标准单元布局及集成电路，其中，标准单元布局包括：阱区；第一导电图案，位于所述阱区上方；第二导电图案，位于与第一导电图案相对的一侧；多个有源区图案，位于第一导电图案和第二导电图案之间的第一区域和第二区域中；第一中心导电图案，与第一导电图案...

一种半导体结构的形成方法，提供衬底，衬底上具有鳍部；在鳍部的顶部表面和侧壁形成伪栅介质层；在伪栅介质层上形成伪栅材料层；对伪栅材料层进行图形化处理形成伪栅层；对伪栅层的表面进行第一改性处理形成第一改性层；对第一改性层进行第二改性处理形成...

一种光学邻近修正方法，包括：提供第一版图；对第一版图进行曝光处理，形成第一曝光版图；基于第一曝光版图，获取关键区；获取第二版图，第二版图包括第二图形；根据预设规则和关键区，对第二版图进行迭代修正，形成第三版图。从而，提高了修正准确性。

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供基底，在基底上形成初始连接层；平坦化初始连接层，在基底上形成连接层；对连接层的表面进行热处理；对连接层的表面进行热处理能够将连接层表面的残留物去除；提升连接层的表面洁净度，这样后续在连接...

一种接口控制电路和测试系统。所述接口控制电路适于与自动测试设备连接。所述接口控制电路具有一个输入输出引脚，所述接口控制电路适于通过所述输入输出引脚接收所述自动测试设备输出的读取指令，并将读取数据通过所述输入输出引脚提供至所述自动测试设备...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：屏蔽结构，包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的第一金属线，部分第一金属线与其余部分第一金属线分别进行接地，第一方向垂直于第二方向；保护环，环绕屏蔽结构，保护环中具有开口，用于将保护环分为沿第...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成横跨器件鳍部的伪栅结构，包括位于器件鳍部顶部上的牺牲鳍部、位于牺牲鳍部顶部上的阻挡层以及覆盖阻挡层顶部、牺牲鳍部和阻挡层的侧壁及器件鳍部部分侧壁的牺牲栅极；去除牺牲栅极和牺牲鳍部，形成暴露出阻挡...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，包括堆叠的沟道叠层，包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上形成有横跨叠层结构的伪栅结构；沿垂直于伪栅结构侧壁方向，去除部分宽度的牺牲层，形成由沟道层和剩余牺牲层围成...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成位于衬底上的若干栅极结构、位于各栅极结构两侧的衬底内的源漏区、位于源漏区上的若干源漏互连层、以及位于衬底上的第一介质层，第一介质层暴露出各源漏互连层的顶部表面；采用第一自对准工艺在源漏互连层...

一种半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法，结构包括：衬底，所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区；位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层平行于第一方向，所述第二金属层平行于第二方向，所述第...

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有一层或多层用于形成目标图形的待刻蚀层；分别对每一层待刻蚀层进行图形化处理，用于在当前层的待刻蚀层中形成目标图形，图形化处理包括：在待刻蚀层的顶部形成凸立的核心层；在核心层的侧壁形...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底；鳍部；至少一组包括牺牲层和沟道层的堆叠结构；位于所述鳍部露出的所述衬底上的隔离层，所述牺牲层的材料与所述隔离层的材料相同；在所述隔离层上形成保护层；形成所述保护...

一种版图验证工具的测试方法及装置、设备以及存储介质，其中，所述版图验证工具的测试方法，包括：基于连接关系真值表，获得多组连接性测试版图；对所述多组连接性测试版图进行版图和原理图一致性验证处理，获得验证结果；基于预设的测试规则和所述验证结...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有源漏互连层以及覆盖源漏互连层侧壁和底部的粘附阻挡层；在源漏互连层的顶部形成生长抑制层后，去除部分厚度的第一介质层，暴露所述粘附阻挡层的部分侧壁；去除暴露...

一种静态随机存取存储单元及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一上拉栅极；在所述第一上拉栅极两侧基底内形成第一上拉源漏掺杂层；在所述基底上形成第二上拉栅极，所述第二上拉栅极包括沿第一方向延伸的第三栅极部、以及沿第二...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；电极叠层，位于所述基底上，所述电极叠层包括多个沿纵向依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层；第一电连接结构，贯穿所述电极叠层且与所述第一电极层电连接；第二电连接结构，贯穿所述电极叠层且与所述第二...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有第一牺牲层，第一牺牲层上形成有沟道结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括第二牺牲层和位于第二牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构，其中，第一牺牲...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；电极叠层，位于基底上，电极叠层包括多个沿纵向依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层，相邻第一电极层和第二电极层之间形成有介质层；第一电连接结构，贯穿电极叠层且与第一电极层电连接；第一内侧墙，位于...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有电极叠层，包括多个依次交替堆叠的第一电极层和第二电极层，相邻第一电极层和第二电极层之间形成有第一介质层；形成贯穿电极叠层的第一通孔；去除第一通孔侧壁暴露的部分宽度的第二电极层，形成第...

一种半导体结构的形成方法，包括：基底上形成有图形材料层，图形材料层上形成有第一核心材料层，基底包括交替排列的晶体管区和间隔区，晶体管区的图形材料层用于形成目标图形；在第一核心材料层上形成分立且平行排列的第一核心层，第一核心层包括覆盖间隔...