【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，半导体芯片朝向更高的器件密度、高集成度方向发展。因此，半导体器件的尺寸也随之不断减小。其中，MOS晶体管尺寸在减小的过程中，其包含的栅氧化层的厚度也在不断变薄。由于栅氧化层在集成电路中起着重要作用，因此在集成电路制造业中栅氧化层完整性的控制非常重要。目前MOS晶体管的阈值电压、驱动能力以及耐压等基本特性是与器件的沟道长度、栅极氧化层的厚度以及源漏极掺杂浓度等条件密切相关，因此栅极氧化层厚度的变薄，导致了MOS晶体管的耐压能力变低、尤其是源漏极间的耐压能力变差，容易发生击穿，降低了MOS晶体管的可靠性。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是：针对现有MOS晶体管尺寸不断减小过程中，栅氧化层的厚度也不断变薄，致使源漏极间的耐压能力变差，容易击穿的缺陷，提供一种半导体器件及其形成方法，提高了MOS晶体管的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体器件的形...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层结构，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度大于中间区域厚度；在所述栅极氧化层上形成栅极。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层结构，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度大于中间区域厚度；在所述栅极氧化层上形成栅极。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极氧化层结构的材料为二氧化硅。3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度比中间区域厚度厚4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成栅极氧化层结构的步骤包括：在所述半导体衬底上形成第一栅氧化层；在所述第一栅氧化层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，形成开口图形，所述开口图形对应所述第一栅氧化层中间区域；以光刻胶层为掩膜，沿所述开口图形刻蚀所述第一栅氧化层至露出所述半导体衬底，形成开口；去除所述光刻胶层后，在所述第一栅氧化层和所述开口内的半导体衬底上形成第二栅氧化层。5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅氧化层的工艺为原位蒸汽氧化工艺或干氧氧化工艺。6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一栅氧化层的工艺为干法刻蚀工艺。7.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅氧化层的工艺为原位蒸汽氧化工艺。8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成栅极氧化层结构的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪红红，洪纪伦，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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