System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电容器件及其形成方法技术_技高网

电容器件及其形成方法技术

技术编号:40820697 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-01 14:39
一种电容器件及其形成方法,其中结构包括:各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间,若干第一指状极板的数量和若干第二指状极板的数量相差一根;位于衬底上的第二电容器件,第二电容器件包括第三电极层和第四电极层,第一电极层和第三电极层之间具有中轴线,中轴线平行于第一方向,第一电极层和第三电极层以中轴线呈镜像分布,第三电极层包括若干第三指状极板,第四电极层包括若干第四指状极板,若干第三指状极板和若干第四指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布,各第三指状极板位于相邻第四指状极板之间,若干第三指状极板的数量和若干第四指状极板的数量相差一根,满足了逻辑电路中两个电容器件的性能匹配的要求,从而提高了工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,尤其是涉及一种电容器件及其形成方法


技术介绍

1、在半导体集成电路中,与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,mim)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal,mom)电容两种。其中,mim电容使用上下层金属作为电容极板,制作mim电容一般需要新增光刻层次,同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量,而且平板电容一般都需要较大的面积,不利于器件的集成。而mom电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容。此外,在制作mom电容时,无需额外的光刻胶层和掩模,从而制作工艺相对于mim电容也更简单,成本更低。

2、然而,随着器件小型化的发展,mom电容工艺的刻蚀过程中的对准精度会造成电容值的变化,影响集成电路性能的稳定性。因此,现有的mom电容技术有待进一步提高。


技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种电容器件及其形成方法,以改善mom电容性能。

2、为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案提供一种电容器件,包括:衬底;位于衬底上的第一电容器件,第一电容器件包括第一电极层和第二电极层,第一电极层包括若干第一指状极板,第二电极层包括若干第二指状极板,若干第一指状极板和若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布,第一方向与第二方向相互垂直,各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间,若干第一指状极板的数量和若干第二指状极板的数量相差一根;位于衬底上的第二电容器件,第二电容器件包括第三电极层和第四电极层,第一电极层和第三电极层之间具有中轴线,中轴线平行于第一方向,第一电极层和第三电极层以中轴线呈镜像分布,第三电极层包括若干第三指状极板,第四电极层包括若干第四指状极板,若干第三指状极板和若干第四指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布,各第三指状极板位于相邻第四指状极板之间,若干第三指状极板的数量和若干第四指状极板的数量相差一根。

3、可选的,第一电极层还包括第一电极端,各若干第一指状极板的一端延伸至与第一电极端连接;第二电极层还包括第二电极端,各若干第二指状极板的一端延伸至与第二电极端连接。

4、可选的,第一电极层还包括与第一电极端相连的第一引出端;第二电极层还包括与第二电极端相连的第二引出端。

5、可选的,第一引出端连接低压端,第二引出端连接高压端,若干第二指状极板的数量比若干第一指状极板的数量少一根。

6、可选的,第一电容器件包括若干层叠设置的第一金属层,各第一金属层包括第一电极层和第二电极层;第二电容器件包括若干层叠设置的第二金属层,各第二金属层包括第三电极层和第四电极层。

7、可选的,相邻的第一金属层的第一电极层之间相互电连,相邻的第一金属层的第二电极层之间相互电连;相邻的第二金属层的第三电极层之间相互电连,相邻的第二金属层的第三电极层之间相互电连。

8、可选的,所述第一指状极板至相邻的所述第二指状极板具有第一距离,所述第三指状极板至相邻的所述第四指状极板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离相等。

9、相应的,本专利技术的技术方案还提供一种电容器件的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成第一电极层和第三电极层,第一电极层包括若干第一指状极板,第三电极层包括若干第三指状极板,若干第一指状极板和若干第三指状极板均平行于第一方向,且沿第二方向排布,第一方向与第二方向相互垂直,第一电极层和第三电极层之间具有中轴线,中轴线平行于第一方向,第一电极层和第三电极层以中轴线呈镜像分布;在衬底上形成第二电极层和第四电极层,以第一电极层和第三电极层形成第一电容器件,以第三电极层和第四电极层形成第二电容器件,第二电极层包括若干第二指状极板,第四电极层包括若干第四指状极板,各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间,各第三指状极板位于相邻第四指状极板之间,且若干第一指状极板的数量与若干第二指状极板的数量相差一根,若干第三指状极板的数量和若干第四指状极板的数量相差一根。

10、可选的,第一电极层还包括第一电极端,各若干第一指状极板的一端延伸至与第一电极端连接;第二电极层还包括第二电极端,各若干第二指状极板的一端延伸至与第二电极端连接。

11、可选的,第一电极层还包括与第一电极端相连的第一引出端;第二电极层还包括与第二电极端相连的第二引出端。

12、可选的,第一引出端连接低压端,第二引出端连接高压端,若干第二指状极板的数量比若干第一指状极板的数量少一个。

13、可选的,第一电容器件包括若干层叠设置的第一金属层,各第一金属层包括第一电极层和第二电极层;第二电容器件包括若干层叠设置的第二金属层,各第二金属层包括第三电极层和第四电极层。

14、可选的,相邻的第一金属层的第一电极层之间相互电连,相邻的第一金属层的第二电极层之间相互电连;相邻的第二金属层的第三电极层之间相互电连,相邻的第二金属层的第三电极层之间相互电连。

15、可选的,所述第一指状极板至相邻的所述第二指状极板具有第一距离,所述第三指状极板至相邻的所述第四指状极板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离相等。

