南茂科技股份有限公司专利技术

南茂科技股份有限公司共有545项专利

  • 本发明提供一种半导体结构,包含:具有一封装阵列的一基板,封装阵列具有多个接垫及一保护层,接垫暴露于保护层之外并以阵列方式排列;一非导电层覆盖基板及封装阵列,具有多个通孔,以暴露出这些接垫;多个芯片,借助非导电层黏结至基板的封装阵列上,各...
  • 本发明提供一种制造半导体结构的方法,包含:形成具有一封装阵列的一基板,封装阵列具有多个接垫及一保护层,接垫暴露于保护层之外;形成一热固性非导电层覆盖基板;部份固化热固性非导电层以形成一半固化非导电层;接合多个芯片至基板的封装阵列上,各芯...
  • 本发明揭示一种覆晶封装结构和封装制程。覆晶封装结构包括一芯片承载 器、一芯片、多个凸块、一非导电胶体以及一挡墙。芯片承载器具有多个第一 接点。芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫,其中这些焊垫配 置于芯片的有源表面的一中心区域...
  • 本发明提供一种芯片堆叠封装结构及其方法。芯片堆叠封装结构包含一主要基板模块、一第一中继基板模块以及一封胶树脂。主要基板模块具有一基板及一第一芯片。基板具有一第一表面与相对的第二表面。第一芯片设置于第一表面上且通过第一凸块电性连接至基板。...
  • 本发明是关于一种封装结构以及其制造方法。该封装结构包含一基材层、多个芯片、一复合树脂层以及一支撑层。该基材层形成有一电路,该电路具有多个接点,自一防焊层显露出来。这些芯片结合至该基材层上,以形成一第一带体。其中,各该芯片具有多个接垫、形...
  • 在本发明的微机电晶圆切割方法中,其先贴附一承载膜于一晶圆的背面;接着设置一保护膜于该晶圆的主动面,使得该保护膜的数个凹口覆盖该主动面的数个感测区;再根据该晶圆的切割道切割该保护膜及该晶圆,以分离形成数个微机电晶粒;最后移除该保护膜。经由...
  • 本发明提供一种晶片切割方法,是于一晶片的有源面切割一设定深度,再研磨该晶片的背面以形成多个芯片,接着设置分离的芯片贴膜于每一芯片的背面。藉此,本发明的晶片切割方法形成的每一芯片的背面较为平滑且各边缘位置较为平直,故芯片较为完整、无损伤、...
  • 本发明是提供一种芯片封装单元,适以与另一相同结构的芯片封装单元进行电性堆迭。该芯片封装单元包含一芯片及二导电结构。各该导电结构是通过一第一端部区域,以一第一表面与一主动面电性连接,并沿该芯片的其中一端面弯折。该芯片封装单元的一第二端部区...
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一基底、一衬垫、一保护层、一弹性凸块、一导电层及一探针标记。衬垫设置于基底上,保护层设置于基底上且部分覆盖衬垫以定义一开口。弹性凸块设置于开口暴露出的衬垫上,且其一底部宽度小于开口的一...
  • 本发明揭示一种芯片封装结构,其包括一第一基板、一第二基板、多个凸块、一第一B阶粘着层及一第二B阶粘着层。第一基板具有多个第一焊垫。第二基板具有多个第二焊垫且第二基板设置于第一基板的上方。这些凸块设置于第一基板与第二基板之间,其中各第一焊...
  • 本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先,提供一具有多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板,并在第一基板的这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板或在第二基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着...
  • 本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先,提供一具有多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板,并在第一基板的这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着层。在第二基...
  • 本发明揭露一种溢胶去除机构,包含有:一输送装置,用以承载多个模封芯片,并将这些模封芯片输送至输送装置的某一特定位置;及一刀具装置,设置于上述特定位置,用以破坏模封芯片的溢胶与导线架的连结;其特点是:刀具装置进一步包含一上活动件与一下活动...
  • 本发明是一种芯片堆叠结构,其包括:基板,具有正面及背面且具有凹槽设置在基板的正面内及多个通孔在基板的两侧;导电层,设置在多个通孔内以形成多个导电柱;第一芯片,具有主动面及背面,且将主动面朝上并通过第一黏着层将第一芯片的背面固接在基板的凹...
  • 本发明是一种半导体封装结构,其包含:基板,具有正面及背面,且具有开口穿透过基板;第一芯片,具有主动面及背面,主动面朝上通过第一黏着层覆盖在开口,并通过第一黏着层贴附在基板的背面上;第一导线,通过开口电性连接第一芯片及基板的正面;第二黏着...
  • 本发明是一种封装结构,包含:提供一基板,具有一正面及一背面,且于正面上具有第一凸块底层金属(UBM)层;一图案化的焊垫屏蔽层(pad mask layer),形成在第一凸块底层金属层上,且曝露出部份第一凸块底层金属层的一表面;多个导电柱...
  • 本发明是一种芯片堆叠结构,其包含:基板,具有正面及背面且分别配置有线路布局及具有开口贯穿基板;第一芯片,具有主动面及背面,其中第一芯片的主动面朝下,且通过第一黏着层将第一芯片的部份背面贴附在基板的背面上,并曝露出未被第一黏着层覆盖的第一...
  • 本发明是一种修正凸块尺寸的方法,包括:提供一晶片且具有一主动面;形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上;提供具有一图案的光掩模层,其中该图案为一几何形状;执行一第一曝光工序,使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上;执行一显影及蚀刻步骤,以移...
  • 本发明是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法。该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层,局部覆盖该衬垫,以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域,使得该导电结构适可通过该第一开口区域,与该衬垫呈电性连接。该导电结构覆盖该第一开...
  • 本发明提出一种芯片封装,包括一具有一开口的线路基板、一第一芯片、多条第一焊线、一元件、一第一粘着层以及一封装胶体。第一芯片具有一第一有源面与一相对于第一有源面的第一背面。第一芯片倒装于线路基板上并电性连接至线路基板。第一焊线电性连接至线...