本发明提供一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子领域，在衬底上由下至上依次包括缓冲层、N限制层、AlGaAs下波导层、AlGaAs下垒层、GaAsP量子阱层、GaAs垒层一、InGaAs量子阱层、Ga...

本发明公开一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片，该芯片包括从下至上依次设置的N面金属、衬底层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源层、P型波导层、P型限制层、接触层和P面金属。该芯片的出光腔面上覆盖有AR膜，且该芯片的非出光腔面覆盖有高反...

本发明涉及一种自动化高功率半导体激光器光斑整形设备及整形方法，设备包括柜体、激光器安装台、三轴运动系统、直线滑台、透镜支架、透镜切割组件、透镜移动组件、光斑感应屏和控制系统，其中，柜体上部设置有光斑感应屏，柜体内设置有工作台，工作台一侧...

本发明涉及一种焊接、测试、老化一体化夹具及其应用，属于半导体激光器技术领域。夹具包括测试盘、焊接凸台、压装盘和串联铜块，其中，测试盘上均布环绕设置有焊接凸台，压装盘一侧环绕设置有串联铜块，压装盘另一侧环绕设置有压线弹簧，压线弹簧贯穿连接...

本发明公开一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，电流注入区呈凹槽状，由腐蚀掉全部非掺杂GaAs层以及部分高掺杂的GaAs欧姆接触层形成。电流注入区两侧表面覆盖有超厚绝缘层。通过非掺杂的GaAs层...

本发明涉及一种晶片减薄工序晶片与玻璃板分离的装置及应用，属于半导体激光器技术领域。装置包括加热架、玻璃板、真空吸附装置、气缸升降平台和底座，其中，底座上并列设置有2个气缸升降平台，气缸升降平台上设置有加热架，加热架内设置有玻璃板，2个气...

一种具有机械应力可控结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域，本发明利用MOCVD技术在GaAs衬底上生长AlGaAs材料，在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层，Al

本发明涉及一种微通道激光器叠阵单巴检测装置及检测方法，属于半导体激光器封装领域，包括底座、通水座和固定座，通水座一侧设置有进水口，另一侧设置有出水口，固定座上部设置有一固定架，固定架一侧设置有能够沿固定架上下移动的滑块，滑块前侧设置有一...

本发明涉及一种高兼容性镀膜夹具及使用方法，属于镀膜设备技术领域。夹具包括平板、U型架、上V型板、下V型板、固定板和辅助机构，其中，平板上设置有燕尾导轨A，燕尾导轨A一端设置有辅助机构，另一端竖向设置有U型架，U型架上从上到下依次滑动套装...

本发明涉及一种方便解理摆条的半导体激光器芯片及其制作方法。所述芯片包括外延片，所述外延片P面上设置有巴条和垫条，所述巴条和垫条间隔分布、交替设置，在巴条与垫条之间形成解理窗口；所述巴条上设置有管芯结构；所述外延片N面上设置有巴条区和垫条...

本发明涉及一种改善smile效应的半导体激光器巴条及其制备方法。所述半导体激光器巴条由若干个单巴条单元组成，中央单巴条单元的周期宽度最大，由中央向两侧单巴条单元的周期宽度依次递减；相邻的单巴条单元之间设置有沟槽；单巴条单元由下至上依次包...

本发明涉及一种半导体激光器用耦合器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。耦合器包括插芯、准直透镜和耦合器座，其中，耦合器座开口端设置有准直透镜，耦合器座内设置有插芯，通过插芯固定镀膜光纤尾端。本发明保证光纤端面清洁，避免人为损坏，可以...

本发明公开一种复合波导结构的AlGaInP红光半导体激光器件，其由下至上依次包括由下至上依次包括：衬底、缓冲层、组分为Al

本发明涉及一种提高散热效率的GaAs基大功率激光器芯片封装方法。所述方法包括步骤如下：在GaAs基大功率激光器芯片的P面粘附一层石墨烯薄膜，然后采用石墨烯

本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头...

本发明涉及一种针对不均匀外延片巴条的波长筛选方法，属于半导体激光器技术领域。步骤如下：通过管芯工艺对外延片进行区域解理分割，将外延片分为若干巴条；对每个区域内的巴条进行编码；通过自动巴条测试机对巴条进行测试，测试条件保持一致；剔除不合格...

本发明涉及一种带有V型模式扩展层的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明提供了一种三五族化合物半导体外延工艺产生的高浓度含砷、磷废水的处理工艺，包括步骤：向废水中加入氢氧化钙进行搅拌反应；之后加入三氯化铁进行搅拌反应；反应完成后，经压滤得到一级处理废水；向一级处理废水中加入三氯化铁，调节pH为4

本发明涉及一种光纤耦合激光器的光路调整方法，属于激光器封装技术领域。在光纤耦合器和偏振合束器之间设置矩形光束生成装置，对向安装的多台阶热沉中间位置设置光束定位块，利用光路可逆，使光束沿直线传播原路返回，观察平行光是否在光束定位块的指定范...

本发明涉及一种Y型大功率单模半导体激光器及其制备方法，包括从下到上依次连接在一起的衬底、过渡层、N限制层、N波导层、量子肼有源层、P波导层和P限制层，P限制层的表面设置有凸起的肩部，肩部之间设置有脊波导，脊波导向后逐渐分为两个相同的分支...