一种图像传感器及其制作方法技术

本申请涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器的制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区，所述一个以上光电转换区内分别形成有感光元件；在所述半导体衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层内以及所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区之间形成深沟槽；在所述深沟槽内填充光波导结构；去除所述掩膜层；在所述光电转换区上方形成滤色层，其中，所述光波导结构隔离所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区和相邻的所述滤色层，并防止光线在相邻的所述光电转换区串扰，提高了图像质量。

An Image Sensor and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
目前CMOS图像传感器有前照式图像传感器和背照式图像传感器两种结构。前照式图像传感器就是光线穿过金属布线层到达光电转化区进行感测光线的结构，而背照式图像传感器则是将光电转换区置于金属布线层上方从而光线不需穿过金属布线层就可到达光电转换区进行感测光线的结构。背照式图像传感器相对于前照式图像传感器具有更大的光电转换效率，因此背照式图像传感器得到了更广泛的运用。在背照式图像传感器中，光线经由微透镜聚集后首先通过滤色层，经过滤色层选择后的光线直接进入光电转换区，然后被感光元件感测。然而有时通过滤色层的光线会因入射角度问题而进入到相邻的光电转换区，产生光线串扰进而影响图像质量，因此，能够更好地防止光线串扰的图像传感器中结构一直在被探索。
技术实现思路
本申请提供一种图像传感器及其制作方法，防止图像传感器中通过滤色层的光线因入射角度问题进入相邻的光电转换区，从而避免图像传感器中出现串扰，提高图像质量。本申请的一个方面提供一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区；滤色层，所述滤色层位于所述一个以上光电转换区上；光波导结构，所述光波导结构位于所述一个以上光电转换区中任意相邻的光电转换区之间并延伸至与所述相邻的光电转换区位置对应的所述滤色层之间。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区；滤色层，所述滤色层位于所述一个以上光电转换区上；光波导结构，所述光波导结构位于所述一个以上光电转换区中任意相邻的光电转换区之间并延伸至与所述相邻的光电转换区位置对应的所述滤色层之间。2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述光波导结构包括：金属阻挡层；以及介质阻挡层，位于所述金属阻挡层两侧以及底部。3.如权利要求2所述图像传感器，其特征在于，所述金属阻挡层材料为具有吸光能力的材料。4.如权利要求2所述图像传感器，其特征在于，所述介质阻挡层包括一层以上的介质层，所述一层以上的介质层的折射率从所述光电转换区至金属阻挡层方向依次减小。5.如权利要求4所述图像传感器，其特征在于，所述介质阻挡层包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的折射率为1.8至2.5，所述第二介质层的折射率为1至1.79。6.如权利要求5所述图像传感器，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅，第二介质层为二氧化硅。7.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上光电转换区；在所述半导体衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层中以及所述一个以上光电转换区中任意相邻的光电转换区之间形成深沟槽；在所述深沟槽内填充光波导结构；去除所述掩膜层；在所述光电转换区上形成滤色层，其中，所述光波导结构位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵培培，吴明，林宗贤，吴龙江，孙明亮，马亚辉，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32