16、与现有技术相比,本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果:

17、本专利技术技术方案提供的电容器件的形成方法中,各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间,各第三指状极板位于相邻第四指状极板之间,由于若干第一指状极板的数量和若干第二指状极板的数量相差一根,若干第三指状极板的数量和若干第四指状极板的数量相差一根,以若干第一指状极板的数量为n计算,且以各第一指状极板和相邻两个第二指状极板之间的子电容大小分别为c1和c2计算,此时第一电容器件的总电容值cs1大小为cs1=n(c1+c2),同样的,第二电容器件的总电容值cs2大小也为cs2=n(c1+c2),因此,在形成第二电极层和第四电极层时,即使存在对准误差,使第二指状极板的位置偏离第一指状极板中间(第四指状极板的位置偏离第三指状极板中间),即,即使c1和c2的值不相等,也不会因对准误差而导致第一电容器件和第二电容器件的电容差异,满足了逻辑电路中(如差分电路中)两个电容器件的性能匹配的要求,从而提高了工艺窗口。

18、进一步,第一引出端连接低压端,第二引出端连接高压端,使若干第二指状极板的数量比若干第一指状极板的数量少一个,可以减少因高压端的额外的指状极板带来的寄生电容。

19、本专利技术技术方案提供的电容器件中,各第一指状极板位于相邻第二指状极板之间,各第三指状极板位于相邻第四指状极板之间,由于若干第一指状极板的数量和若干第二指状极板的数量相差一根,若干第三指状极板的数量和若干第四指状极板的数量相差一根,以若干第一指状极板的数量为n计算,且以各第一指状极板和相邻两个第二指状极板之间的子电容大小分别为c1和c2计算,此时第一电容器件的总电容值本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一电极层还包括第一电极端,各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接;所述第二电极层还包括第二电极端,各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。

3.如权利要求2所述的电容器件,其特征在于,所述第一电极层还包括与所述第一电极端相连的第一引出端;所述第二电极层还包括与所述第二电极端相连的第二引出端。

4.如权利要求3所述的电容器件,其特征在于,所述第一引出端连接低压端,所述第二引出端连接高压端,所述若干第二指状极板的数量比所述若干第一指状极板的数量少一根。

5.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一电容器件包括若干层叠设置的第一金属层,各所述第一金属层包括所述第一电极层和所述第二电极层;所述第二电容器件包括若干层叠设置的第二金属层,各所述第二金属层包括所述第三电极层和所述第四电极层。

6.如权利要求5所述的电容器件,其特征在于,相邻的第一金属层的所述第一电极层之间相互电连,相邻的第一金属层的所述第二电极层之间相互电连;相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连,相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连。

7.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一指状极板至相邻的所述第二指状极板具有第一距离,所述第三指状极板至相邻的所述第四指状极板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离相等。

8.一种电容器件的形成方法,其特征在于,包括:

9.如权利要求8所述的电容器件的形成方法,其特征在于,所述第一电极层还包括第一电极端,各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接;所述第二电极层还包括第二电极端,各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。

10.如权利要求8所述的电容器件的形成方法,其特征在于,所述第一电极层还包括与所述第一电极端相连的第一引出端;所述第二电极层还包括与所述第二电极端相连的第二引出端。

11.如权利要求10所述的电容器件的形成方法,其特征在于,所述第一引出端连接低压端,所述第二引出端连接高压端,所述若干第二指状极板的数量比所述若干第一指状极板的数量少一个。

12.如权利要求8所述的电容器件的形成方法,其特征在于,所述第一电容器件包括若干层叠设置的第一金属层,各所述第一金属层包括所述第一电极层和所述第二电极层;所述第二电容器件包括若干层叠设置的第二金属层,各所述第二金属层包括所述第三电极层和所述第四电极层。

13.如权利要求12所述的电容器件的形成方法,其特征在于,相邻的第一金属层的所述第一电极层之间相互电连,相邻的第一金属层的所述第二电极层之间相互电连;相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连,相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连。

14.如权利要求8所述的电容器件的形成方法,其特征在于,所述第一指状极板至相邻的所述第二指状极板具有第一距离,所述第三指状极板至相邻的所述第四指状极板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离相等。

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【技术特征摘要】

1.一种电容器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一电极层还包括第一电极端,各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接;所述第二电极层还包括第二电极端,各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。

3.如权利要求2所述的电容器件,其特征在于,所述第一电极层还包括与所述第一电极端相连的第一引出端;所述第二电极层还包括与所述第二电极端相连的第二引出端。

4.如权利要求3所述的电容器件,其特征在于,所述第一引出端连接低压端,所述第二引出端连接高压端,所述若干第二指状极板的数量比所述若干第一指状极板的数量少一根。

5.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一电容器件包括若干层叠设置的第一金属层,各所述第一金属层包括所述第一电极层和所述第二电极层;所述第二电容器件包括若干层叠设置的第二金属层,各所述第二金属层包括所述第三电极层和所述第四电极层。

6.如权利要求5所述的电容器件,其特征在于,相邻的第一金属层的所述第一电极层之间相互电连,相邻的第一金属层的所述第二电极层之间相互电连;相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连,相邻的第二金属层的所述第三电极层之间相互电连。

7.如权利要求1所述的电容器件,其特征在于,所述第一指状极板至相邻的所述第二指状极板具有第一距离,所述第三指状极板至相邻的所述第四指状极板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离相等。

8.一种电容器件的形成方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴轶超
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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