钙钛矿层及制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池、光伏组件技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿层及制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池、光伏组件。钙钛矿层的晶体结构为ABX<subgt;3</subgt;，其中A为阳离子，B为Pb<supgt;2+</supgt;，X为卤素阴离子，钙钛矿层通过卤化铅骨架层和阳离子溶液反应而成，阳离子溶液包括甲脒离子、甲脒衍生物和Br<supgt;‑</supgt;，Br<supgt;‑</supgt;的浓度为0.2mol/L～0.4mol/L，甲脒衍生物包括甲脒亚磺酸、脲基甲脒、2‑嘧啶甲脒，醋酸甲脒和氯甲脒盐酸盐中的一种或者多种组合。该钙钛矿层具有宽带隙，不但能获得与硅底电池匹配的宽带隙，而且结晶速度可控，钙钛矿晶体能够自发沿电荷传输的方向生长，减少薄膜中的晶界，抑制非辐射复合，提升钙钛矿层质量和钙钛矿硅叠层太阳电池的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池领域，尤其涉及一种钙钛矿层及制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池、光伏组件。

技术介绍

1、钙钛矿硅叠层太阳电池制备过程中，采用蒸镀和溶液相结合的方法是工业上制备钙钛矿层的常用方法，即先沉积一层保型的卤化铅骨架层，然后涂覆阳离子溶液，采用该方法制备的钙钛矿层具有较佳的保型效果。

2、硅底电池的带隙为1.1ev左右，为了得到与硅底电池相匹配的带隙，钙钛矿层需具备较宽带隙。但由上述蒸镀和溶液相结合方法制备的保型钙钛矿层带隙调整较难，需要在阳离子溶液中提高br的含量来提升钙钛矿层的带隙值，而br的含量较高，容易导致钙钛矿的结晶速度比普通带隙钙钛矿快，从而导致钙钛矿晶体生长不可控、晶相杂乱、陷阱态较多。

技术实现思路

1、为了解决宽带隙的钙钛矿结晶速率较快的问题，本专利技术提供一种钙钛矿层及制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池、光伏组件。

2、为了实现上述目的，本专利技术公开了一种钙钛矿层，所述钙钛矿层的晶体结构为abx3，其中所述a为阳离子，所述b为pb2+，所述x为卤素阴离子，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层的晶体结构为ABX3，其中所述A为阳离子，所述B为Pb2+，所述X为卤素阴离子，所述钙钛矿层通过卤化铅骨架层和阳离子溶液反应得到，所述阳离子溶液包括甲脒离子、甲脒衍生物和Br-，所述Br-的浓度为0.2mol/L～0.4mol/L，所述甲脒衍生物包括甲脒亚磺酸、脲基甲脒、2-嘧啶甲脒，醋酸甲脒和氯甲脒盐酸盐中的一种或者多种组合。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层中钙钛矿的晶面取向为钙钛矿100晶面。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述阳离子溶液中，所述甲脒离子的浓度为0.6mol/...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层的晶体结构为abx3，其中所述a为阳离子，所述b为pb2+，所述x为卤素阴离子，所述钙钛矿层通过卤化铅骨架层和阳离子溶液反应得到，所述阳离子溶液包括甲脒离子、甲脒衍生物和br-，所述br-的浓度为0.2mol/l～0.4mol/l，所述甲脒衍生物包括甲脒亚磺酸、脲基甲脒、2-嘧啶甲脒，醋酸甲脒和氯甲脒盐酸盐中的一种或者多种组合。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层中钙钛矿的晶面取向为钙钛矿100晶面。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述阳离子溶液中，所述甲脒离子的浓度为0.6mol/l～0.7mol/l，所述甲脒衍生物的浓度为5mmol/l～30mmol/l。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层的生长基底为具有绒面结构的基底。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述钙钛矿层的带隙为1.65ev～1.7ev。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述阳离子溶液还包括甲胺离子、cl-、i-中的一种或者多种。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿层，其特征在于，所述阳离子溶液包括i-，所述i-的浓度为0.2mol/l～0.4mol/l。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿层，其特征在于，所述阳离子溶液的溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭盈，邢国强，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：