【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种切割方法,具体说,是关于一种。
技术介绍
在现有的中,其工序是先将晶片研磨后再与芯片贴膜(die attach film, DAF)进行贴合,之后再进行切割的动作,以分离成多个芯片及芯片贴膜,因此不仅 工序较为复杂,且容易造成芯片侧面碎裂(Side Chipping)和芯片背面碎裂(Back side Chipping),故芯片强度不足,容易在后续贴片工序产生芯片碎裂。且亦容易有芯片贴膜边 缘因刀具切割时产生毛边。另一种现有的为DBG(Dicing before grinding)工序,其是先于晶 片有源面上进行预切割,之后再于非有源面上进行晶片研磨,藉此预防芯片侧面碎裂和芯 片背面碎裂的问题产生。DBG工序所制造的芯片于设置到载体时,需于载体上先涂覆黏胶, 再以芯片黏置于载体上,再进行打线等工序。然而,其制作过程繁杂,无法精简工序。再者,DBG工序由于晶片较薄,适用于多颗芯片堆叠,若需堆叠芯片时,则必须再与 芯片贴膜(die attach film,DAF)进行贴合,之后必须再进行一次芯片贴膜的切割步骤,因 此不仅工序较为复杂,且容易造成 ...
【技术保护点】
1.一种晶片切割方法,包括以下步骤:(a)提供一晶片,该晶片具有一有源面及一背面;(b)切割该有源面至一设定深度,以形成多个槽道,这些槽道界定多个芯片;(c)研磨该背面至显露这些槽道,以分离这些芯片;(d)设置一黏贴膜层于一载体的一表面,该黏贴膜层具有多个分离的芯片贴膜,且该每一芯片贴膜的尺寸实质上等于每一芯片的背面的尺寸;及(e)设置这些芯片贴膜于每一芯片的背面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李和鸿,
申请(专利权)人:南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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