【技术实现步骤摘要】
半导体基板结构及其制作方法
本揭示涉及显示
，特别涉及一种半导体基板结构及其制作方法。
技术介绍
现有显示器(例如手机和电视)的半导体基板结构不具有感应器。感应器独立设置在所述半导体基板结构以外的位置，因而无法在所述半导体基板结构上定点感应，因此造成手机指纹识别及/或环境光监测和电视的遥控的性能不佳。故，有需要提供一种半导体基板结构及其制作方法，以解决现有技术存在的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供半导体基板结构及其制作方法，所述半导体基板结构具有光学侦测性能。为达成上述目的，本揭示提供一半导体基板结构。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及遂穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述遂穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。于本揭示其中的一实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述遂穿二极管的阳极设置在所述基板上的相同层上。于本揭示其中的一实施例中，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述遂穿二极管的阳极的材料相同，且所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述遂穿二极管的所述阳极...
【技术保护点】
1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括:基板；金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述基板上；以及遂穿二极管，设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。
【技术特征摘要】
1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括:基板；金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述基板上；以及遂穿二极管，设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。2.如权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极和所述遂穿二极管的阳极设置在所述基板上的相同层上。3.如权利要求2所述的半导体基板结构，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述遂穿二极管的所述阳极的材料相同，且所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述遂穿二极管的所述阳极均为钼/铜叠层或钼/铝叠层。4.如权利要求2所述的半导体基板结构，其特征在于，还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述基板、所述金属氧化物薄膜晶体管的所述栅极和所述遂穿二极管的所述阳极上。5.如权利要求4所述的半导体基板结构，其特征在于，所述栅极绝缘层为SiOx层、SiOx/SiNx叠层、SiNx/SiOx叠层、SiOx、SiNx与SiNO相互叠层、SiOx、SiNx与Al2O3叠层或AlN层。6.如权利要求2所述的半导体基板结构，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括层迭的有源层沟道、第一阻挡层和源漏电极，所述遂穿二极管还包括层迭的半导体层、第二阻挡层和阴极...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，刘念，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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