中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10564项专利

  • 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上具有栅极结构、第一保护层和第一介质层,第一保护层位于栅极结构的顶部表面,第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面;在部分第一介质层上形成电阻结构,所述电...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底内具有源漏掺杂区,所述基底和源漏掺杂区上具有介质层;去除源漏掺杂区上的部分介质层,形成介质开口,所述介质开口底部暴露出源漏掺杂区的顶部表面;去除介质开口底部部分源漏掺杂区,在源...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,包括:提供衬底,衬底包括第一区和第二区,第一区和第二区衬底上具有鳍部;通过第一氧化处理在所述第一区鳍部表面形成第一氧化层;对所述第二区鳍部进行第二氧化处理,在所述第二区鳍部表面形成第二氧化层。所述形...
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述方法包括,去除伪栅极,在伪栅结构之间的基底上形成介质层;在所述介质层中形成开口,所述开口底部露出伪栅介质层;在所述开口内壁形成阻挡层;去除所述阻挡层和伪栅介质层,露出所述开口底部的基底及开口内壁的所述侧墙...
  • 本发明提供一种互连结构及其制造方法,在金属互连结构表面上的非金属化合物层和未掺杂的第二金属化合物层之间增加一掺杂的第一金属化合物层,例如掺硅的氮化铝层,以此增强非金属化合物层和未掺杂的金属化合物层之间粘附力,进而阻挡互连结构中的金属扩散...
  • 本发明提供了一种测试结构的形成方法及功函数的检测方法,包括:提供一基底,在所述基底上依次形成一绝缘层和一导电层;对所述导电层进行切割形成至少一个待测区块,对所述导电层的切割深度大于等于所述导电层的厚度。即,结合切割工艺,在避免所形成的待...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,所述基底包括用于形成第一器件的第一区域、用于形成第二器件的第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的过渡区;在所述基底上形成第一功函数层;刻蚀去除过渡区基底上的第一功函数层...
  • 本发明揭示了一种晶体管及其制作方法,包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成石墨烯纳米带层;在所述石墨烯纳米带层上形成第一氧化层;在所述第一氧化层中形成多个第一沟槽;在每个所述第一沟槽中均形成碳纳米管;在每个所述碳纳米管的两端形成金属...
  • 本发明提供了一种掺杂区及IGBT器件的形成方法和结构,包括:于一半导体衬底上形成若干个注入区;接着,通过推阱工艺使若干个所述注入区中的离子扩散进而形成使其相互交叠以形成掺杂区。由于所述掺杂区是由若干个注入区通过离子扩散形成,进而可使所形...
  • 本发明提供了一种变压器,所述变压器包括第一线圈部、第二线圈部、第三线圈部、第一承载层和第二承载层,其中:所述第一线圈部位于所述第一承载层表面上;所述第二线圈部和所述第三线圈部位于所述第二承载层表面上;所述第一线圈部与所述第三线圈部形成第...
  • 本发明实施例提供了一种光刻机的照明系统,包括:第一光源,其所产生的光束通过微反射镜阵列之后变为第一光束;第二光源,其所产生的第二光束与所述第一光束进行耦合,以实现光照增强。由此可见,本发明实施例的照明系统中,第二光源产生的第二光束能够耦...
  • 本申请公开了一种半导体装置和检测器件发热的方法,涉及半导体技术领域。其中,装置包括:在衬底上的半导体鳍片;在所述衬底上的第一MOS器件,包括:在所述半导体鳍片上的第一栅极结构;以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述半导体鳍片中的第...
  • 本申请公开了一种鳍片式二极管及其制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供衬底结构,包括:衬底;在衬底上的第一和第二组鳍片、以及位于第一和第二组鳍片的之间的隔离区,隔离区的上表面低于第一和第二组鳍片的上表面;阱区,部分地在衬底中且与...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:基底,基底上具有第一栅极结构和第二栅极结构,第一栅极结构和第二栅极结构间的基底具有间隔区,基底上、第一栅极结构的侧壁和顶部上以及第二栅极结构侧壁和顶部具有介质层,介质层上具有停止层;去除间隔区上的停...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底上设置有鳍部,相邻鳍部之间具有鳍部间隙;在所述鳍部上方设置硬掩模;在所述硬掩模上方形成防穿通层,所述防穿通层中有防穿通离子;形成防扩散层,所述防扩散层的高度低于所述鳍部的高度,向所述鳍部...
  • 本发明揭示了一种鳍式结构的制作方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个鳍;在所述半导体衬底上和所述多个鳍上形成氧化层;使得所述氧化层的上表面平整;回刻所述氧化层至暴露出所述多个鳍的部分高度。由此,通过使得氧化层的上表面平整,...
  • 一种垂直隧穿场效应晶体管及其形成方法,方法包括:提供衬底;在衬底上形成第一掺杂层;在第一掺杂层上形成垂直纳米线;在第一掺杂层上形成伪栅层,伪栅层顶部低于垂直纳米线顶部;在伪栅层上形成覆盖垂直纳米线顶部的第一层间介质层;刻蚀垂直纳米线上方...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。该器件包括:设置在器件晶片的电介质层中的金属连线;位于金属连线上方的第一开口,第一开口的深度与金属连线齐平;位于器件两端的第二开口,第二开口的深度与第一开口的深度相同;覆盖在第...
  • 本发明提供了一种存储器及其形成方法,包括一下拉晶体管和一传输门晶体管,其中,所述传输门晶体管的沟道区域的长度大于所述下拉晶体管的沟道区域的长度,从而可使传输门晶体管的沟道电流小于下拉晶体管的沟道,如此一来,即可有利于提高所述存储器的β比...
  • 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。其中,所述装置包括:衬底,所述衬底包括具有第一沟槽的NMOS区;以及第一隔离结构,包括:在所述第一沟槽的底面和所述第一沟槽的下部的侧壁上的第一衬垫层;在所述第一衬垫层上填充所述...