一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；以及除去第二沟槽。通过本发明专利技术，可以提供半导体器件的具有较低粗糙度(如TTV)的表面，进而提高半导体器件的性能和良品率。

A Method for Providing Flat Surface of Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法
本专利技术总体而言涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法。此外，本专利技术还涉及一种图像传感器。
技术介绍
如今，半导体器件已深入到现代生活的方方面面。而诸如计算机、移动电话之类的大多数电子产品的核心部件、如处理器、存储器等都含有半导体器件。半导体器件已在现代信息化设备中扮演至关重要的角色。在诸如图像传感器之类的半导体器件中，表面粗糙度将影响器件的性能。例如，在背照式图像传感器中，其背面、即配备微透镜的那面的总厚度变化(TotalThicknessVariation，TTV)将显著影响成像性能。如何降低表面的TTV，是许多制造商的重要研究课题。目前，CMOS图像传感器的背面减薄方法主要是通过研磨加化学机械抛光(CMP)来实现的。但是，由于研磨的材料去除量比较大(大约超过700μm),因此造成经研磨后的器件表面的TTV较大。即使经过后续的CMP,也难以将其TTV控制在较低水平，例如其TTV一般在1.5μm-3μm。
技术实现思路
本专利技术的任务是提供一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，通过该方法，可以提供半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底的与第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；以及除去第二沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底的与第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；以及除去第二沟槽。2.根据权利要求1所述的方法，其中在平坦化的第一沟槽上形成附加层包括下列步骤：在平坦化的第一沟槽上形成第一外延层；在第一外延层上形成第二外延层；在第二外延层处形成光电二极管；在第二外延层和光电二极管上形成器件层；以及在器件层上形成粘合层和承载层。3.根据权利要求1所述的方法，其中从衬底的与第一侧相对的第二侧除去衬底以露出第二沟槽包括下列步骤：从衬底的与第一侧相对的第二侧对衬底进行研磨，使得露出填料层；通过湿法工艺除去残留的衬底以形成第二沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈楚，管斌，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32