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本发明技术方案公开了一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极氧化层结构，所述栅极氧化层结构的边缘区域厚度大于中间区域厚度；在所述栅极氧化层上形成栅极。本发明提高了MOS晶体管的可靠性。...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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