本发明涉及了一种用于泵浦的传导冷却半导体激光器封装结构及其封装方法。包括L形散热热沉，L形散热热沉的竖直臂上设置有AlN陶瓷基底，AlN陶瓷基底上方设置有与AlN陶瓷基底相匹配的多芯片阵列；所述多芯片阵列包括交替连接的钨铜热沉和mini...

本公开公开一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法，该外延片中：N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称；下波导层、上波导层均呈组分含量渐变特点，厚度非对称特点，并且所述下波导层中掺杂P原子；下垒层与上垒层均呈组分含量渐变特点...

本发明涉及一种优化电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述红光半导体激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、(Al

本发明公开一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片，所述芯片的P型限制层呈脊型台状，其两侧呈向内凹陷的凹槽。所述凹槽表面覆盖有绝缘层。所述脊型台的顶面上覆盖欧姆接触层。所述绝缘层和欧姆接触层上覆盖有P面电极层，且该P面电极层与所述凹槽...

本发明涉及一种轴连接式的巴条对准和保护装置及工作方法，属于半导体测试领域，包括真空装载平台和对准/保护板，对准/保护板通过一转动轴连接在真空装载平台靠近巴条放置区域的一侧；对准/保护板的材质为具有弹性的高分子材料，在巴条测试前的上条阶段...

本发明提供一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，包括以下步骤：生长半导体外延膜层及ESL；在外延片上依次形成一次二氧化硅掩膜和一次光刻胶掩膜，并光刻成周期性的脊条窗口；ICP刻蚀氧化硅掩膜；继续ICP刻蚀外延层至一定深...

一种短引线半导体激光器及其测试夹具与测试方法，属于半导体激光器封装技术领域，激光器，包括管座、管帽、激光器芯片、过渡热沉、PD芯片、金线；激光器芯片烧结在过渡热沉上，过渡热沉与PD芯片粘接在管座上；激光器芯片出光面向外，背光面朝向PD芯...

本发明涉及一种数显出纤光斑NA测试装置及其使用方法，属于激光器的封装制造技术领域。装置包括底板、调节架、插芯放置夹具、滑轨和光阑，其中，底板上设置滑轨，滑轨一端设置调节架，调节架上设置插芯放置夹具，插芯放置夹具夹持激光器输出光纤，滑轨上...

本发明涉及一种验证近红外激光器光斑尺寸的装置及使用方法，属于半导体激光器技术领域。装置包括激光器、APD芯片、放大电路和LED芯片，其中，所述APD芯片排列在电路板上，每个APD芯片连接一个放大电路，放大电路后置LED芯片，APD芯片前...

本发明涉及焊料切割技术领域，具体为一种高效精确切割焊料的半自动化装置，包括安装基座，所述安装基座的顶部活动安装有活动底座，且活动底座的顶部固定安装有真空吸板，所述活动底座的正面设置有第一从动齿条，所述安装基座的正面固定安装有间歇分割器，...

本发明涉及一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法，属于半导体光刻技术领域，本发明的基板上设置有凹槽，金属掩膜层位于凹槽的底部及侧壁上，金属掩膜层的高度小于凹槽的深度，制备方法包括：在透明基板上均匀涂覆一层负性光刻胶并进行曝光和显影处理，使...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种多巴条封装半导体激光器阵列烧结夹具。该烧结夹具包括：安装基座、固定座、斜坡件、边定位件、盖板、竖直重力件和斜面重力件。其中：所述固定座的上表面的左、右两侧对称固定有斜坡件，所述固定座的上表面的...

本发明涉及一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法，该装置提供新型光刻掩膜版和真空固定底座，将晶圆涂胶后在光刻掩膜版进行曝光，然后进行显影、刻蚀，在晶圆上制备深沟结构，再将晶圆固定在真空固定底座上，使得晶圆上的深...

本实用新型涉及一种环形半导体激光器叠阵系统的水冷结构，属于半导体激光器叠阵封装技术领域。结构包括进水环、出水环和环形半导体激光器叠阵系统，其中，环形半导体激光器叠阵系统顶部和底部分别设置有进水环和出水环，进水环内部设置有环形槽，环形槽内...

本实用新型涉及一种环形半导体激光器叠阵系统的侧面电极结构，属于半导体激光器叠阵封装技术领域。包括侧面电极和环形半导体激光器叠阵系统，其中，环形半导体激光器叠阵系统由环形叠阵激光器叠加组成，环形叠阵激光器一侧设置有L型电极槽，L型电极槽内...

本发明公开一种高速调制的大功率基模半导体激光器芯片，包括设置在芯片绝缘层上的有源锥形波导、无源弯曲波导、有源震荡级波导。其中：所述有源锥形波导、有源震荡级波导之间通过无源弯曲波导连接，且所述无源弯曲波导与有源锥形波导的窄端连接。同时，所...

本发明公开一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法。所述GaN电流通道埋设在该外延片中的Alx3Ga1

本发明涉及一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器，本发明的通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器在半导体激光器脊条两侧各设计一凸起结构，通过该凸起结构使得该结构下方波导区域的实际折射率变大，将传播到此处的高阶...

本发明涉及一种无铝有源区的红光半导体激光器及其制备方法，包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明涉及一种半导体激光器用管座的调距移载装置及使用方法，属于半导体激光器技术领域。装置包括x轴模组、y轴模组、z轴模组、u轴模组和吸料模组，其中，x轴模组设置于操作台两侧，x轴模组连接z轴模组，x轴模组用于带动z轴模组在x轴方向移动，...