本发明提供一种自对准接触孔的形成方法，方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成硬掩膜层，并对硬掩膜层进行图案化刻蚀；以图案化刻蚀后的硬掩膜层为掩膜对衬底进行刻蚀以形成多个沟槽；对图案化刻蚀后的硬掩膜层进行回刻以露出沟槽两侧的部分宽度的衬底；...

本发明提供一种多沟道AlGaN/GaN HEMT器件，器件包括：衬底、缓冲层、至少两个含有二维电子气沟道的异质结结构、漏极、源极及鳍式栅极；缓冲层形成于衬底的表面；多个异质结结构堆叠设置于缓冲层的表面，其中，各异质结结构包括GaN沟道层...

本申请提供一种降低沟槽MOSFET栅极电阻的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽栅；步骤二，实施体区和源区注入，改善沟槽栅非晶化的效果；步骤三，形成牺牲层，覆盖外延层和沟槽栅，而后实施退火处理；步骤四，...

本发明提供一种增强型GaN HEMT器件的形成方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，其包括衬底、形成于所述衬底表面的GaN缓冲层、形成于所述GaN缓冲层表面的GaN沟道层及间隔形成于所述GaN沟道层内的AlGaN势垒层；步骤2)...

本发明提供一种监测湿法药液是否正常的方法，提供晶圆，所述晶圆背面为裸Si；将所述晶圆的背面进行处理，制备为点检晶圆；利用所述点检晶圆检测湿法刻蚀药液是否合规。本发明通过制备点检晶圆，定期检测湿法刻蚀药液是否出现异常，可以避免由于湿法刻蚀...

本申请提供一种IGBT的沟槽栅结构、IGBT器件及其制造方法，该沟槽栅结构包括：形成在衬底中的多个沟槽，该沟槽呈类似保龄球瓶的形状，沟槽下部的拐角呈圆化状，沟槽下部的宽度大于沟槽上部的宽度，沟槽下部的高度大于沟槽上部的高度；形成在沟槽侧...

本发明提供一种SGT器件的形成方法，包括提供衬底，衬底内至少形成有一沟槽，沟槽的内表面上覆盖有屏蔽介质层，沟槽的下部空间内填充有源极多晶硅；湿法刻蚀屏蔽介质层，至少在沿垂直于衬底表面的方向去除源极多晶硅两侧的部分高度的屏蔽介质层，以暴露...

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在DC区域的衬底上形成控制电路的部分结构，在RF区域的衬底上形成射频开关的部分结构；形成第一介质层，覆盖控制电路的部分结构和射频开关的部分结构；在第一介质层内形成通孔结构；在第一介质层的表面形...

本发明公开了一种改善晶圆翘曲的方法，包括：步骤一、将待改善晶圆分割成多个第一区域和多个第二区域。根据待改善晶圆的翘曲方向设置各第一区域的分布方向。步骤二、进行图形化激光退火，其中，各第一区域都进行第一激光退火，各第二区域不退火或者进行条...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：第二导电类型柱形成于第一沟槽的底部沟槽中。沟槽栅形成于第一沟槽的顶部沟槽中。体区形成于沟槽栅两侧的第一导电类型柱的表面区域中。沟槽栅的栅极导电材料层纵向穿过体区。栅极导电材料层侧面覆盖的体区分成第一...

本申请提供一种改善铝铜合金填孔的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成通孔；步骤二，形成下层阻挡层，覆盖通孔的底部和侧壁及层间介质层的表面；步骤三，形成铝铜合金层，该铝铜合金层由依序形成的第一铝铜合...

本发明提出了一种闪存器件的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其可在所述凹槽内形成沿垂直方向依次覆盖在凹槽侧壁上的第一牺牲层(如氧化物)、第一侧墙(如氮化物)和第二牺牲层(如氧化物)，以在后续对基底进行刻蚀去除硬掩膜层的过程中，通过...

本发明提供屏蔽栅器件及其形成方法，通过形成第一栅极材料层，第一栅极材料层填满第一沟槽，第一栅极材料层填充第二沟槽并在第二沟槽内形成V形凹槽；执行回刻工艺，第一栅极材料层回刻至与第一介质层齐平，第二沟槽内的V形凹槽保留；执行氧化工艺，第一...

本发明提供了一种闪存器件的制备方法，应用于半导体制备技术领域。与现有技术相比，本发明的制备方法，包括在所述基底上形成底部暴露出所述浮栅层的凹槽，在所述凹槽的侧壁上形成由三层膜层组成的隔离结构，去除所述隔离结构中的第三绝缘层，去除所述凹槽...

本发明提供了一种金属层断裂的测试结构，包括：顶层金属层包括多个间隔的顶层金属线，之间通过介质层隔开；次顶层金属层位于顶层金属层的下方，包括多个间隔的次顶层金属线，之间通过介质层隔开，多个次顶层金属线依次通过连接线连接在一起；第一金属焊盘...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，应用于半导体制备技术领域。与现有技术相比，本发明的制备方法，其在所述衬底上依次形成堆叠的层间介质层、控制栅层和第一侧墙以及暴露出层间介质层的开口后，便沿水平方向去除部分厚度的开口侧壁上所暴露出的控制...

本发明提供了一种半导体存储器、PIP电容器及其制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，在制备方法中，其通过利用半导体存储器中存储区所采用的浅沟槽隔离光罩(GSTI光罩)去除存储区中部分浅沟槽隔离的部分厚度的光刻‑刻蚀这一制程工艺，同步在...

本发明提供了一种提高半导体器件的良率的方法，包括：提供用于形成多晶硅薄膜的炉管，炉管的侧壁上开设有入口，炉管的内壁上设置有多层承托，每层承托的数量为多个，用于支撑晶圆；提供半导体基底，在半导体基底的边缘处形成标记，仅用以标记晶圆代码，此...

本发明提供一种集成无源器件及其制造方法，通过先形成沟槽，然后在沟槽内形成悬浮薄膜电阻器，且悬浮薄膜电阻器未填满所述沟槽，以及所述悬浮薄膜电阻器和电容单元并列设置，也即利用大马士革工艺形成悬浮薄膜电阻器。在形成悬浮薄膜电阻器之前，先在第一...

本发明公开了一种超结器件结构的工艺方法：利用硬掩模层在衬底上的N型外延层中进行刻蚀形成超结沟槽；进行单侧的带一定角度的侧向P型杂质注入，在所述的超结沟槽的靠近开口区域的单侧形成P型连接区；对所述的超结沟槽进行P型外延层的填充形成P柱；再...