本发明提供一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括衬底、转移栅沟槽及转移栅结构，其中，衬底中埋设有光电二极管，转移栅沟槽位于自衬底顶面开口，并往光电二极管方向延伸，且转移栅沟槽的底面高于光电二极管的顶面，转移栅结构位于转移栅沟槽中并...

本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，其方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素区；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在各像素区形成若干环形沟槽，不同像素区的环形沟槽尺寸不同；在所述介质层上形成金属膜层...

一种金属互连结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成金属沟槽；在所述金属沟槽内形成Mn薄膜，所述Mn薄膜覆盖所述金属沟槽的侧壁和底部表面；在所述金属沟槽内...

本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法。所述晶圆键合结构包括：第一晶圆；第一介质层，位于所述第一晶圆上；金属互连结构，位于所述第一介质层中，且所述金属互连结构被分隔成至少两个局部连通的子金属互连结构。所述的晶圆键合结构以及形成方法，将所...

本发明技术方案公开了一种晶圆传送盒及其控制方法，所述晶圆传送盒包括：滑轨结构件，设于晶圆传送盒侧壁；晶圆支撑件，具有滑动部和钳制部，所述滑动部与所述滑轨结构件配合，所述钳制部与晶圆配合；控制机构，与所述晶圆支撑件连接，以控制所述晶圆支撑...

本发明公开了一种液体浓度控制装置，包括：第一液体补充单元；第二液体补充单元；混合槽进液阀，所述第一液体补充单元、第二液体补充单元连通至所述混合槽进液阀的第一端；混合槽，所述混合槽连通至所述混合槽进液阀的第二段；混合槽排液阀，所述混合槽排...

本发明提供了一种离子注入角度监测方法及系统，所述方法包括如下步骤：从用于晶圆离子注入的离子束中分隔出监测束；将所述监测束在未装载晶圆时的照射路径作为标准照射路径，确定所述标准照射路径；将所述监测束在装载晶圆时的照射路径作为实时照射路径，...

本发明涉及一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；...

本发明技术方案公开了一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层结构，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度大于中间区域厚度；在所述栅极氧化层上形成栅极。本发明提高了MOS晶体管的可靠性。

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底表面形成突出层；在所述基底表面形成覆盖各个所述突出层的顶部表面和侧壁表面的图形层，且所述突出层和基底表面的附着力大于所述图形层和基底表面的附着力。所述方法形成的半导体结构...

一种光学投影系统的矫正方法，包括：采用光学投影系统对所述掩膜版分别进行第一次曝光至第N次曝光，获得第一曝光标记图形至第N曝光标记图形，曝光条件包括曝光能量和焦深；根据第一曝光标记图形的尺寸至第N曝光标记图形的尺寸、以及第一次曝光至第N次...

本申请涉及一种芯片模组封装定位方法。所述定位方法包括：提供电路板，所述电路板具有第一表面；在所述电路板的第一表面形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽与待封装芯片相匹配，所述第二沟槽与待封装底座的封装部相匹配；将所述待封装芯片定位于所述第...

本申请涉及半导体器件的制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。本申请提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上像素区域，所述一个以上像素区域包括白色像素区域；第一介质层，位于所述半...

本申请涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器的制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区，所述一个以上光电转换区内分别形成有感光元件；在所述半导体衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层内以及所述一个以上光电转换区...

该发明涉及一种晶圆监测装置及晶圆监测方法，其中晶圆监测装置包括：图像采集器，用于采集晶圆的图像信息；控制器，连接至所述图像采集器，用于根据获取到的图像信息判断晶圆的情况。本发明的晶圆监测装置及晶圆监测方法利用图像采集器采集晶圆的图像信息...

本发明涉及一种用于切割晶片的刀具，包括：第一刀片，其具有由具有第一尺寸的颗粒物制成的表面；第二刀片，其布置在第一刀片的第一侧，使得第二刀片至少部分地覆盖第一刀片的第一侧，其中所述第二刀片具有由具有第二尺寸的颗粒物制成的表面并且其中第二尺...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底，设置在衬底上的像素阵列，像素阵列包括至少一个成像像素单元、至少一个全色相位检测像素单元以及至少一个滤色相位检测像素单元，其中，全色相位检测像素单元用于基于入射进入的全色的光生成全...

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成二极管掺杂层；在二极管掺杂层中的顶部区域形成顶层掺杂层，所述顶层掺杂层的导电类型与二极管掺杂层的导电类型相反；形成顶层掺杂层的方法包括：在所述二极管掺杂层的表面形成扩散层...

本公开涉及一种光电装置及其制造方法。光电装置包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。

一种图像传感器的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的背面形成介质薄膜；对所述介质薄膜以及所述半导体衬底进行刻蚀，以形成刻蚀沟槽；采用原子层沉积工艺形成氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜覆盖所述刻蚀沟槽的侧壁和底部表面。本发...