp<subgt;1</subgt;、δh<subgt;1</subgt;)[MPa<supgt;1/2</supgt;]和球半径R<subgt;1</subgt;[MPa<supgt;1/2</supgt;]所规定的所述自组装单分子膜的形成材料的第1汉森球1内，并且，位于在汉森溶解度参数空间上由中心值(δd<subgt;2</subgt;、δp<subgt;2</subgt;、δh<subgt;2</subgt;)[MPa<supgt;1/2</supgt;]和球半径R<subgt;2</subgt;[MPa<supgt;1/2</supgt;]所规定的所述自组装单分子膜的第2汉森球2内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够选择性地去除设置在基板表面的自组装单分子膜的自组装单分子膜去除液、以及使用其的基板处理方法及基板处理装置。

技术介绍

1、在半导体设备的制造中，光刻技术被广泛用作在基板的指定表面区域选择性地形成膜的技术。例如，在形成下层配线后形成绝缘膜，利用光刻和蚀刻，形成具有沟槽和通孔的双金属镶嵌结构，将cu等的导电膜埋设到沟槽和通孔而形成配线。

2、但是，最近半导体设备变得越来越微细化，有时还会出现利用光刻技术时的定位精度不足的情况。因此，业界需求一种在基板表面的指定区域高精度地且选择性地形成膜的方法来代替光刻技术。

3、例如，美国专利第10,867,850号中提出了一种成膜方法，所述成膜方法是在不希望形成膜的基板区域的表面形成自组装单分子膜(self-assembled monolayer，sam)，在未形成sam的基板区域选择性地形成膜。另外，据该专利文献中记载，在选择性地形成膜之后，使用乙酸去除sam。

4、但是，该专利文献中提出的成膜方法存在利用乙酸选择性去除sam不充分的问题。p>

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【技术保护点】

1.一种自组装单分子膜去除液，其用于选择性地去除设置在基板表面的自组装单分子膜，且

2.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜去除液的汉森溶解度参数是位于由所述第1汉森球与所述第2汉森球相交所形成的圆的中心的值、或位于所述第1汉森球与所述第2汉森球的切点的值。

3.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜的形成材料为十八烷基膦酸，

4.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜去除液是选自由1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、四氢呋喃及苄醇所组成的群中的至少1种有机溶剂。

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【技术特征摘要】

1.一种自组装单分子膜去除液，其用于选择性地去除设置在基板表面的自组装单分子膜，且

2.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜去除液的汉森溶解度参数是位于由所述第1汉森球与所述第2汉森球相交所形成的圆的中心的值、或位于所述第1汉森球与所述第2汉森球的切点的值。

3.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜的形成材料为十八烷基膦酸，

4.根据权利要求1所述的自组装单分子膜去除液，其中所述自组装单分子膜去除液是选自由1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、四氢呋喃及苄醇所组成的群中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田幸史，宮本泰治，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：