本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头...

本发明涉及一种针对不均匀外延片巴条的波长筛选方法，属于半导体激光器技术领域。步骤如下：通过管芯工艺对外延片进行区域解理分割，将外延片分为若干巴条；对每个区域内的巴条进行编码；通过自动巴条测试机对巴条进行测试，测试条件保持一致；剔除不合格...

本发明涉及一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明提供了一种三五族化合物半导体外延工艺产生的高浓度含砷、磷废水的处理工艺，包括步骤：向废水中加入氢氧化钙进行搅拌反应；之后加入三氯化铁进行搅拌反应；反应完成后，经压滤得到一级处理废水；向一级处理废水中加入三氯化铁，调节pH为4

本发明涉及一种光纤耦合激光器的光路调整方法，属于激光器封装技术领域。在光纤耦合器和偏振合束器之间设置矩形光束生成装置，对向安装的多台阶热沉中间位置设置光束定位块，利用光路可逆，使光束沿直线传播原路返回，观察平行光是否在光束定位块的指定范...

本发明涉及一种Y型大功率单模半导体激光器及其制备方法，包括从下到上依次连接在一起的衬底、过渡层、N限制层、N波导层、量子肼有源层、P波导层和P限制层，P限制层的表面设置有凸起的肩部，肩部之间设置有脊波导，脊波导向后逐渐分为两个相同的分支...

本发明涉及一种具有低水平发散角的GaAs基大功率激光器及其制备方法。所述激光器包括从下至上依次设置的N面金属电极接触层、衬底、P面金属电极接触层、N限制层、下波导层、量子阱结构的有源层、上波导层、P限制层、SiO2电流注入阻隔层和P面金...

本发明涉及一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明涉及一种提高发光效率的LED外延结构及制备方法，属于LED外延结构技术领域。LED外延结构包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、复合量子阱层、边缘量子垒层、电子阻挡层和P型半导体层，其中，复合量子阱层包括交替设置的量子...

本发明涉及一种大功率半导体激光器热沉的表面清洗夹具及使用方法，属于半导体激光器封装技术领域。夹具包括底座和分体式托盘，其中，底座上放置有分体式托盘，分体式托盘包括上部托盘和下部托盘，上部托盘和下部托盘结构相同，上部托盘上设置有对应的贯穿...

本发明涉及一种半导体晶片分离装置及其使用方法，属于半导体工艺生产技术领域。装置包括上真空盘、下真空盘、气缸、温度调节控制系统和固定架，其中，固定架顶端竖向设置有气缸，气缸输出轴上连接有上真空盘，上真空盘下方的固定架上设置有下真空盘，下真...

本发明涉及一种自动化激光器测试装置及测试方法，属于激光器测试技术领域。装置，包括测试柜、三轴运动系统、激光器检测系统、显示器和控制系统，其中，测试柜上设置有三轴运动系统，三轴运动系统上设置有激光器检测系统，测试柜和三轴运动系统均连接有控...

本发明涉及一种微通道激光器叠阵快速修正装置及修正方法，属于半导体激光器封装技术领域。装置，包括平台、导轨、定位座、底座、滑台、固定块和滑轮，其中，平台上设置有导轨，导轨上滑动连接有定位座，导轨两侧的平台上设置有底座，底座上设置有滑台，滑...

本发明涉及一种医疗美容用半导体激光器及其封装方法。所述激光器包括通水热沉，所述通水热沉正面为焊接面，焊接面上设置有ALN陶瓷片，ALN陶瓷片上设置有巴条阵列；所述通水热沉背面设置有通水口，通水口上连接有通水通道；所述通水热沉上表面设置有...

本发明涉及一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明提供了一种宽光谱量子级联隧道结超辐射发光二极管，上述超辐射发光二极管包括自下而上依次设置的N面电极、衬底、多个子有源区，所述的相邻两个子有源区间设置有隧道结层；每个子有源区包括自下而上依次设置的N型限制层、N型波导层、量子阱层、P...

本实用新型涉及半导体发光器件加工技术领域，且公开了一种新型用于外延工艺的MOCVD石墨托盘，包括盘体，所述盘体的内部开设有凹槽，所述凹槽的内部活动套接有晶圆，所述凹槽的形状为弧形部分、弧形顶爪和直线部分。该新型用于外延工艺的MOCVD石...

本发明涉及一种检测单巴条性能的测试系统及使用方法，属于激光器生产设备技术领域，包括积分球测试套组、三维调节架、带有TEC温控系统的载物平台、带有TEC温控系统的快速按压夹具，通过双TEC温控系统精确控制待测单巴单元的实时温度，保证其测试...

本发明提供了一种外延高浓度含砷废水的处理方法，包括步骤：向外延高浓度含砷废水中加入次氯酸钙，进行搅拌曝气；之后加入三氯化铁，进行搅拌曝气；然后使用石灰乳溶液调节体系的pH为6.5

本发明涉及一种功率稳定输出的恒压红光半导体激光器模块及其制备方法与应用。所述模块包括热沉、红光LD芯片、光电二极管、反馈电路芯片和匹配电阻；热沉中央设置有第一金属区，第一金属区下方设置有第四金属区；第一金属区一侧设有第二金属区，另一侧设...