半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备制造方法及图纸

本申请涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。一种制造半导体装置的方法，包括在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽，通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域，以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的一侧形成第二沟槽。第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。

Manufacturing methods and equipment of semiconductor devices and devices

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备
本专利技术涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。
技术介绍
在诸如固态图像感测装置和半导体存储器设备的半导体装置中，可能产生由于诸如重金属之类的杂质或晶体缺陷而引起的噪声或泄露电流。日本专利公开No.2016-184624公开了一种通过在元件隔离部分的侧面上布置吸杂区域(getteringregion)来抑制由杂质引起的电荷发射从而降低噪声的技术。在日本专利公开No.2016-184624中公开的技术中，虽然该技术具有可以在元件附近的区域中对金属杂质进行吸杂的优点，但是即使在相对低温的退火中，金属杂质也可能返回到元件附近。因此，制造过程中的温度受到限制，并且该技术易受工艺变化的影响。另外，由于吸杂区域的缺陷本身会成为噪声产生源，因此元件设计受到限制。可能难以充分确保元件的面积。
技术实现思路
本专利技术提供了一种有利于抑制由诸如重金属之类的杂质和晶体缺陷引起的噪声或泄露电流的产生的技术。本专利技术的第一方面提供了一种制造半导体装置的方法，包括：在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽；通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽；通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域；以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的所述一侧形成第二沟槽，其中，第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。

【技术特征摘要】
2018.01.31 JP 2018-0155071.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽；通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域；以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的所述一侧形成第二沟槽，其中，第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体基板的第一面具有存在第一沟槽的区域和除所述区域之外的其他区域，在形成吸杂区域时，在所述其他区域被掩模遮蔽的状态下，离子通过第一沟槽被注入到半导体基板中。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成吸杂区域之后且在半导体基板中形成第二沟槽之前，在第一沟槽中布置第一分离构件。4.根据权利要求3所述的方法，其中在形成第二沟槽时，去除第一分离构件的一部分和半导体基板的一部分。5.根据权利要求3所述的方法，其中在形成第二沟槽时，去除吸杂区域的一部分。6.根据权利要求3所述的方法，还包括在第二沟槽中布置第二分离构件，其中第二分离构件与第一分离构件和吸杂区域中的至少一个接触。7.根据权利要求3所述的方法，其中在形成第二沟槽时，蚀刻半导体基板，使得第一分离构件的上部从第二沟槽的底表面突出，所述方法还包括在第二沟槽中布置第二分离构件，以及第二分离构件的下端具有凹部，并且第一分离构件的上部被装配在第二分离构件的凹部中。8.根据权利要求3所述的方法，其中在形成第二沟槽时，形成包括第二沟槽的多个沟槽，以及所述多个沟槽包括在第一分离构件上形成以便暴露第一分离构件的第二沟槽和在不存在第一分离构件的区域上形成的第三沟槽。9.根据权利要求1所述的方法，还包括在半导体基板中形成电荷累积区域，其中吸杂区域位于电荷累积区域和第一沟槽之间。10.根据权利要求1所述的方法，还包括通过去除半导体基板在第二面的一侧的一部分来减薄半导体基板，其中在减薄半导体基板时，半导体基板被减薄为使得吸杂区域的至少一部分被去除。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄山敏弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP