用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法技术

本发明专利技术是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法。该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，使得该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构覆盖该第一开口区域与部分该保护层，以提供该衬垫与一凸块间较低阻抗的导电性能，同时该导电结构在其他位置的保护层上，并无断点的形成，此还具有使导电更加稳定的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种导电结构；特别是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成 方法。
技术介绍
凸土央电镀于微电子(microelectronics)及微系统(micro system)等领域已发展 出许多技术，诸如平面显示器(flat panel displays, FPD)与驱动芯片(driverICs)的连 接、砷化镓芯片上的传导线与气桥(air bridges)技术、以及LIGA技术中X-ray光罩的制 作等，均于不同阶段使用到该凸块电镀技术。 以电路板与IC芯片的连接为例，IC芯片可利用各种方式与电路板连接，而其封装方式主要便是利用凸块(特别是金凸块)电镀技术，将ic芯片中的衬垫与电路板电性连接。此技术不仅可大幅縮小IC芯片的体积，还使其可直接嵌入电路板上，具有节省空间、低感应及散热能力佳等特性，加上电镀工艺的低成本优势，致使凸块电镀技术得以蓬勃发展。 典型的凸块电镀工艺，例如金凸块电镀工艺，需要在衬垫上先行形成一底层金属(under bump metal)，底层金属除作为接合凸块与衬垫的黏着层外，还通常与一导电层电性连结，其中该导电层可与底层金属可分别或同时形成、也可利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，该保护层具有一边缘区域，以界定出该衬垫的一暴露区域，该导电结构包含：至少一中间导电层，具有一边缘区域，形成于该保护层的上方，该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的边缘区域，顺序形成为一阶梯状的轮廓，并界定出一容置空间；一底层金属，该底层金属与该暴露区域接触，并连续延伸覆盖该保护层的边缘区域及该至少一中间导电层的边缘区域；以及一凸块，对应于该暴露区域，形成于该底层金属上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐中邦，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]