System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及x射线探测器,尤其涉及一种钙钛矿x射线面阵探测器的制备方法、x射线面阵探测器。
技术介绍
1、传统制备钙钛矿(perovskite)x射线面阵探测器的方法主要涉及两个方面:钙钛矿薄膜的制备和面阵探测器的构建。首先,钙钛矿薄膜的制备方法包括旋涂法、溶剂热法等。旋涂法是最常用的制备方法之一,它通过将钙钛矿前体材料溶液涂布在基底上并旋转,使其形成薄膜。这种方法简单易行,适用于大面积制备,但在薄膜均匀性和晶粒大小控制上存在一定困难。溶剂热法通过在高温下使钙钛矿前体溶解并重新结晶形成薄膜,可以获得较高质量的薄膜,但工艺复杂且繁琐。其次,面阵探测器的构建方法主要包括像素定义、电极制备和封装等步骤。像素定义是通过光刻和蚀刻技术将钙钛矿薄膜分割成一系列小像素,以增加探测器的分辨率。电极制备涉及到阳极和阴极的制备,常用的方法是通过物理气相沉积或磁控溅射在钙钛矿薄膜上沉积金属电极。封装是将制备好的钙钛矿面阵探测器与封装材料结合,以保护器件不受外界环境的干扰。
2、然而,传统制备钙钛矿x射线面阵探测器的方法存在一些缺陷。首先,钙钛矿材料对潮湿环境非常敏感,容易受潮并发生退化,因此制备过程需要在干燥的环境中进行,增加了制备的复杂性。其次,传统制备方法中的工艺参数调控和优化方面仍然需要进一步研究,以提高钙钛矿薄膜的质量和稳定性。此外,钙钛矿材料在长时间使用过程中存在较快的衰减问题,限制了其在实际应用中的持久性和稳定性。综上所述,传统制备钙钛矿x射线面阵探测器的方法在钙钛矿薄膜制备和面阵探测器构建方面仍面临一些挑战。因此,亟需研制出一
技术实现思路
1、本申请提供了一种钙钛矿x射线面阵探测器的制备方法、x射线面阵探测器,通过采用热蒸发真空沉积制备fapbbr3钙钛矿x射线面阵探测器,以解决现有技术中钙钛矿成膜质量不佳,从而导致x射线面阵探测器的器件性能较差的技术问题。
2、第一方面,本申请提供了一种钙钛矿x射线面阵探测器的制备方法,所述方法包括:
3、得到含有功能层的基底;
4、将所述含有功能层的基底固定至热蒸发设备的蒸发腔内的样品台,fabr置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟,pbbr2置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟;
5、将所述含有功能层的基底进行加热;
6、将所述第一蒸发舟中的所述fabr粉末熔化及冷却为块状,以防止fabr蒸发过程中发生暴沸;
7、将具有相等摩尔蒸发速率的fabr与pbbr2沉积在所述含有功能层的基底上,后进行退火,得到fapbbr3膜;以及,
8、在所述fapbbr3膜的至少部分表面设置金属电极,得到钙钛矿x射线面阵探测器。
9、可选的,所述加热的温度为50℃~70℃。
10、可选的,所述加热的温度为60℃。
11、可选的,所述将所述第一蒸发舟中的所述fabr粉末熔化及冷却为块状包括:
12、将所述第一蒸发舟施加60a~70a的电流并保持10min~15min,得到熔化后的fabr;
13、将所述第一蒸发舟的电流降至0a~40a并保持15min~20min,得到块状fabr。
14、可选的,所述得到含有功能层的基底包括:
15、将功能层原料的水分散溶液旋涂至所述基底表面,后在150℃下退火1h,得到含有功能层的基底;其中,所述功能层包括sno2功能层、tio2功能层、niox功能层以及zno功能层中的一种或多种。
16、可选的,所述得到含有功能层的基底之前,所述方法还包括:
17、将基底浸入去离子水中清洗;
18、将基底浸入丙酮中清洗;
19、将清洗后的基底冲洗,用氮气枪吹干后用plasma等离子体处理5min。
20、可选的,所述退火的温度为100℃,以及时间为30min。
21、可选的,所述将具有相等摩尔蒸发速率的fabr与pbbr2沉积在所述含有功能层的基底上之前,所述方法还包括:
22、对所述蒸发腔抽真空,真空度控制在10-3pa~10-4pa。
23、可选的,通过增加双端电流值控制所述蒸发速率。
24、第二方面,本申请提供了一种第一方面中任意一项实施例所述的方法制备得到的钙钛矿x射线面阵探测器。
25、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:
26、本申请提供了一种钙钛矿x射线面阵探测器的制备方法,通过热蒸发真空沉积制备fapbbr3钙钛矿x射线面阵探测器,采用双源共蒸的方法,将fapbbr3钙钛矿层与基底基板集成。通过将有机物fabr粉末熔化及冷却为块状,以防止有机物蒸发过程中发生暴沸,从而避免fabr的蒸发速率过快。通过本申请的方法可以得到薄膜质量高、器件一致性好、良好的界面匹配的钙钛矿x射线面阵探测器,并且由于可扩展性强,可实现在tft芯片上沉积出接触良好的高质量钙钛矿膜。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述加热的温度为50℃~70℃。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述加热的温度为60℃。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一蒸发舟中的所述FABr粉末熔化及冷却为块状包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述得到含有功能层的基底包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述得到含有功能层的基底之前,所述方法还包括:
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退火的温度为100℃,以及时间为30min。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将具有相等摩尔蒸发速率的FABr与PbBr2沉积在所述含有功能层的基底上之前,所述方法还包括:
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过增加双端电流值控制所述蒸发速率。
10.一种权利要求1-9中任意一项所述的方法制备得到的钙钛矿X射线面阵探测器。
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿x射线面阵探测器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述加热的温度为50℃~70℃。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述加热的温度为60℃。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一蒸发舟中的所述fabr粉末熔化及冷却为块状包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述得到含有功能层的基底包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛广达,向伍晨,唐江,徐凌,郑志平,刘志强,
申请(专利权)人:华中科技大学鄂州工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。