中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10858项专利

  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成有第一芯片,在所述半导体衬底上对应每个所述第一芯片设置有第二芯片,并且在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底和第二芯片的塑封材料...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构,在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽;在所述凹槽中形成主体层,以完全填充所述凹槽;对所述主体层执行回流步骤,使所述主体层表面的原子...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层;形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层;在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁,...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构;在所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙,所述第一侧墙内具有逸散离子;在所述第一侧墙的侧壁形成保护层,所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散;在栅极结构、第一侧墙和保护层两侧...
  • 本发明提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:提供晶圆,在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜;以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。本发明所提供的半导体制造方法,采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面...
  • 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括:振动膜;背板,位于所述振动膜的上方;空腔,位于所述振动膜和所述背板之间;牺牲层,位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧;其中,所述牺牲层呈锥体,所述锥体...
  • 本发明提供一种IGBT器件及其制造方法,包括:半导体衬底;栅极结构,设置在所述半导体衬底的表面上,所述栅极结构包括设置在所述半导体衬底表面上的栅极介电层以及设置在所述栅极介电层表面上的栅极层,其中,所述栅极层具有第一导电类型;若干掺杂区...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,该器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区;至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类...
  • 本发明提供一种非挥发存储器及其制作方法,包括:半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区;所述漏极区包括第一掺杂类型轻掺杂区,以及位于所述第一轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂...
  • 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述半导体器件包括:衬底;浮栅结构,位于所述衬底上,其中所述浮栅结构包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层具有不同的掺杂类型;控制栅,隔离地设置于所述浮栅结构上。...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其形成方法,通过将相邻两晶片堆之间的间隙中的全部或者部分底胶替换为热膨胀系数较低的模塑层,减少了底胶的量,同时降低了由模塑层和底胶构成的封装胶体的热膨胀系数,由此减小了所述封装胶体与晶片堆以及基板间的CTE失...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有顶层金属层;在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层,所述应力缓冲层位于所述顶层金属层的上方;在所述应力缓冲...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供待减薄晶圆和临时键合载体,并将待减薄晶圆的正面和临时键合载体临时键合;在待减薄晶圆的背面形成防粘层;在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构,所述凹槽贯穿部分...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有第一钝化层,所述第一钝化层具有第一开口,在所述第一开口的底部形成有焊盘;对所述焊盘进行表面处理,以使所述焊盘形成粗糙表面;通过电镀形...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底中形成用于凹槽;执行第一离子注入工艺以在半导体衬底中形成第一离子注入区;在凹槽内形成隔离结构,其中,晶体管用于形成在隔离结构一侧,第一离子注入区与...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有鳍片;形成覆盖所述鳍片的伪栅极材料层;对所述伪栅极材料层执行离子注入;对经离子注入的所述伪栅极材料层执行回流工艺,以使其顶部平坦;图案化所述伪栅极材料层,以...
  • 本发明提供一种半导体指纹传感器及其制作方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括逻辑区和至少一个像素区;在所述逻辑区形成顶部互连线,在所述像素区形成顶部极板,所述顶部互连线和所述顶部极板位于同一层;在所述像素区的顶...
  • 本发明提供一种指纹识别芯片及其制造方法和电子装置,包括:衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面;多个像素,设置在所述衬底的第一表面上,其中,每个所述像素包括设置在所述衬底内的光电转换元件;保护层,覆盖所述衬底的第一表面;孔,设置...
  • 本发明提供一种光学邻近修正方法,包括:提供原始图案,所述原始图案包括多个线条图案;在所述原始图案中的至少部分所述线条图案的端部之内放置参考图案;对所述原始图案进行尺寸调整,以获得测试图案,其中,所述测试图案为在所述尺寸调整后所述参考图案...
  • 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括:振动膜;背板,位于所述振动膜的上方;空腔,位于所述振动膜和所述背板之间;声孔,若干所述声孔相互间隔设置并且穿透所述背板,所述声孔露出所述振动膜;阻挡结构,位于所述背...