本发明涉及一种无铝有源区的红光半导体激光器及其制备方法，包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga

本发明涉及一种半导体激光器用管座的调距移载装置及使用方法，属于半导体激光器技术领域。装置包括x轴模组、y轴模组、z轴模组、u轴模组和吸料模组，其中，x轴模组设置于操作台两侧，x轴模组连接z轴模组，x轴模组用于带动z轴模组在x轴方向移动，...

本发明涉及一种半导体激光器用COS波长测试装置及测试方法，属于激光器测试技术领域，包括热沉底座和测试架，热沉底座位于测试架下方，测试架上设置有测试针，测试针与测试架之间通过位移结构连接，测试架一侧设有积分球；热沉底座上设有带芯片热沉，利...

本发明涉及一种通过侧向吸收区来抑制侧向激射的宽条形大功率半导体激光器及其制备方法，包括衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、绝缘层、N面电极和P面电极，宽条形大功率半导体激光器的脊条两侧各制备有用于对...

本发明涉及一种提高小功率半导体激光器COS合金质量的烧结夹具及烧结方法，属于半导体激光器技术领域。夹具包括底座、压块、下压螺丝和固定平台，所述底座上设置卡槽，所述固定平台通过固定柱固定于底座上卡槽所在面，压块通过定位柱活动设置于卡槽上方...

本发明涉及一种集成封装的半导体激光器及其制作方法，包括激光器芯片和激光器热沉，激光器热沉上表面排列有激光器负极引线区和激光器正极引线区，激光器负极引线区与激光器正极引线区之间设置有隔离槽；激光器负极引线区上侧设置有焊料负极区，焊料负极区...

本发明公开一种可提高输出光斑均匀度的半导体激光器，位于该激光器件内部的光纤在弯曲应力作用下处于弯曲状态，从而使所述光纤形成一定弧度的弯曲，这种状态下的光纤可以改变激光在其内部的全反射路径，使得光斑输出时均匀度更好。针对现有的光纤合束输出...

本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al

本发明涉及一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。本发明以CBr4和DETe为P、N型掺杂源构建隧道结的方式将915nm和976nm的两个量子阱外延结构连接起来，双波长的外延结构通过...

本实用新型涉及一种镀膜机的蒸发源盖板，属于镀膜机技术领域。盖板包括平板、承载件和衬套，平板一侧设置有矩形槽，矩形槽内设置有承载件，承载件内设置有衬套，衬套一侧设置有开口。本实用新型结构简单，操作方便，有效的解决膜料污染和膜料卡坩埚的问题...

本发明涉及一种半导体激光器用COS光斑扎测装置及扎测方法，属于激光器材料技术领域，包括基架，基架中设有热沉底座，基架一侧设有扎测针，扎测针两侧设有摄像头和收光板；热沉底座上设有待扎测的带芯片热沉，带芯片热沉包括横梁架、热沉块和芯片，横梁...

本发明涉及一种具有超晶格窄波导大功率980nmLD外延片结构及其制备方法，属于光电子领域，本发明的AlGaAs/GaAs超晶格组具有低的限制因子，可以大大降低波导层的生长厚度，不仅可以满足大功率980nmLD对COD参数的要求，也克服了...

本发明涉及一种一次烧结多个半导体激光器的烧结夹具。该夹具包括：上、下固定板以及连接柱；若干压块分别通过上固定板上的矩形孔和下固定板上对应于COS的位置的圆孔压住待烧结的COS两侧。有定位片于对COS进行定位；另有一承载下固定板的套架罩在...

本发明涉及一种应变补偿优化波长均匀性的无铝808nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Ga

本发明提供了一种半导体激光器管帽焊接强度的测试装置，包括：底座支架和扭力扳手；所述底座支架为回型结构，所述回型结构的内侧底部设置有管座夹具，回型结构的内侧上部设置有圆形通孔，圆形通孔与管座夹具相对设置；贯穿圆形通孔设置有管帽夹具，管帽夹...

本发明涉及一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于光电子技术领域，器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、(Al1‑

本发明涉及一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法。本发明中GaAsP量子阱和GaInP限制层之间的上下波导层均由P组分渐变的GaAsP波导层和固定组分的GaAsP波导层两部分组成。GaAsP组分渐变波导层和GaAsP固定组分波导层...

本发明提供了一种在接触式光刻机上实现接近式曝光的光刻版及其应用方法，所述光刻版包括透明基板、所述透明基板上设置有圆柱体，在设置有圆柱体的透明基板的一面上设置有铬层，所述铬层位于透明基板以及圆柱体的上端面上。上述光刻板的应用方法，包括步骤...

本发明涉及一种界面优化的AlGaInP/AlGaAs非对称半导体激光器件及其制备方法。所述器件由下至上包括衬底、GaAs过渡层、GaAsP下过渡层、AlGaInP下限制层、下波导层、有源区、上波导层、GaAsP上过渡层、AlGaAs上限...

本发明涉及一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述半导体器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs1‑