【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。图像传感器通常为两种类型，电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)。相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。背照式CMOS就是将其掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。目前，CMOS图像传感器在工作过程中，会先通过滤光片将入射光过滤为红蓝绿三种单色光，然后光电二极管分别收集相应的光信号，输出电信号，并通过差值计算还原出图像。但是，由于不同颜色滤光片的材质是不同的，因而不能同时形成，并且相邻滤光片之间还需要做隔离...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素区；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在各像素区形成若干环形沟槽，不同像素区的环形沟槽尺寸不同；在所述介质层上形成金属膜层，且所述金属膜层覆盖所述环形沟槽，各所述像素区的所述金属膜层呈凹凸环形分布；刻蚀所述金属膜层环状分布中心区域至露出所述介质层表面，在凹凸环形分布的所述金属膜层的中心位置处形成通光孔。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干像素区；在所述半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，在各像素区形成若干环形沟槽，不同像素区的环形沟槽尺寸不同；在所述介质层上形成金属膜层，且所述金属膜层覆盖所述环形沟槽，各所述像素区的所述金属膜层呈凹凸环形分布；刻蚀所述金属膜层环状分布中心区域至露出所述介质层表面，在凹凸环形分布的所述金属膜层的中心位置处形成通光孔。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述像素区包括：红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述红色像素区的环形沟槽环宽为580nm～620nm，所述绿色像素区的环形沟槽环宽为380nm～420nm，所述蓝色像素区的环形沟槽环宽为280nm～320nm。4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成环形沟槽的工艺包括：在所述介质层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成对应不同像素区尺寸不同的环形沟槽图形；以所述光刻胶层为掩膜，沿所述环形沟槽图形刻蚀所述介质层，形成环形沟槽；去除所述光刻胶层。5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：马亚辉，吴明，林宗贤，吴龙江，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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