一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸出于所述衬底的鳍部；在所述衬底上形成覆盖所述鳍部的隔离材料层；对所述隔离材料层执行紫外线照射处理；对所述隔离材料层执行紫外线照射处理之后，对所述隔离材料层执行退火处理。本发明...

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成牺牲层，牺牲层内具有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽的侧壁和第二凹槽的侧壁形成第一侧墙；在牺牲层内形成第三凹槽，第三凹槽位于第一凹槽和第二凹槽之间，且第三凹槽暴露...

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在基底表面和若干初始鳍部侧壁形成第一保护层以及位于第一保护层上的初始隔离结构，初始隔离结构暴露出初始鳍部的顶部表面和初始鳍部侧壁的第一保护层的顶部表面；刻蚀暴露出的第一保护层，直到第一保护层顶部...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部位于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部上；介质层，所述介质层填充于相邻栅极结构之间；在所述基底上形成盖层，所述盖层覆盖所述介质层；以所...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的沟道结构，基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构，伪栅结构沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向；在相邻沟道结构之间的基底上形成隔离墙，隔离墙...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在层间介电层的顶部形成具有掩膜开口的硬掩膜层，掩膜开口沿第一方向和第二方向延伸，第一方向和第二方向相互垂直，且掩膜开口沿第一方向的尺寸小于掩膜开口沿第二方向的尺寸，掩膜开口位于源漏掺杂层的顶部；在掩...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的鳍部、覆盖所述鳍部的伪栅材料层；图形化所述伪栅材料层，形成多个并行的初始伪栅结构，其中，所述初始伪栅结构的底面低于所述鳍部的顶面；对所述初始伪栅结...

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，基底的顶部形成有沟道叠层结构，沟道叠层结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，每一个沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，基底的顶部形成有横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层结构的...

一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和凸立于所述衬底的分立的鳍部；在所述鳍部之间形成填充结构，所述填充结构的顶面与所述鳍部的顶面齐平；在所述填充结构和所述鳍部上形成多个并行的伪栅结构，所述伪栅结构的延伸...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一沟道层以及位于第一沟道层上的第二沟道层，第一沟道层和衬底之间具有第一开口，第二沟道层和第一沟道层之间具有第三开口；位于衬底上的第一隔离层，第一隔离层暴露出第一沟道层侧壁表面；位...

一种电容结构，包括：n个第一金属段；m个第二金属段；至少1个第一通孔，所述第一通孔贯穿第a个第一金属段和第b个第二金属段之间的介质材料，其中a取自大于1且小于或等于n的奇数中的一个或多个，b取自大于1且小于或等于m的奇数中的一个或多个；...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上底部结构，底部结构包括第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区；位于底部结构上的若干垂直堆叠的沟道层，相邻沟道层之间、以及沟道层和第三区之间具有第一开口；位于衬底上的栅极...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一沟道层和第一沟道层上的第二沟道层，所述第一沟道层和衬底之间具有第二开口，所述第一沟道层和第二沟道层之间具有第三开口；位于衬底上的栅极结构，所述栅极结构位于第二开口内和第三开口内...

一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供晶圆；对光刻机进行第一预补偿和第二预补偿；在晶圆上形成初始鳍部结构，所述第一预补偿的补偿值与初始鳍部结构的前次第一刻蚀偏差之和为0；获取初始鳍部结构的第一刻蚀偏差，所述第一刻蚀偏差与第二预补偿的补偿值相...

一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间，若干第一指状极板的数量和若干第二指状极板的数量相差一根；位于衬底上的第二电容器件，第二电容器件包括第三电极层和第四电极层，第一电极层和第三电极层之间具有中轴...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部凸起于所述衬底；在所述基底上形成伪栅结构；在相邻伪栅结构两侧的基底内形成源漏区；形成位于所述源漏区之间的阻挡结构和所述阻挡结构与所述源漏区之间的空...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域的器件驱动电流与第二区域的器件驱动电流存在差异；鳍部，位于衬底上；隔离层，位于鳍部露出的衬底上并覆盖鳍部的部分侧壁；器件栅极结构，分别横跨第一区域和第一区...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；栅极结构；源漏区；第一介质层；刻蚀所述栅极结构，在第一介质层内形成掩膜凹槽；在所述掩膜凹槽内形成盖层，所述盖层顶部与所述第一介质层齐平；以所述盖层为掩膜刻蚀所述第一...

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括基底和位于基底上的器件层；位于器件层内的导电层，所述衬底暴露出所述导电层表面；位于衬底上的互连介质层，所述互连介质层内具有开口，所述开口暴露出导电层顶部表面；位于所述...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底包括：相互邻接的第一区和第二区；所述基底包括：衬底；鳍部；栅极结构；源漏区；刻蚀第一区的基底的栅极结构，以形成第一阻挡结构；刻蚀第二区的基底的栅极结构，以第二阻挡结构，所述...