一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底；鳍部；至少一组包括牺牲层和沟道层的堆叠结构；位于所述鳍部露出的所述衬底上的隔离层，所述牺牲层的材料与所述隔离层的材料相同；在所述隔离层上形成保护层；形成所述保护...

一种版图验证工具的测试方法及装置、设备以及存储介质，其中，所述版图验证工具的测试方法，包括：基于连接关系真值表，获得多组连接性测试版图；对所述多组连接性测试版图进行版图和原理图一致性验证处理，获得验证结果；基于预设的测试规则和所述验证结...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有源漏互连层以及覆盖源漏互连层侧壁和底部的粘附阻挡层；在源漏互连层的顶部形成生长抑制层后，去除部分厚度的第一介质层，暴露所述粘附阻挡层的部分侧壁；去除暴露...

一种静态随机存取存储单元及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一上拉栅极；在所述第一上拉栅极两侧基底内形成第一上拉源漏掺杂层；在所述基底上形成第二上拉栅极，所述第二上拉栅极包括沿第一方向延伸的第三栅极部、以及沿第二...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；电极叠层，位于所述基底上，所述电极叠层包括多个沿纵向依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层；第一电连接结构，贯穿所述电极叠层且与所述第一电极层电连接；第二电连接结构，贯穿所述电极叠层且与所述第二...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有第一牺牲层，第一牺牲层上形成有沟道结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括第二牺牲层和位于第二牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构，其中，第一牺牲...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；电极叠层，位于基底上，电极叠层包括多个沿纵向依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层，相邻第一电极层和第二电极层之间形成有介质层；第一电连接结构，贯穿电极叠层且与第一电极层电连接；第一内侧墙，位于...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有电极叠层，包括多个依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层，相邻第一电极层和第二电极层之间形成有第一介质层；形成贯穿电极叠层的第一通孔；去除第一通孔侧壁暴露的部分宽度的第二电极层，形成第...

一种半导体结构的形成方法，包括：基底上形成有图形材料层，图形材料层上形成有第一核心材料层，基底包括交替排列的晶体管区和间隔区，晶体管区的图形材料层用于形成目标图形；在第一核心材料层上形成分立且平行排列的第一核心层，第一核心层包括覆盖间隔...

一种SRAM单元及其形成方法、以及SRAM器件，SRAM单元包括：第一反相器区、第二反相器区以及传送门区均包括沿第一方向排列的相邻有源区；叠层结构，位于有源区的衬底上，叠层结构包括沿垂直于衬底方向依次堆叠的底部掺杂层、沟道层以及顶部掺杂...

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在部分衬底上形成若干初始复合层，初始复合层包括若干层重叠的初始沟道层和相邻两层初始沟道层之间的第一牺牲层；形成横跨初始复合层的伪栅极，伪栅极位于部分初始复合层顶部和侧壁表面；在伪栅极暴...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；沟道结构，凸于衬底，沟道结构沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，第一方向垂直于第二方向；栅极结构，横跨多个沟道结构并覆盖沟道结构的部分顶部和部分侧壁，栅极结构沿第二方向延伸；源漏掺杂层，位于栅...

一种半导体结构，包括：基底；晶体管，位于基底上；底部电连接层，位于基底上且与晶体管电连接，底部电连接层沿第一方向延伸，与第一方向相垂直的方向为第二方向；电源轨互连层，位于底部电连接层的上方且沿第二方向延伸，电源轨互连层在基底上的投影，与...

一种用于快速对芯片中导线连接下的数字标准单元进行性能功耗测试的电路及版图形成方法。所述测试电路包括：由导线单元网络和被测试单元形成的闭合振荡回路；其中被测试单元包括：主干振荡单元及负载单元；所述负载单元和主干震荡单元为同一种数字标准单元...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在衬底上形成位于有源区的叠层结构以及沿第一方向位于叠层结构之间且覆盖叠层结构顶部的第一介电层，叠层结构包括沿垂直于衬底方向依次堆叠的底部掺杂层、沟道层以及顶部掺杂层，底部掺杂层和顶部掺杂层的掺杂类型...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂层，基底上还形成有覆盖基底和栅极结构的初始介电层，初始介电层包括覆盖栅极结构侧壁的第一介电层、以及高于栅极结构顶部的牺牲介电层；在相邻...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括待掺杂层，所述基底上形成有覆盖部分所述待掺杂层的掩膜层；在所述掩膜层的顶部和侧壁形成保护层；形成所述保护层之后，对所述掩膜层露出的所述待掺杂层进行离子注入，在所述待掺杂层中形成掺杂区...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层；介电层，位于栅极结构顶部；源漏插塞，位于源漏掺杂层顶部，基底、源漏插塞侧壁、栅极结构侧壁、以及介电层侧壁围成沟槽，沟槽包括位于栅极结...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和凸于衬底的沟道结构，还包括位于衬底上的隔离层，沟道结构包括沟道区；在相邻沟道结构之间形成贯穿隔离层、并延伸至衬底中的第一沟槽；在部分高度的第一沟槽中形成埋入式电源轨，剩余第一沟槽...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和隔离区；形成位于所述器件区和隔离区的所述衬底上的鳍部，所述器件区中的所述鳍部为器件鳍部，所述隔离区中的所述鳍部为伪鳍部，且所述伪鳍部的去除工艺对所述伪鳍部与所述衬底之间具有刻...