【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种基板处理方法。
技术介绍
1、以往,提出有将基板的抗蚀剂去除的单片式的基板处理装置。(例如专利文献1)。于专利文献1中,基板处理装置通过将硫酸及过氧化氢溶液的混合液(以下,亦称为spm液)供给至基板,而将抗蚀剂去除。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本专利特开2005-026489号公报
技术实现思路
1、所要解决的问题
2、抗蚀剂中包含硬化层。例如,通过对基板注入杂质的杂质注入工序,而于抗蚀剂形成硬化层及非硬化层。硬化层不仅可形成于抗蚀剂中的露出的表面侧的部分(称为第一硬化层),而且也可形成于基板的主面侧的部分(称为第二硬化层)。因此,也可于抗蚀剂的内部的比非硬化层靠下侧形成第二硬化层的一部分。这种第一硬化层及第二硬化层比非硬化层更不易被去除。相反而言,非硬化层与第一硬化层及第二硬化层相比容易被去除。
3、为了将具有这种第一硬化层、非硬化层及第二硬化层的抗蚀剂去除,始终使用以具有高反应性的浓
...【技术保护点】
1.一种基板处理方法,是将基板的有机层去除的基板处理方法,所述基板的主面形成有具有第一硬化层、非硬化层及第二硬化层的所述有机层,所述基板处理方法具备:
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法,是将基板的有机层去除的基板处理方法,所述基板的主面形成有具有第一硬化层、非硬化层及第二硬化层的所述有机层,所述基板处理方法具备:
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其...
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