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德淮半导体有限公司专利技术
德淮半导体有限公司共有1239项专利
堆叠型背照式图像传感器及其制造方法技术
本公开涉及一种堆叠型背照式图像传感器及其制造方法。一种堆叠型背照式图像传感器包括:第一电路;以及第二电路,其中所述第一电路产生的热量大于所述第二电路产生的热量,散热件,所述散热件包括第一散热部和第二散热部,其中所述第一散热部位于所述堆叠...
背照式图像传感器及其制造方法技术
本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括:晶片堆叠,包括:第一晶片,包括第一衬底和在第一衬底之上的第一布线层,第一衬底包括像素区域和像素区域周围的外围区域;第二晶片,包括第二衬底和在第二衬底之上的第二布线层;以及位于...
图像传感器及其形成方法技术
一种图像传感器及其形成方法,方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一像素区、第二像素区以及位于第一像素区和第二像素区之间的隔离区;在所述衬底第一像素区内形成第一光电掺杂区;在所述衬底第二像素区内形成多个相互分立的第二光电掺杂区;在所述衬底隔...
图像传感器及其形成方法技术
一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有光电感应单元;光电二极管组,位于所述光电感应单元内;控制栅极,位于所述光电感应单元,所述控制栅极自所述半导体衬底表面沿所述中心轴向所述半导体衬底内部延伸;多个...
静电防护结构、图像传感器结构及制备方法技术
本发明提供一种静电防护结构、图像传感器结构及制备方法,静电防护结构包括:半导体衬底、第一阱区、第二阱区、离子掺杂防护结构、第一器件结构、第二器件结构、器件隔离结构。本发明通过在器件隔离结构下方形成离子掺杂防护结构,从而可以降低第一阱区和...
半导体封装件和半导体管芯制造技术
本公开涉及一种半导体封装件和半导体管芯。一种半导体封装件包括:封装壳体,封装壳体包括多个引脚;多个引线;半导体管芯。半导体管芯包括:管芯内部电路,具有至少一个用于对外连接的路径;多个接合端子,至少包括第一接合端子和第二接合端子;端子配置...
半导体器件组和基板制造技术
本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组,其包括:多个半导体器件,其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件,以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件,其中各半导体器件包括控...
晶片接合方法技术
本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法,其包括:提供第一晶片和第二晶片,所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层,所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层,所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料;对所述...
光刻胶补液装置及光刻胶补液方法制造方法及图纸
该发明涉及一种光刻胶补液装置及光刻胶补液方法,其中所述光刻胶补液装置包括:补液管路,用于传输光刻胶至喷嘴,供所述喷嘴喷出;真空泵,输入端和输出端分别通过两段连接管路连通至所述补液管路,所述真空泵、两段连接管路以及两段连接管路之间的补液管...
图像传感器及其形成方法技术
本发明提供了一种图像传感器及其形成方法,在本发明提供的图像传感器及其形成方法中,每个光电二极管的下方形成有与待吸收光电子的颜色相同的有机光电薄膜,每个光电二极管的周围空白区域的上方形成有与相邻光电二极管待吸收光电子的颜色相同的有机光电薄...
晶片接合方法技术
本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法,其包括:提供第一晶片和第二晶片,所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层,所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层,所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料;对所述...
环状靶材部件、半导体工艺设备及其工作方法技术
一种环状靶材部件、半导体工艺设备及其工作方法,环状靶材部件包括:环状靶材,环状靶材为环形柱体,环状靶材具有相对的内侧壁和外侧壁,内侧壁和外侧壁包围且平行于环形柱体中轴线;位于环状靶材内的第一开口,第一开口沿环形柱体的直径方向和环形柱体的...
相位对焦图像传感器及其形成方法、工作方法技术
一种相位对焦图像传感器及其形成方法、工作方法,相位对焦图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括若干个图像捕获区,各图像捕获区包括第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区和第四子像素区,部分数量的图像捕获区为第一类图像捕获区;位于第...
光电二极管及其形成方法技术
一种光电二极管及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有第一掺杂区,所述第一掺杂区为第一掺杂类型;在所述第一掺杂区内形成光电凹陷部;形成第二掺杂类型的第一外延层,所述第一外延层填充所述光电凹陷部的至少一部分;其...
图像传感器及其制造方法技术
本公开涉及图像传感器及其制造方法。一种图像传感器,包括:衬底,其中具有多个光电元件;光电转换膜,位于所述衬底上;遮光膜,限定多个第一开口,所述多个第一开口分别对应地设置在所述多个光电元件的上方,其中所述遮光膜埋设在所述光电转换膜内;栅格...
堆叠型背照式图像传感器及其制造方法技术
本公开涉及一种堆叠型背照式图像传感器及其制造方法。一种堆叠型背照式图像传感器包括:第一电路;第二电路,其中所述第一电路产生的热量大于所述第二电路产生的热量;以及,散热件,所述散热件包括第一散热部和第二散热部,其中所述第一散热部位于所述堆...
图像传感器及其制造方法技术
本公开涉及图像传感器及其制造方法。提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:衬底;设置在所述衬底中的多个辐射感测元件,其中每个辐射感测元件用于响应于入射的辐射而生成相应的电荷;以及设置在所述衬底中靠近衬底背面处的溢流漏极,其中所述溢流漏...
图像传感器及其操作方法技术
本公开涉及图像传感器及其操作方法。该图像传感器包括衬底、设置在衬底中的多个像素单元和多个处理电路。每个像素单元包括:栅极结构,包括栅极和栅极电介质层;多个浮置扩散区;多个光电二极管,与浮置扩散区一一对应地设置在其下方,其中多个浮置扩散区...
图像传感器及其形成方法、工作方法技术
一种图像传感器及其形成方法,方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区包括多个第一隔离区和多个第一像素区,所述第一隔离区位于相邻第一像素区之间,所述第二区包括多个第二像素区和多个第二隔离区,所述第二隔离区位于相邻第二像素...
刻蚀槽、输送刻蚀液的方法以及刻蚀系统技术方案
本公开涉及一种刻蚀槽,该刻蚀槽包括多个输送嘴,多个输送嘴均匀地分布在刻蚀槽的底部,并且多个输送嘴被配置成并行地将刻蚀液输送到刻蚀槽中。
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