半导体芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片及其制造方法，上述半导体芯片包含安装于封装基板的芯片。芯片包含：半导体基板；多个金属层间介电质层，位于半导体基板上；多个金属互连层，其中每一金属互连层上形成至少两个等电位金属线；保护层，覆盖上述至少两个等电位金属线，其中保护层内形成两个开孔，以暴露上述至少两个等电位金属线中每一等电位金属线的一部分；导电构件，在外部安装于保护层上的上述两个开孔之间；以及再分布层，于上述导电构件之上形成。本发明专利技术提供的改进的半导体芯片以及芯片封装，能够减少半导体芯片的局部电压降并且增进其热性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体芯片与芯片封装，特别是关于集成半导体电路装置的改进的封装结构。
技术介绍
集成电路(以下简称为IC)的电压(或称为IR)降是减少IC组件的尺寸的设计考虑重点之一。通常，外部电源经由引脚(lead pin)及键合焊盘(bondpad)连接至内部芯片(die)电路，其中，键合焊盘是经由电源焊盘单元(powerpad cell)直接连接至芯片。通常利用细金属丝电力线网格(power-bus grid)来将电源由电源焊盘单元传送(route)至芯片电路，其中，芯片电路贯穿于核心。经由电力线网格分布到芯片电路的电源可能存在显著的问题。例如，当电路试图运作于相对低的电压时， 一个微小的电压降可导致有缺陷的操作。横跨焊线(wire)或者芯片的一个区域的上述电压降，成比例于焊线或者区域传导的电流量以及相应的内部电阻。因此，IC的电力分布结构的内部电阻需要详细的检査与深入的研究，以保证提供不超过足够量的电源绕线(power routing),或者，设计者必须猜测合适的电源绕线量。为了避免上述缺陷，IC设计者尝试通过设计程序来控制电压降。于美国专利No. 6，770，982中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，其特征在于，上述半导体芯片包含：　封装基板；以及　集成电路芯片，安装于上述封装基板的第一表面，上述集成电路芯片包含：半导体基板；多个金属层间介电质层，位于上述半导体基板上；金属互连层的多个层，位于上述金属层间介电质层内，其中上述金属互连层中的一个层上形成至少两个等电位金属线；保护层，覆盖上述至少两个等电位金属线，其中上述保护层内形成两个开孔，以暴露上述至少两个等电位金属线中每一等电位金属线的一部分；导电构件，在外部安装于上述保护层上的上述两个开孔之间；以及再分布层，于上述导电构件之上形成，其中上述再分布层填充至上述两个开孔，使得上述等电位金属线经由上述再分布层与上述导电构件彼此...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饶哲源，张圣明，李锦智，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]