【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着cmos器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(finfet)的发展。相对于现有的平面晶体管，finfet可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，finfet中的栅极环绕鳍部设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。
2、为了进一步提高finfet工艺中器件的密度，可以设计很多阻挡结构，即单扩散阻挡(single diffusion break，sdb)来形成更多、更窄的浅沟槽隔离，以节省栅极阵列的区域。
3、但是现有具有单扩散阻挡的半导体结构，容易出现静态漏电问题恶化的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是具有单扩散阻挡的半导体结构中，如何避免静态漏电问题的恶化。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、形成基底，所述基底包括：相互邻接的第一区和第二区，所述第一区和所述第二区分别用于形成不同的器件；所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部位于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部上；源漏区，所述源漏区位于所述栅极结构两侧的鳍部内；刻蚀第一区的基底的栅极结构，形成露出所述第一区的鳍部的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所露出所述第一区的鳍部，以形成第一阻挡开口；在所述第一阻挡开口内形成第一
4、可选的，形成基底的步骤中，所述基底还包括：介质层，所述介质层填充于栅极结构和鳍部所露出的衬底上；形成露出所述第一区的鳍部的第一开口的步骤中，所述第一开口还露出栅极结构下的部分介质层；形成第一阻挡开口的步骤中，沿所述第一开口刻蚀所露出的第一区的鳍部和所露出的介质层，形成所述第一阻挡开口；形成第二阻挡开口的步骤中，沿所述第二开口刻蚀第二区的鳍部，形成所述第二阻挡开口。
5、可选的，形成第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口远离所述衬底一侧的开口尺寸大于所述第一阻挡开口靠近所述衬底一侧的开口尺寸。
6、可选的，形成所述第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口截断所述鳍部且延伸至所述介质层内；在所述第一阻挡开口内形成第一阻挡结构的步骤中，所述第一阻挡结构贯穿所述鳍部且延伸至所述介质层内；形成所述第二阻挡开口步骤中，所述第二阻挡开口截断所述鳍部；在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤中，所述第二阻挡结构贯穿所述鳍部。
7、可选的，还包括：形成基底之后，刻蚀第一区的基底的栅极结构之前，形成覆盖所述第一区和所述第二区的基底的第一掩膜；刻蚀第一区的基底的栅极结构的步骤还包括：在所述第一掩膜中形成第一刻蚀开口，所述第一刻蚀开口露出第一区的基底的栅极结构；去除所述第一刻蚀开口露出的第一区的基底的栅极结构；还包括：在所述第一阻挡开口内形成第一阻挡结构之后，刻蚀第二区的基底的栅极结构之前，形成覆盖所述第一区和所述第二区的基底的第二掩膜；刻蚀第二区的基底的栅极结构的步骤还包括：在所述第二掩膜中形成第二刻蚀开口，所述第二刻蚀开口露出第二区的基底的栅极结构；去除所述第二刻蚀开口露出的第二区的基底的栅极结构。
8、可选的，在所述第一阻挡开口内形成第一阻挡结构的步骤包括：向所述第一阻挡开口内填充第一阻挡材料，形成所述第一阻挡结构；在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤包括：向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料，形成所述第二阻挡结构。
9、可选的，所述第一阻挡材料包括氮化硅，所述第二阻挡材料包括氧化硅。
10、可选的，在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤还括：向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料之前，对所述第二阻挡开口的内壁进行脱氧处理。
11、可选的，对所述第二阻挡开口的内壁进行脱氧处理的步骤包括：在所述第二阻挡开口的内壁形成脱氧层；形成所述脱氧层之后，进行退火处理；去除经退火处理的脱氧层。
12、可选的，所述脱氧层材料包括非晶硅。
13、可选的，在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤还包括：向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料之前，在所述第二阻挡开口的内壁形成隔离层；向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料的步骤中，向内壁形成有所述隔离层的第二阻挡开口内填充所述第二阻挡材料。
14、可选的，所述栅极结构包括：栅电极；刻蚀第一区的基底的栅极结构的步骤中，去除所述第一区的基底的栅极结构的栅电极以形成所述第一开口；刻蚀第二区的基底的栅极结构的步骤中，去除所述第二区的基底的栅极结构的栅电极以形成所述第二开口。
15、可选的，所述第一区用于形成pmos器件，所述第二区分别用于形成nmos器件。
16、可选的，所述第一区和所述第二区的排列方向与所述栅极结构的延伸方向相垂直。
17、相应的，本专利技术还提供一种半导体结构，包括：
18、基底，所述基底的包括：相互邻接的第一区和第二区，所述第一区和所述第二区分别用于形成不同的器件；所述基底包括：衬底；鳍部，所述鳍部位于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部上；源漏区，所述源漏区位于所述栅极结构两侧的鳍部内；第一阻挡结构，所述第一阻挡结构位于所述第一区的基底内；第二阻挡结构，所述第二阻挡结构位于所述第二区的基底内，所述第二阻挡结构位于所述第一阻挡结构的延伸方向的延长线上；所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构相截断。
19、可选的，所述基底还包括：介质层，所述介质层填充于相邻栅极结构之间；所述第一阻挡结构贯穿所述鳍部且延伸至所述介质层内；所述第二阻挡结构贯穿所述鳍部。
20、可选的，所述第一阻挡结构的材料包括氮化硅，所述第二阻挡结构的材料包括氧化硅。
