一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底的顶部形成有沟道凸起部，基底上形成有横跨沟道凸起部的栅极结构，栅极结构两侧的沟道凸起部中形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，沿与沟道凸起部的延伸方向相垂直的方向，基...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述基底上还形成有覆盖所述栅极结构的层间介质材料层；对高于所述栅极结构顶部的所述层间介质材料层进行一次或多次减薄处理，将高于所述栅极结构顶部的层间介质材料层去除，保留覆...

一种掩膜版图拆分方法及系统，设备和存储介质，所述方法包括：获取待拆分的掩膜版图，掩膜版图包括多个初始图形；根据参考图形，沿第二方向对初始图形进行第一拆分处理，使初始图形分布于多个初始子掩膜版图中；参考图形沿第一方向延伸，且与初始图形具有...

一种版图图形拆分方法及系统，设备和存储介质，所述方法包括：获取待拆分的版图图形层，所述版图图形层包括多个初始图形；获取第一参考图形层和第二参考图形层；所述第一参考图形层包括多个第一参考图形，所述第二参考图形层包括多个第二参考图形；所述第...

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；形成位于所述衬底上的第一结构和第二结构；在所述第一结构和第二结构之间形成牺牲结构以及位于牺牲结构上的初始沟槽结构，所述初始沟槽结构暴露出所述牺牲结构的顶部表面；在所述初始沟槽结构...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在衬底上形成位于子器件区的叠层结构、位于隔离区的第一介电墙以及位于相邻器件单元区之间的第二介电墙，叠层结构沿第二方向延伸，且器件单元区内的相邻子器件区的叠层结构之间由第一介电墙隔离，相邻器件单元区的...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成图形转移层、位于所述图形转移层上的牺牲材料层、以及位于所述牺牲材料层上的图形化层，所述图形化层内具有开口，所述开口暴露出部分所述牺牲材料层；向所述开口底部的所述图形转移层...

一种电容器件的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成底层绝缘层、位于底层绝缘层上的若干重复堆叠的中间复合结构、以及位于中间复合结构上的顶层复合结构；在顶层复合结构上形成图形化层，图形化层暴露出顶层复合结构的部分顶部表面；以图形化层为掩膜...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅介质层；位于栅介质层上的阻挡层；位于阻挡层上的功函数层，所述阻挡层的氧化速率小于所述功函数层的氧化速率。所述半导体结构的性能得到提升。

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法用于形成平行板电容器结构，包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片以及横跨所述鳍片且平行分布的金属栅极板和源漏极板；在相邻所述鳍片之间的所述金属栅极板中形成开口，以减小所述金属栅极板和所...

一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底；若干中间电极层，中间电极层包括：平行排布的第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干相互分立的第一分割段...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的围栅晶体管，所述围栅晶体管包括：分立于衬底上的凸起部以及与所述凸起部间隔悬空设置的沟道结构层，所述沟道结构层包括多个依次间隔设置的沟道层，沟道层沿垂直于衬底表面的方向竖直...

一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：衬底；若干中间电极层，每层中间电极层包括：沿第一方向平行排布的第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，其中，第一中间指状极板包括：若干...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂区，源漏掺杂区上形成有位于相邻栅极结构之间的底部介质层；在栅极结构的顶面上形成与栅极结构相接触衬垫金属层，衬垫金属层的材料为纯金...

一种镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法，其中电容器包括：衬底；位于衬底上的第一电极层，第一电极层包括第一区、第二区和交界区；位于第一电极层上的高K介电层；位于高K介电层上的第二电极层，第二电极层包括第一电极部和第二电极部；位于第一电极...

一种电容器结构及其形成方法，其中结构包括：包括：若干中间电极层，每层中间电极层包括：第一中间电极端和第二中间电极端；位于第一中间电极端和第二中间电极端之间的若干第一中间指状极板，第一中间指状极板包括：若干第一分割段和若干第二分割段；相邻...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干沿第一方向平行排列的初始鳍部结构，所述第一方向平行于衬底表面；在初始鳍部结构表面和衬底表面形成第一保护层；在第一保护层上形成第二保护层；形成第二保护层之后，去除部分所述初始鳍部...

一种电容器，所述电容器包括2个极板结构，所述极板结构包括：衬底和至少一个叠层网格，所述至少一个叠层网格位于所述衬底上；所述叠层网格包括：金属栅条和通孔，其中，所述金属栅条包括：多个位于同层的第一金属栅条；多个位于同层的第二金属栅条；多个...

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片、横跨所述鳍片的金属栅极板、所述鳍片中的源漏以及覆盖所述鳍片和所述源漏且表面和所述金属栅极板的顶面平齐的第一介质层；在所述金属栅极板和所述第一介质...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；鳍部，位于所述衬底上；介电层，位于所述鳍部的底部和所述衬底之间，且被所述鳍部覆盖。本发明在鳍部和衬底之间设置介电层，介电层有利于抑制源漏掺杂区之间的穿通，相应减小源漏掺杂区之间漏电流，从...