中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10693项专利

  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底包括第一区;在基底第一区中形成第一掺杂区;在第一掺杂区表面形成第一覆盖层,第一覆盖层中掺杂有第一离子组,第一离子组包括第一导电离子和第一阻挡离子;采用第一金属硅化工艺使第一覆盖层形...
  • 本发明提供一种负升压电路、半导体器件及电子装置。该负升压电路包括主升压单元,配置为产生基本偏压信号;副升压单元,配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压;电压检测器,配置基于所述负升压...
  • 一种芯片版图的检测方法及装置、计算机可读介质、终端。所述方法包括:对待检测芯片的版图进行碎片化处理,得到所述待检测芯片的版图中的所有图形,所述待检测芯片为两个以上;将所述待检测芯片的版图中的所有图形分别进行二进制转化,得到所述待检测芯片...
  • 本发明提供一种光刻仿真系统,涉及半导体技术领域。所述系统包括:掩模,所述掩模包括透光区域和不透光区域;照明光源,用于发出光束;投影成像透镜系统,从所述掩模透过的至少部分光经所述投影成像透镜系统后照射到衬垫区并形成光斑,其中,所述衬垫区设...
  • 本发明提供一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法,所述装置包括:研磨头清洗装置,所述研磨头清洗装置在化学机械研磨后对研磨头进行清洗。根据本发明的化学机械研磨装置和化学机械研磨方法,对半导体晶圆进行化学机械研磨后对研磨头进行清洗,有效去除...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区,半导体衬底第一区上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层,隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区;在第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜;之后...
  • 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其形成方法,其中,方法包括:提供衬底;在衬底上形成栅极结构,栅极结构下方衬底中具有沟道区,栅极结构包括相对的第一侧和第二侧;在栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层,第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子,第...
  • 本发明提供一种CIS芯片封装方法及结构,所述方法至少包括:首先提供待封装的CIS芯片,所述CIS芯片包括中间器件区和外围焊垫区;然后刻蚀所述中间器件区的衬底背面形成多个沟槽,在所述沟槽中及所述衬底背面填充绝缘材料层;接着从所述外围焊垫区...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成堆叠栅,在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁;在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层,并在所述层间介电层中形成反转接触孔;以绝缘材...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层,所述隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区;在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的第一鳍侧墙;去除第一鳍侧墙覆盖...
  • 本发明提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,通过在元件晶圆的正面上形成具有气隙结构的干膜层,来增厚元件晶圆,从而可以在元件晶圆的背面减薄过程中以及减薄后转移元件晶圆的过程中支撑元件晶圆,便于对元件晶圆操作,避免元件晶圆翘曲;其次,在后续的...
  • 本发明提供一种实时监测机台稳定性的装置、方法及光刻机机台,至少包括:依次通过所述扩束镜和所述楔形光学平板,将从所述晶圆平台射出的光束,转变为干涉图案,所述干涉图案由所述图像接收器所接收,通过判断所述干涉图案是否倾斜来判断所述晶圆平台是否...
  • 本发明提供一种化学机械研磨方法和化学机械研磨装置,所述方法包括:提供待研磨的半导体晶圆,采用研磨头夹持所述半导体晶圆;驱动所述研磨头在第一研磨头位置与第二研磨头位置之间切换至少一次,所述第一研磨头位置悬于研磨垫上方,且高于所述第二研磨头...
  • 本发明提供一种清洗化学机械研磨设备的系统和化学机械研磨系统,所述化学机械研磨设备包括传动装置,用于在所述化学机械研磨设备的研磨台上方转动以传送晶圆,所述系统包括:清洗装置,所述清洗装置包括设置在所述传动装置上的清洗喷头,所述清洗喷头随着...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置,包括:器件衬底,包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端保护环区;第一注入区,设置在所述器件衬底的背面并与所述终端保护环区相对;第二注入区,设置在所述背面并与所述元胞区相对,所述第一注入区环绕所...
  • 本发明提供一种晶圆级封装结构及其封装方法,所述方法包括:提供第一晶圆,在所述第一晶圆的表面上形成气体释放材料层;提供第二晶圆,在所述第二晶圆的正面上形成有芯片;将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合,并在所述第一晶圆和第二晶圆...
  • 本发明提供一种光学邻近修正方法,包括:提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形;对切割层图形进行光学模拟,以获得模拟轮廓,其中,模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘;将模拟轮廓和目标轮廓进行比较,分别获得关键边缘的边缘放置误差和非关键边缘...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括:提供基底,在所述基底上形成有栅极介电层,在所述栅极介电层上形成有隔离层;在所述隔离层的侧壁上形成间隙壁并覆盖部分所述栅极介电层;在所述隔离层和所述栅极介电层上形成栅极结构。...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件,所述方法包括:提供玻璃晶圆;在所述玻璃晶圆上形成芯片胶膜;将若干芯片固定在所述芯片胶膜上;在所述玻璃晶圆表面形成覆盖所述芯片以及所述芯片胶膜的塑封体;去除所述玻璃晶圆;对所述塑封体和所述芯...
  • 本发明提供了一种金属电化学反应的测试结构及测试方法、电子装置。所述测试结构包括:待测试的第一金属层;若干测试金属层,所述测试金属层与所述第一金属层同层设置,并且所述测试金属层环绕所述第一金属层中易发生金属电化学反应的区域设置;其中,所述...