21、可选的，还包括：隔离层，所述隔离层位于所述第二阻挡结构和所述基底之间。
22、可选的，所述第一区用于形成pmos器件，所述第二区分别用于形成nmos器件。
23、可选的，所述第一区和所述第二区的排列方向与所述栅极结构的延伸方向相垂直。
24、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
25、本专利技术技术方案中，在相互邻接的第一区和第二区中，分别形成第一阻挡结构和第二阻挡结构，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构相截断。所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构相截断，即所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构并不连接，从而能够有效避免第一区的基底和第二区的基底之间成结的损伤，能够有效避免静态漏电问题的恶化；而且第一阻挡结构和所述第二阻挡结构不连接，也能够有效避免所形成nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述基底还包括：介质层，所述介质层填充于栅极结构和鳍部所露出的衬底上；
3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，形成第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口远离所述衬底一侧的开口尺寸大于所述第一阻挡开口靠近所述衬底一侧的开口尺寸。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口截断所述鳍部且延伸至所述介质层内；
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：形成基底之后，刻蚀第一区的基底的栅极结构之前，形成覆盖所述第一区和所述第二区的基底的第一掩膜；
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一阻挡开口内形成第一阻挡结构的步骤包括：向所述第一阻挡开口内填充第一阻挡材料，形成所述第一阻挡结构；
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡材料包括氮化硅，所述第二阻挡材料包括氧化硅。
8.如权利要求6所述的形成方法
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，对所述第二阻挡开口的内壁进行脱氧处理的步骤包括：
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述脱氧层材料包括非晶硅。
11.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤还包括：向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料之前，在所述第二阻挡开口的内壁形成隔离层；
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅电极；
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成PMOS器件，所述第二区分别用于形成NMOS器件。
14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述第一区和所述第二区的排列方向与所述栅极结构的延伸方向相垂直。
15.一种半导体结构，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括：介质层，所述介质层填充于相邻栅极结构之间；
17.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡结构的材料包括氮化硅，所述第二阻挡结构的材料包括氧化硅。
18.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离层，所述隔离层位于所述第二阻挡结构和所述基底之间。
19.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区用于形成PMOS器件，所述第二区分别用于形成NMOS器件。
20.如权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区和所述第二区的排列方向与所述栅极结构的延伸方向相垂直。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述基底还包括：介质层，所述介质层填充于栅极结构和鳍部所露出的衬底上；
3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，形成第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口远离所述衬底一侧的开口尺寸大于所述第一阻挡开口靠近所述衬底一侧的开口尺寸。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻挡开口的步骤中，所述第一阻挡开口截断所述鳍部且延伸至所述介质层内；
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：形成基底之后，刻蚀第一区的基底的栅极结构之前，形成覆盖所述第一区和所述第二区的基底的第一掩膜；
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一阻挡开口内形成第一阻挡结构的步骤包括：向所述第一阻挡开口内填充第一阻挡材料，形成所述第一阻挡结构；
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡材料包括氮化硅，所述第二阻挡材料包括氧化硅。
8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第二阻挡开口内形成第二阻挡结构的步骤还括：向所述第二阻挡开口内填充第二阻挡材料之前，对所述第二阻挡开口的内壁进行脱氧处理。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，对所述第二阻挡开口的内壁进行脱氧处理的步骤包括：
10.如权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱晶，涂武涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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