【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种提高半导体器件的良率的方法。
技术介绍
1、半导体器件如存储器目前广泛应用于各种电子产品中，在半导体器件行业中起到非常重要的作用。各种存储器中都可能涉及到浮栅和控制栅，浮栅和控制栅一般都是通过形成一层多晶硅薄膜，再对多晶硅薄膜进行刻蚀得到。
2、现有技术中，多晶硅薄膜的一种形成方法是在炉管中形成，具体的形成方法是，将待要形成多晶硅薄膜的半导体基底放入炉管中，向炉管中通入一定量的反应气体，在一定的温度和压强下沉积形成多晶硅薄膜，半导体基底一般可以是多个半导体器件同时形成，所以形成多晶硅薄膜也是多个半导体器件的多晶硅薄膜同时沉积，沉积为同一层多晶硅薄膜，再刻蚀形成自己的浮栅或控制栅。
3、然而，现有技术中，由于多晶硅薄膜制备炉管设备特定构造，会在晶圆边缘位置形成特定的低良率图形，一般为三个或者四个近似圆形图案，且位置与多晶硅薄膜制备炉管中承托晶圆的位置一致。经过失效分析发现，是由于半导体器件的多晶硅薄膜的厚度不达标，多晶硅薄膜沉积时是放置在炉管的承托上，承托设置在炉管的内壁上，用来支撑待形成多晶硅薄膜的半导体基底。在炉管内从下到上依次放置多个半导体基底，一同沉积形成多晶硅薄膜。因此，承托也是从下到上设置有多层，每层承托支撑一个半导体基底。而每层承托一般是有多个承托，多个承托在同一平面上设置，相互之间在炉管的侧壁上具有一定的距离。因此，下层半导体基底与相邻上一层的承托所在的位置的反应气体的气流与其他地方的反应气体的气流不同，一般小于其他没有承托的地方的反应气体的气流。导致下层
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种提高半导体器件的良率的方法，增加用以改善由于多晶硅炉管承托位置造成的低良。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种提高半导体器件的良率的方法，包括：
3、提供用于形成多晶硅薄膜的炉管，所述炉管的侧壁上开设有入口，所述炉管的内壁上设置有多层承托，每层所述承托的数量为多个；
4、提供半导体基底，在所述半导体基底的边缘处形成用于标记晶圆身份信息的标记；
5、旋转半导体基底，将所述标记对准某一承托，将所述半导体基底从所述入口放入所述炉管，并放置在该承托的下一层所述承托上；以及
6、向所述炉管内通入反应气体，以在所述半导体基底上沉积形成多晶硅薄膜。
7、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，还包括：在所述半导体基底的边缘处设置镜面曝光单元，所述镜面曝光单元与所述标记形成的夹角与所述标记对准的承托与该承托所在层的其余任一承托形成的夹角相同。
8、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，每层所述承托的数量相同。
9、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，每层所述承托在竖直方向上均一一对准。
10、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，同一层的多个所述承托在同一水平面上。
11、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，将所述标记对准某一承托的方法包括：
12、以所述入口为基准，计算每个承托与所述入口的夹角，以得到多个夹角；以及
13、旋转所述晶圆，使得所述标记与所述入口形成的夹角为任一所述夹角。
14、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，还包括：旋转所述晶圆，使得所述标记与所述入口形成的夹角为任一所述夹角的同时，所述镜面曝光单元与所述入口形成的夹角与其余所述夹角中的某一所述夹角相同。
15、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，所述半导体基底包括衬底。
16、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，每层所述承托的数量为3个。
17、可选的，在所述的提高半导体器件的良率的方法中，每层所述承托的数量为4个。
18、在本专利技术提供的提高半导体器件的良率的方法中，包括：提供用于形成多晶硅薄膜的炉管，炉管的侧壁上开设有入口，炉管的内壁上设置有多层承托，每层承托的数量为多个；提供半导体基底，在半导体基底的边缘处形成用于标记晶圆身份信息的标记；旋转半导体基底，将标记对准某一承托，将半导体基底从入口放入炉管，并放置在该承托的下一层承托上；以及，向炉管内通入反应气体，以在半导体基底上沉积形成多晶硅薄膜。本专利技术将在沉积形成多晶硅薄膜时，将半导体基底放置在承托上，标记对准上一层的某一承托，这样，就可以使得因气流不均导致的低良位置落在无实际半导体器件的区域，从而，提高了半导体器件的良率。
19、进一步的，将不设置半导体器件的镜面曝光单元设置在另一个承托下，还可以进一步减少受到炉管承托影响的半导体器件良率的数量，进一步，提高了整片半导体器件的良率。
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1.一种提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，还包括：在所述半导体基底的边缘处设置镜面曝光单元，所述镜面曝光单元与所述标记形成的夹角与所述标记对准的承托与该承托所在层的其余任一承托形成的夹角相同。
3.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托的数量相同。
4.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托在竖直方向上均一一对准。
5.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，同一层的多个所述承托在同一水平面上。
6.如权利要求2所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，将所述标记对准某一承托的方法包括：
7.如权利要求6所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，还包括：旋转所述晶圆，使得所述标记与所述入口形成的夹角为任一所述夹角的同时，所述镜面曝光单元与所述入口形成的夹角与其余所述夹角中的某一所述夹角相同。
8.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率
9.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托的数量为3个。
10.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托的数量为4个。
...【技术特征摘要】
1.一种提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，还包括：在所述半导体基底的边缘处设置镜面曝光单元，所述镜面曝光单元与所述标记形成的夹角与所述标记对准的承托与该承托所在层的其余任一承托形成的夹角相同。
3.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托的数量相同。
4.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，每层所述承托在竖直方向上均一一对准。
5.如权利要求1所述的提高半导体器件的良率的方法，其特征在于，同一层的多个所述承托在同一水平面上。
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔燕雯，严强生，任媛媛，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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