基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法以及基板处理装置


[0001]本专利技术涉及使用处理液来处理基板的技术，例如通过处理液来去除基板表面的抗蚀剂膜的基板处理方法以及基板处理装置
。

技术介绍

[0002]以半导体基板
、
玻璃基板等各种基板的表面处理为目的，通过处理液对基板进行处理被广泛地进行
。
例如，在剥离去除形成于半导体基板的表面的抗蚀剂膜的工艺中，使用浓硫酸与过氧化氢水的混合液
(
硫酸过氧化氢水，
Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture
：
SPM)
作为处理液
。
例如，在专利文献1所记载的技术中，将基板保持为水平姿势并使基板以规定速度旋转，并从配置于基板的上方的喷嘴喷出硫酸过氧化氢水
。
[0003]本专利技术的专利技术人发现：通过使由等离子体产生源产生的活性种作用于剥离去除抗蚀剂膜的工艺中的处理液，抗蚀剂膜的剥离效率提高
。
研究结果可以确认，即使在使用硫酸作为处理液来取代浓硫酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种基板处理方法，其中，具有：将基板保持为水平姿势的工序；向所述基板的上表面供给处理液，使所述基板以铅垂轴为中心旋转，从而在所述基板的上表面形成所述处理液的液膜的工序；检测所述液膜的膜厚的工序；以及在所述膜厚的检测结果为规定的目标值的情况下，使等离子体产生源与所述基板的上表面相对地配置，并从所述等离子体产生源对所述液膜进行等离子体照射的工序
。2.
如权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述液膜的形成后，停止所述基板的旋转并进行所述等离子体照射
。3.
如权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述等离子体产生源具有反应器，所述反应器具有所述基板的平面尺寸以上的平面尺寸
。4.
如权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述等离子体产生源具有反应器，所述反应器具有小于所述基板的平面尺寸的平面尺寸，一边使所述基板以所述液膜的形成时的转速以下的转速旋转，一边使所述反应器相对于所述基板扫描移动并进行所述等离子体照射
。5.
如权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述液膜的形成后，停止所述基板的旋转并进行所述膜厚的检测
。6.
如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述膜厚的检测结果与所述目标值不同的情况下，再次执行对所述基板形成所述液膜
。7.
如权利要求6所述的基板处理方法，其中，使所述处理液的供给量
、
所述基板的转速
、
所述基板的旋转持续时间
、
所述基板的旋转加速度中的至少一个与先前形成所述液膜时不同来再次执行所述液膜的形成
。8.
如权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，在形成所述液膜的工序中，将比当所述膜厚为所述目标值时构成所述液膜的液量多的规定量的所述处理液供给至所述基板的上表面，通过旋转将所述处理液的一部分甩出
。9.
如权利要求1至8中任一项所述的基板处理方法，其中，按照所述液膜的形成
、
所述膜厚的检测以及所述等离子体照射的顺序反复执行多次
。10.
如权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理液包括硫酸
。11.
如权利要求
10
所述的基板处理方法，其中，在进行所述等离子体照射的工序中，将含有氧的气体供给至所述等离子体产生源与所述基板的上表面之间
。12.
如权利要求
11
所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田秀一，石津岳明，西出基，小林健司，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：