【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种电容结构。
技术介绍
1、电容器广泛应用于模拟电路和混合信号集成电路中。电容器通常由相互电隔离的金属片构成。在集成电路中，金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容器因其大容量的优势，得到了广泛应用。
2、随着技术节点的推进、特征尺寸的减小，金属段只能在一个方向上加工，也就是说，所形成的金属段只能沿一个方向上延伸。因此，网格状的电容极板只能以上层金属段和下层金属段的形式构成。
3、但是这样结构的电容器，电容值和q值都会出现下降的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种电容结构，以提高电容值和q值。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种电容结构，包括：衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的器件、隔离结构、导电层和介电层；互连金属层，所述互连金属层位于所述衬底上，所述互连金属层包括p层，其中p为正整数，所述第q层互连金属层包括：n个第一金属段，所述第一金属段沿第一方向延伸，n个所述第一金属段均位于第一极板层且沿第二方向依次平行排列，分别为第1个第一金属段、第2个第一金属段、第3个第一金属段、……、第n个第一金属段，其中所述第一方向和所述第二方向相互垂直；m个第二金属段，所述第二金属段沿所述第二方向延伸，m个所述第二金属段位于第二极板层且沿所述第一方向依次平行排列，分别为第1个第二金属段、第2个第二金属段、第3个第二金属段……，其中所述第二极板层位于所述第一极板层上
3、可选的，n和m相等。
4、可选的，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，所述多个第一通孔等间距分布。
5、可选的，还包括：第一边缘通孔，所述第一边缘通孔贯穿第e个第一金属段和第f个第二金属段之间的介质材料，其中e和f中至少1个等于1。
6、可选的，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，多个所述第一通孔和所述第一边缘通孔等间距分布。
7、可选的，所述电容结构包括多个第二通孔，沿所述第一方向和所述第二方向中至少一个方向，所述多个第二通孔等间距分布。
8、可选的，还包括：第二边缘通孔，所述第二边缘通孔贯穿第g个第一金属段和第h个第二金属段之间的介质材料，其中g和h满足以下情况中的至少1个：g等于n、h等于m和g等于n且h等于m，n和m均为偶数。
9、可选的，所述电容结构包括多个第二通孔，沿所述第一方向和所述第二方向中至少一个方向，多个所述第二通孔和所述第二边缘通孔等间距分布。
10、可选的，a遍历大于1且小于或等于n的奇数，b遍历大于1且小于或等于m的奇数。
11、可选的，a和b满足以下情况中的至少1个：a为小于或等于n的最大的奇数、b为小于或等于m的最大的奇数。
12、可选的，c遍历大于等于2且小于n的偶数，d遍历大于等于2且小于m的偶数。
13、可选的，c和d中至少1个为2。
14、可选的，p为大于1的正整数；所述电容结构还包括：连接通孔，所述连接通孔位于相邻所述互连金属层之间，所述连接通孔的位置与所述第一通孔和所述第二通孔中至少1个的位置相对应。
15、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
16、本专利技术技术方案中，所述至少1个第一通孔和至少1个第二通孔的设置，能够有效增加电容结构中极板的信号通道，能够有效缩短信号通道长度的差异以降低压降差异，能够有效提高所述电容结构的电容值和q值。
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1.一种电容结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，n和m相等。
3.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，所述多个第一通孔等间距分布。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第一边缘通孔，所述第一边缘通孔贯穿第e个第一金属段和第f个第二金属段之间的介质材料，其中e和f中至少1个等于1。
5.如权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，多个所述第一通孔和所述第一边缘通孔等间距分布。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第二通孔，沿所述第一方向和所述第二方向中至少一个方向，所述多个第二通孔等间距分布。
7.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第二边缘通孔，所述第二边缘通孔贯穿第g个第一金属段和第h个第二金属段之间的介质材料，其中g和h满足以下情况中的至少1个：g等于n、h等于m和g等于
8.如权利要求7所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第二通孔，沿所述第一方向和所述第二方向中至少一个方向，多个所述第二通孔和所述第二边缘通孔等间距分布。
9.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，a遍历大于1且小于或等于n的奇数，b遍历大于1且小于或等于m的奇数。
10.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，a和b满足以下情况中的至少1个：a为小于或等于n的最大的奇数、b为小于或等于m的最大的奇数。
11.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，c遍历大于等于2且小于n的偶数，d遍历大于等于2且小于m的偶数。
12.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，c和d中至少1个为2。
13.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，p为大于1的正整数；所述电容结构还包括：连接通孔，所述连接通孔位于相邻所述互连金属层之间，所述连接通孔的位置与所述第一通孔和所述第二通孔中至少1个的位置相对应。
...【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，n和m相等。
3.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，所述多个第一通孔等间距分布。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第一边缘通孔，所述第一边缘通孔贯穿第e个第一金属段和第f个第二金属段之间的介质材料，其中e和f中至少1个等于1。
5.如权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第一通孔，沿所述第二方向和所述第一方向中至少一个方向，多个所述第一通孔和所述第一边缘通孔等间距分布。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构包括多个第二通孔，沿所述第一方向和所述第二方向中至少一个方向，所述多个第二通孔等间距分布。
7.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第二边缘通孔，所述第二边缘通孔贯穿第g个第一金属段和第h个第二金属段之间的介质材料，其中g和h满足以下情况...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，王西宁，钱蔚宏，曲俊凡，邬庆，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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